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RSS订阅原创 FLASH：一文读懂FLASH的工作原理与应用
当浮栅中没有电荷时，表示为 "1"，当浮栅中存有负电荷/电子时表示为 "0"。闪存的读取是在控制栅极施加正电压，检测源极和漏极之间电流的大小来判断是 "0" 还是 "1"。总结了 NAND 和 NOR 闪存在一些重要设计特性方面的差异：容量、读取速度、写入速度、工作和待机功耗、每比特成本，以及在文件存储和代码存储应用中的易用性。在闪存中，向控制栅极施加电压，在浮置栅极上收集并保持电荷。写入 "1" 是抽出浮置栅极电荷的操作，相当于 “擦除”。写入 "1"（即擦除）：在源极施加正电压，在控制栅极施加负电压。
2024-12-26 20:19:44
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原创 SRAM：SRAM入门指南与工作原理
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器，是一种能够读取和写入数据的内存（RAM）。它使用由晶体管组成的触发器来存储数据，只要有电源供应，数据就可以稳定地保存。与动态随机存取存储器（DRAM）不同，SRAM 不需要周期性地刷新来保持数据。
2024-12-12 19:29:15
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原创 DRAM：DRAM入门指南及工作原理
DRAM 1T1C 的电路结构（存储0/1的最小单元）主要由一个晶体管（MOSFET）和一个电容器（Capacitance）组成。当电容器充电时，表示存储的数据为 “1”；当电容器放电时，表示存储的数据为 “0”。
2024-12-09 18:27:38
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原创 离子注入中剂量与浓度的关系
对器件研发工程师来讲，离子注入的浓度是十分concern的参数，但是在离子注入工艺中给的是剂量，所以，常常会出现这样的情况：做器件的告诉做工艺的，我这个Device需要注入的浓度是多少，做工艺的反问做器件的要剂量，因此双方存在一个gap。
2024-12-05 21:41:04
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原创 ESD implant Process
在半导体领域，ESD（静电放电）是指半导体器件在与周围环境相互作用过程中，由于静电电荷的积累以及不同静电电位物体间的接触、感应等，导致静电电荷快速转移而形成的瞬间放电现象。
2024-11-13 21:33:54
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原创 化学机械抛光 (CMP)
化学机械抛光（Chemical & Mechanical Polishing, CMP）是半导体器件制造工艺中的一种技术，用来对正在加工中的硅片或其他衬底材料进行平坦化处理。
2024-11-13 21:18:02
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原创 Latch up 闩锁效应原理介绍
Latch-up是指在集成电路中的一个异常现象，其中两个相反极性的晶体管（PNP和NPN）形成了一个正反馈回路，导致电路失去控制，出现异常电流流过。
2024-10-27 20:34:49
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原创 原子力显微镜介绍-AFM简介
原子力显微镜（Atomic Force Microscope, AFM）是一种利用微力探针对样品表面进行成像和测量的高分辨率显微镜技术。
2024-10-26 20:15:48
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原创 如何在Windows自带的邮件中关联自己的163网易邮箱
如何在Windows自带的邮件中关联自己的163网易邮箱无法访问此账户：可能需要更新密码或授予帐户同步此设备的权限。
2023-07-06 10:15:35
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原创 ICCAP: EESoft Flexnet Licence Server 服务无法启动
在安装ICCAP，ADS时出现EESoft Flexnet Licence Server 服务无法启动状况
2023-06-27 19:25:08
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原创 Klayout教程(一)如何导入图片进行画图--适合EBL套刻
Klayout导入图片画图，适用于在已知图案的前提下进行对准画图。用于marker定位，EBL套刻
2022-10-18 18:55:00
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空空如也
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