- 博客(6)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 日常学习笔记（五）
电容储存量的计算需考虑到充电电压，结合电压和电容值可以计算电容储存量W（J），W=1/2*C*V^2。C为电容值，单位为法拉（F）或微法（μF）；V为电压值，单位为伏特（V）每个正弦半周波时间（即10ms）内，须对电容补充负载取走的能量，则须补充能量为4W*10ms，即为正周期所补充的能量。当电容充电到峰值电压时，电容储存能量最大为:Wc_max=1/2CU^2。一般情况下，DRAM的容量/FLASH的容量比为1/1000。根据能量守恒定律，取出的能力等于补充的能量。二、电容储存量的计算。
2025-10-23 18:47:48
189
原创 日常学习笔记（四）
高频开关管（如MOSFET）的导通/关断导致电流突变，通过电感和电容滤波后仍有残留交流成分。：电感/电容的等效串联电阻（ESR/ESL）、PCB走线寄生电感等会引入额外电压波动。：负载电流突变时，反馈环路响应延迟会导致短暂电压波动使用带宽限制（20MHz）避免高频噪声干扰。探头表笔选择"x1"档，示波器耦合方式选择“AC”耦合探头接地线尽量短（用接地弹簧），减少环路引入的噪声。测量点选择输出电容两端，直接反映负载端纹波。：三角波（电感电流纹波导致）叠加高频尖峰。
2025-07-03 14:49:33
965
原创 日常学习笔记（二）
在市场上绝大部分Emmc只要封装相同，那他相对应的引脚对应关系也几乎相同，所以同一封装的Emmc可以做替代，但是要注意的时，Emmc颗粒使用的协议有可能不一样，现在主要的时Emmc 5.1协议。VDDi中的Creg电容值也可根据其数据手册找到相对应的电容容值,一般为0.1~2.2uf 有的EMMC要求1uf~4.7uf，一般选取2.2uf适合大部分EMMC电路的Creg取值。数据手册中规定了CMD 、DATA以及Reset引脚的上拉电阻大小，设计者可根据实际电压调节电阻阻值。
2025-07-03 14:15:34
361
原创 日常学习笔记（三）
摘要：本文介绍了在Cadence 16.6中创建不规则形状SMD封装的详细步骤。主要包括：1）使用Shape Symbol绘制封装形状并保存；2）通过Pad Designer软件设置焊盘参数；3）在Package中调用焊盘布局；4）添加阻焊层（比焊盘大4mil）和器件界限；5）设置装配层和丝印层位号。文中还提供了实用技巧：使用ix/iy命令绘制线段、Merge Shape合并形状、Z-copy设置区域等。最终生成的封装包含.psm和.dra文件。
2025-06-24 13:49:17
376
原创 日常学习笔记(一)
IIC总线采用开漏或开集电极输出结构，这种设计允许多个设备共享同一总线而不发生冲突。开漏输出无法主动输出高电平，只能拉低或高阻态。上拉电阻的作用是为总线提供高电平驱动，确保信号在未被拉低时能稳定维持在逻辑高电平。总线电容和传输速率影响信号上升时间，上拉电阻过大会导致上升沿过慢，过小则增加功耗。上拉电阻需平衡信号完整性与功耗。最小阻值由总线最大允许电流和电源电压决定。IIC规范通常要求灌电流不超过3mA。最大阻值由总线电容和上升时间要求决定。
2025-06-20 09:11:19
1154
1
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人