CMTI参数对于隔离驱动器选型的重要性

关注公众号:电子电路分析与设计

什么是CMTI?

CMTI(Common mode transient immunity)是隔离产品(包括iCoupler digital isolators 和optocouplers)最重要的指标之一。CMTI共模瞬变抗扰度,指是指瞬态穿过隔离层以破坏驱动器输出状态所需最低上升或下降的dv/dt(kV/µs or V/ns),如图:
在这里插入图片描述

图1. CMTI

CMTI分为静态和动态。静态是指把输入引脚连逻辑高电平或者低电平,然后模拟施加共模瞬变,理论上在CMTI规格以内的冲击都无法改变输出状态。UL and VDE 0884-11 并没有要求强制通过动态CMTI的测试,和静态CMTI的要求一样,动态CMTI的冲击下,输出也应当保持正常,如果CMTI的能力不够强, 会出现类似missing pulse, excessive propagation delay(传播延时过大), high or low error 或者 output latch的错误, 如下图:

在这里插入图片描述

图2. 错误类型

CMTI在应用中的意义

高噪声瞬变会导致栅极驱动器失去信号完整性,或者“毛刺”,从而导致系统调制失败;或者更糟的是,生成一个伪信号,其可能触发两个功率MOSFET同时接通,从而引发危险的电气短路情况。高瞬变也可能造成栅极驱动器进入一种永久的闩锁状态,这也会引发危险情况。
控制电源开关的栅极驱动器的设计必须能够承受这些噪声瞬变,同时不会造成毛刺或闩锁。驱动器承受这些共模噪声瞬变的能力被定义为共模瞬变抗扰度(CMTI),它由大多数厂商通常列在其产品数据手册中的一项规格来定义,并以kV/µs为单位来表示。
在应用中,这种瞬态通常是由开关节点上的高dV/dt引起的。如图以光伏逆变器系统为例,隔离驱动器有一侧的地是悬浮的并且快速切换的。这里CMTI是一个关键指标,如果CMTI能力不够,可能会导致输出错误,可能会出现电路短路,影响系统安全。对其他应用比如电机驱动器,变频器也是如此。

在这里插入图片描述

图3. 典型光伏逆变器系统

那么应该怎么挑选CMTI参数呢?为了减少开关损耗而缩短上升下降时间,对CMTI的要求会变高。另外为了提高功率密度,节省成本,很多新的平台会考虑提高开关频率,甚至采用SiC或GaN,这同样会带来CMTI需求的变大。另外,实验证明, 具有高CMTI的器件在干扰大的环境中, EMC/EMI的性能会更好。比如一个1500V的变频器,64kHz的开关频率,50-ns的上升/下降时间需要最少30-V/ns的CMTI, 建议选择40V/ns以上。
在隔离电源转换器系统中,栅极驱动器需要被隔离以保持从首级侧到次级侧的隔离完整性。栅极驱动器通常为功率FET的栅极提供高达4A的开关电流。对于给定的FET栅极电容,电流驱动能力越强,开关速率就越快。下图显示了一个隔离栅极驱动器的简单原理图,其连接至一个电压达400V的功率FET的栅极。

在这里插入图片描述

图4.隔离栅极驱动器示例

隔离栅极驱动器解决方案

结隔离驱动器五级标题

结隔离驱动器有一个浮动的高压侧驱动器去适应高电压线路。对于这样的设备而言,最高额定电压约为600V。通常情况下,这些产品经济实惠,但具有较小的瞬变抑制力,很容易闩锁,从而造成永久损坏或安全危害。一般来说,用于支持信号完整性的CMTI规格是在10kV/µs范围之内,而用于支持闩锁抗扰的CMTI规格是在50 kV/µs范围之内。

光耦合驱动器

光耦合栅极驱动器都被真正地隔离(相对于浮动的高压侧驱动器),而且它们已经存在了相当长的一段时间。典型光耦合驱动器的CMTI规格在10-20 kV/µs之间,而最新产品则拥有大为改善的性能,其CMTI值达到50 kV/µs(最小值)。

电容耦合和变压器耦合驱动器

除了结驱动器或光耦合驱动器之外,诸如电容耦合或变压器耦合解决方案等技术,也使性能提升了一大截。
请牢记我们的最终目标——实现可能的最快开关速率同时确保安全性——电容耦合和变压器耦合驱动器的最大优势在于,他们能够承受极高的噪声瞬变,而又不会丢失数据并不会被闩锁。一些最新的变压器耦合栅极驱动器的CMTI规范为50 kV/µs(最小值),而这仍然不能满足我们所考虑的最高效率系统。
最新的电容耦合解决方案也有相应的CMTI规范,支持信号完整性的CMTI为200 kV/µs(最小值),支持闩锁抗扰的CMTI为400 kV/µs(最大值)。这是业界领先的性能,且最适合当今的新型高频系统设计。
使用电容耦合隔离驱动器还有一些其它的优势。它们非常快速(低延迟),并且信道之间和器件之间的一致性优于其它解决方案。与一些流行的光耦栅极驱动器相比,其传输时延(延迟)性能要好10倍之多,同时器件之间的一致性也要好10倍甚至更多。这种一致性为设计人员提供了另一项关键优势——系统的整体调制方案可以进行微调以实现最高效率和安全性,而无需去适应规格变动。
这些驱动器还允许较低电压操作(相比5V的2.5V),以及更宽的工作温度范围(-40℃至125℃,而光耦合驱动器仅为-40℃至105℃)。此类驱动器还提供其它先进的特性,例如输入噪声滤波器、异步关断能力,以及在同一个封装中的诸如半桥或双通道独立驱动器等多种配置。
产品的安全性和长期可靠性也是这些应用中的关注重点,并且考虑这些属性也是非常重要的。另外,新型驱动器在高电压条件下的额定工作寿命为60年,比其它任何可比的解决方案都更长。
资料整理于TI网站

最后,有什么问题可以留言,作者看到会及时回复。 长按关注微信公众号,提供了免费的资料下载,包括硬件基础知识、开关电源设计资料、求职资料等等~

在这里插入图片描述

<think>嗯,用户想了解MOSFET驱动电路中隔离驱动的设计方案和原理。首先,我需要回顾一下隔离驱动的基本概念。隔离驱动主要是为了实现主电路与控制电路之间的电气隔离,这样可以防止高电压或大电流对控制部分造成干扰或损坏。常见的隔离方式有光耦隔离、变压器隔离和电容隔离等。 根据引用[1],MOSFET需要较高的VGS,所以需要专门的驱动电路。而隔离驱动可能涉及如何安全地提供这个高电压。引用[2]提到驱动电路的峰值电流和上升速率会影响开关性能,所以设计时要考虑这些参数。另外,引用[3]中的IR2130有保护功能,隔离驱动可能也需要类似的保护机制,比如过流保护。引用[4]中的R1和C1用于抑制振荡,这在隔离驱动中可能同样重要,因为隔离元件可能会引入额外的寄生参数。 接下来,我需要整理隔离驱动的几种主要方案。首先,光耦隔离方案,比如使用高速光耦如6N137或HCPL-3120。光耦的优点是简单,但可能速度不够快或者有延迟。然后,变压器隔离方案,利用脉冲变压器传递驱动信号,需要注意占空比限制和磁芯饱和问题,这里引用[4]提到防止磁芯饱和的方法,可能涉及RCD电路。第三种是集成隔离驱动芯片,比如Silabs的Si823x系列,这类芯片内部集成了隔离和驱动功能,设计更简便。 在原理方面,隔离驱动需要确保信号的准确传输,同时隔离高低压。比如光耦通过光信号传递,变压器通过磁耦合,而电容则利用电场变化。每种方式都有优缺点,比如光耦寿命有限,变压器体积大但效率高,电容隔离适合高频但需要处理直流偏移。 用户可能还想了解设计中的关键参数,比如隔离电压、传输延迟、共模瞬态抗扰度等。此外,保护电路如过流保护(引用[3]提到的IR2130)和防振荡措施(引用[4]的R1和C1)也是重点。实际应用中需考虑隔离元件的选型、驱动功率匹配以及PCB布局,比如减少寄生电感(引用[4]中的R1作用)。 可能用户的应用场景是开关电源或电机驱动,需要高可靠性的隔离。需要确保回答涵盖不同方案的特点,以及如何根据需求选择合适的方法。同时,生成的问题要引导用户深入考虑实际应用中的挑战,比如延迟、体积、成本等。</think>### MOSFET驱动电路隔离驱动设计方案及原理 #### 一、隔离驱动的核心需求 隔离驱动电路的主要目标是实现控制信号与功率电路的电气隔离,避免高电压/大电流对控制端造成干扰或损坏,同时保障信号传输的可靠性。其设计需满足以下要求: 1. **电气隔离**:隔离耐压需高于系统最高电压,例如$V_{ISO} \geq 1.2 \times V_{BUS}$[^1] 2. **信号完整性**:传输延迟需小于$100ns$,且共模瞬态抗扰度CMTI)需超过$50kV/\mu s$[^2] 3. **驱动能力**:提供足够的栅极充放电电流(例如$\pm 2A$峰值电流)以降低开关损耗[^3] #### 二、典型隔离驱动方案 ##### 1. 光耦隔离方案 **原理**: - 通过光敏器件实现电-光-电信号转换 - 典型电路结构: $$ V_{IN} \rightarrow \text{LED} \xrightarrow{\text{光耦合}} \text{光电晶体管} \rightarrow \text{推挽放大} \rightarrow V_{GS} $$ **设计要点**: - 选择高速光耦(如6N137,传播延迟$<75ns$) - 增加图腾柱输出增强驱动能力(参考引用[2]中驱动电流设计) - 典型电路: ```python # 伪代码示例 if control_signal == HIGH: LED_on → 光电晶体管导通 → 推挽电路输出+12V else: LED_off → 输出-5V(实现负压关断) ``` ##### 2. 变压器隔离方案 **原理**: - 利用磁耦合传递能量与信号 - 双通道变压器驱动结构: $$ \text{PWM信号} \rightarrow \text{门极驱动IC} \rightarrow \text{脉冲变压器} \rightarrow \text{全桥整流} \rightarrow V_{GS} $$ **关键参数**: - 变压器匝比计算:$N = \frac{V_{DRIVE}}{V_{IN}} \times D_{max}$($D_{max}$为最大占空比) - RCD箝位电路设计(引用[4]中R1与C1的配合) ##### 3. 集成隔离驱动芯片 **特性**: - 集成隔离电源+信号传输(如Silicon Labs Si823x) - 典型功能框图: ``` _____________ | 控制侧                   | | 逻辑输入 → 信号隔离驱动器 → VOUT | |        隔离电源          |  ̄ ̄ ̄ ̄| ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄ ̄| ̄ ̄ ̄ |隔离屏障| ``` #### 三、关键设计考量 1. **隔离耐压设计**: - 爬电距离:$\geq 8mm/kV$(根据IEC 60664标准) - 局部放电测试电压:$1.5 \times V_{ISO}$ 2. **动态特性优化**: - 栅极电阻计算:$R_g = \frac{\Delta t}{C_{iss} \ln(\frac{V_{DRIVE}}{V_{th}}})$ - 米勒平台处理:增加负压关断($-5V$至$-10V$) 3. **保护电路设计**: - 过流保护:采用DESAT检测(引用[3]中IR2130方案) - 防直通保护:插入死区时间$t_{dead} \geq 100ns$ #### 四、实测性能对比 | 方案类型  | 传输延迟 | 隔离电压 | 功耗 | 成本 | |------------|----------|----------|-------|-------| | 光耦隔离  | 50-100ns | 5kV   | 中  | 低  | | 变压器隔离 | <30ns  | 10kV   | 低  | 中  | | 集成芯片  | 35ns   | 3.75kV  | 高  | 高  | #### 五、工程实践建议 1. PCB布局要求: - 驱动回路面积$<2cm^2$(引用[4]中寄生电感抑制) - 隔离带宽度$\geq 3mm$ 2. 热设计: - 驱动IC结温$T_j \leq 125℃$ - 散热铜箔面积计算:$A = \frac{P_{diss}}{k \cdot \Delta T}$($k=0.05W/cm^2·℃$)
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值