STM32G0系列将内部FLASH作为EEPROM使用，巧妙编程，可延长Flash擦写寿命上百倍，已用于量产产品。

Rocker-Chen

已于 2022-07-11 13:29:27 修改

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文章标签： stm32 arm 嵌入式硬件

于 2022-01-07 11:55:11 首次发布

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STM32G0系列利用内部Flash模拟EEPROM，通过智能编程策略，如分区域写入，避免频繁擦除，有效延长Flash的擦写寿命至640万次以上，适用于量产产品。

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STM32内部flash可以用作EEPROM，用于保存用户数据。

1、一般来说，stm32的flash擦写寿命只有10万次，如果在同一位置擦写过于频繁，在产品质保期内FLASH就会达到寿命极限，保存数据出现异常。

2、stm32G0系列，一页flash的容量是2KB，往flash写数据（写0）的时候可以在任意位置写入任意长度的字节（当然不超过2KB），但是擦除（写1）的时候必须整页擦除，只有十万次的擦除寿命、

3、用户保存的字节一般只有几十个字节，可以在同一页flash里的逐个区域保存数据（写0），直到使用完一整页，才擦除整页，这样就可以延长擦写寿命。

4、代码原理不细说，代码原理都要了解了才用，那生命效率太低了，直接告诉你们怎么使用吧，十分钟上手。

5、使用HAL库和LL库混合编程。

/**用户在此定义需要保存的数据**/
u8      user_data1;
u16     user_data2;
u32     user_data3;
float   user_data4;
double  user_data5;
/**************************/


#define		d_FLASH_Page_Size		2048//一页flash2KB
#define		d_FLASH_Data_maxbyte	32  //用户的数据长度，32 byte，必须是8的倍数，多余的字节填0x5A
#define		d_FLASH_Data_maxDWord	4   //用户的数据长度，4 double word=4*64bit=32 byte，直接用上面32/8 就是这个数字了

typedef union
{
	volatile	uc8		R_Flash8[2048];
	volatile	uc16	R_Flash16[1024];
	volatile	uc32	R_Flash32[512];
	volatile	uc64	R_Flash64[256];
}FLASH_DATA_typedef;//用户不用管
	
const FLASH_DATA_typedef		FLASH_DATA_SAVE	__attribute__((at(d