weixin_42744921的博客

4、PN结的伏安特性4.1正向特性　　存在死区电压，当正向的外加电压高于死区电压时，PN结才导通4.2反向特性　　反向击穿：　　1、雪崩击穿（参杂浓度低时），温度越高雪崩击穿所需要的电压越高；　　2、齐纳击穿（参杂浓度高时），温度越高齐纳击穿所需要的电压越低。　　反向击穿后温度升高，电流乘以电压就是PN消耗的电功率，功率过大时发热明显，烧毁PN结。当温度没有达到烧毁的温度时，仍可工作。反向的工作状态，可以稳定电压，可以做成稳压二极管。5、PN结的电容效应（了解即可）5.1势垒电容　　P

1、本征半导体　　不参杂的半导体称为本征半导体，其价电子不导电，自由电子导电。价电子不会永远束缚在共价键中，热运动会使价电子逃逸，产生自由电子。那么，价电子逃逸后，就会留下一个空穴，这个过程称为本征激发。此时，自由电子导电，不过自由电子比较少。那么，空穴导电吗？空穴类似于正电荷，对其他的价电子具有吸引力，当空穴被价电子填补后，会产生另外一个空穴，以此类推，依次填补的过程造成了空穴的相对移动，所以空穴也是一种载流子也可以导电。所以，在本征半导体中存在两种载流子，一种是自由电子，另外一种是空穴。本征激发越多，