超大规模集成电路先进光刻理论与应用_半导体行业（三十九）——高级光刻工艺（一）...

特征图形尺寸减小到纳米范围，伴随着更大直椏的晶圆，增大了对低缺陷密度的需求，增大了芯片密度和尺寸，已对芯片制造工业界挖掘各种传统工艺的潜能和开发新的工艺技术提出挑战。接下来我们将探讨达到纳米尺度电路遇到一些问题和现在的一些解决办法。包括后光学光刻技术的讨论，综合起来称为下一代光刻技术(NGL)。

接下来的小编将分段为大家展开介绍：

1.描述4种与曝光有关的效应，这4种效应都会引起光刻图形畸变。
2．描绘双层光刻胶工艺的截面流程图。
3．描绘双大马士革制程工艺的截面流程图。
4．列举两种平坦化技术。

5．说出图像反转工艺的优点。
6．捲述抗反射涂层，反差增强涂层和光刻餃染色剂是怎样改进分辨率的。
7．识别光刻掩模版的薄膜部分并能讲出它对光刻工艺的贡献。

一、VLSI/ULSI集成电路图形处理过程中存在的问题

在之前我们详细描述的10步图形化工艺是单层光刻胶成像的基本工艺。这对于中规模(MSI)、某些简单的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路是完全适用。然而，随着超大规模集成电路〔VLSI)/甚大规模集成电路(ULSI)集成电路要求的特怔图形尺寸越来越小，缺陷密度越来越低，这些基本光刻工艺已经明显显出其局限性。基本光刻工艺在亚3微米技术代显现出它的局限性．并在亚微米工艺时代变成关键问题。存在的