三种恒流源

最新推荐文章于 2024-06-07 14:20:33 发布
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加法器：
(Vi1 — V+)/R8=(V+ — Vi2)/R6
V+ = R7/(R7+R5) * Vout
因为R5=R6=R7=R8=1K
所以：Vi1—1/2Vout = 1/2Vout — Vi2
所以：Vout = Vi1 + Vi2
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6种最常用恒流源电路的分析与比较.doc.doc
09-13
6种最常用恒流源电路的分析与比较.docdoc,6种最常用恒流源电路的分析与比较.doc
恒流源
左氏浮夸的博客
02-25 465
使用运放构成负端恒流源
两只PNP晶体三极管和四个电阻组成恒流源电路
lvmingzhou的专栏
12-12 1269
当R1两端的电压降达到0.6V时，Tr2会随之导通，Tr2的集电极电流流经R2．对Tr1的基极电流形成分流．Tr1的基极电流会随之减小，集电极电流也随之减小。恒流电流的大小由R1的电阻值和Tr2的Vbe决定，设Tr2的Vbe等于0.6V，电路的输出电流I可用I=Vbe/R1=0.6V/1Ω=0.6A来计算。对于晶体三极管来说，Vbe的温度系数约为-1mV/℃，Vbe的数值会随温度的变化出现较大的变动，所以这种电路不能用于对恒流源精度要求很高的场合。
基于TL431和IGBT的线性可调恒压恒流电源的Multisim电路仿真设计
wqsdqw的博客
05-05 3995
其中2N6975为IGBT作为开关管，LM358作为比较器，LM358负端接线性电源输出端正极，5Vref是TL431输出的基准电压5V，R4和R5构成分压电路调节输出电压大小。在线性电源中，通过开关管的通断来稳定输出电压，其工作过程分为以下几步：首先对输出电压取样，然后将采集的电压与参考电压通过比较放大器进行比较，放大器的输出作为开关管的输入，当采集电压大于参考电压，开关管通；R5调节到下面位置，此时R5电阻为2.575k，计算输出电压为12.925V，万用表输出结果如下图所示，结果为12.885V。
三极管专题：PNP和NPN 三极管恒流电路分析
五花带点肉
07-24 1万+
前言 恒流，顾名思义电流恒定，要实现电路恒流有许多种方法，你可以使用恒流二极管，也可以使用分立元件搭建恒流电路，比如用运放搭建恒流电路，三极管搭建恒流电路等等。根据使用的场合不同，精度要求不同可以选择不同的方案实现恒流。而我们今天要讲的三极管搭建的恒流电路就是一种精度要求不高的恒流电路。 NPN型三极管横流电路 如下图所示，即为NPN型三极管恒流电路。三极管型号为MMBT3904 如图所示，load为恒流源负载，Iout便是我们想要让其恒定的电流。 分析： 1、由三极管的特性可知在忽略T1的基极电流I4
几种恒流源电路模块设计
08-26
集成稳压器构成的开关恒流源是第三种常用的恒流源结构。该电路由MC7805为三端固定式集成稳压器，RL 为负载电阻，RW为可调电阻器。工作原理是：固定式集成稳压器工作在悬浮状态，在输出端2和公共端3之间接入一电位器...
几种简单的恒流源电路设计
01-17
在方案论证部分，文章比较了三种不同的恒流源设计方案：开关电源的恒流源、集成稳压器构成的恒流源以及单片机控制的电流源。开关电源的恒流源虽然效率高、体积小，但控制电路复杂，纹波大；集成稳压器的恒流源结构...
三极管组成的恒流源电路
03-26
恒流源电路是一种电子电路，它的主要功能是提供一个稳定的电流输出，不随负载或电源电压的变化而变化。在标题中提到的“三极管组成的恒流源电路”是指使用半导体三极管作为核心元件来设计和实现这种电路。下面我们将...
运放+MOS管组成的恒流源
02-08
恒流源是一种能够保持输出电流恒定，不随负载或电源电压变化而改变的电路。在电子设计中，恒流源广泛应用于LED驱动、传感器供电、精密电流基准等方面，其稳定性和精度对于系统性能至关重要。本篇文章将详细探讨一种...
三线制恒流源驱动电路
07-29
总结来说，三线制恒流源驱动电路是一种高效且精准的解决方案，用于驱动温度传感器并将温度变化转化为可读的电压信号。通过精心设计和组件选择，可以实现高精度的温度测量，满足各种应用的需求。
uA级高精度恒流源设计
12-15
uA级高精度恒流源设计，multisim文件
恒流源芯片
05-16
一款恒流源芯片,可用于传感器技术中,经测试,性能稳定可靠,是传感器技术中的 理想恒流源器件
三极管学习-恒流源
weixin_43884675的博客
02-18 2410
给C1并联个按键就可以弄个延时开关灯的电路转一下逻辑，看到当电容电压上升的时候电容上的电流是变小的，所以如果你要很精确的恒流源这么玩是不合适的。上面的架构，做恒流源的话设定电流的电阻和Rload上的电流差不多，当需要一点功率的时候上面的电路就不太合适，如果驱动LED灯等电流稍微大一点的就可以考虑使用这种架构，如图11所示。R1给Q1提供电流路径，此时Q1的电流通过R1流向GND，Q1和Q2共用一个偏置电流，又因为Q1的Vbe和Q2的Vbe是相同的所以流过R1的电流等于流过R2的电流。
7、什么是三极管（PNP与NPN型）恒流源电路（放电电路与充电电路）
Eric005的博客
07-26 1万+
1 三极管基本特性 晶体管分为三极管和场效应管，三极管电路的学习更具普遍性，场效应管的应用我们放到后面电源管理的章节介绍。 晶体管都可分为N型和P型，具体到三极管就是NPN三极管和PNP三极管。我们主要讲解常用的NPN三极管，穿插介绍一些必须使用PNP三极管的电路知识。 如图1所示，三极管的三个引脚分别是基极（Base）、发射极（Emitter）、集电极（Collector）。 图1 三极管等效电路 3) BE之间就是一个二极管，CE之间等效为一个可调电阻，阻值可以从若干欧到无穷大（断路）。 4) 三
恒流源电路简介
wsq_666的博客
05-06 1万+
本文介绍了三极管恒流源以及比较器恒流源方案供参考
基本 MOSFET 恒流源
最新发布
lucy15302751079的博客
06-07 4047
现在请注意，两个 FET 的源极都接地，并且它们的栅极短路在一起，换句话说，两个 FET 都具有相同的栅源电压。因此，如果我们假设两个器件具有相同的沟道尺寸，则无论 Q 2漏极处的电压如何，它们的漏极电流都将相等。正如您所看到的，Q 1的漏极与其栅极短路。I ERROR遵循简单的欧姆定律关系：较高的 V CS意味着更多的 I ERROR以及更多的 I BIAS，因此电流源不再独立于其端子上的电压。到目前为止，我们假设生成的电流与参考电流相同，但这仅当晶体管具有相同的沟道宽度与沟道长度之比时才是正确的。
了解这些，就可以搞懂 IGBT
jk_101的博客
05-17 2667
IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。当向发射极施加正的集电极电压VCE，同时向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT便能导通，集电极和发射极导通，集电极电流IC流过。因此，有必要在了解工作环境和关断时的最小栅极电阻值后，才进行Rg和 VGE设计。
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07-07 4万+
电流源 电流源是为各级提供合适的静态电流，静态电流是固定的。 镜像电流源 从图中可以看出来，IR=(Vcc-Ube)/R，IR=IC+IB,IC=βIB IC=β/(β+2)*IR，当β远大于2的时候，IC≈IR。 所以由于电路的特殊接法，造成了IC与IR的值近似相等，通过调节R的值的大小就可以控制不同的IC的输出。 优点 镜像电流源具有一定的温度补偿特性，当温度上升的时候，IC变大，R上的压降变大，UBE变小，IB变小，IC又变小。因此提高了输出电流IC1的稳定性。 缺点 当需要比较大的IC1的时候，势
基于LM334芯片的恒流源调试
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基于LM334芯片做的1mA恒流源电路最近因为工作需要，设计了一款基于LM334MX/NOPB的1mA恒流源电路，根据实际效果来看，也基本能够满足设计需求，虽然网上已经有很多关于这个设计的帖子、芯片手册上也有相关说明，但我还是想把自己在调试过程中遇到的问题做一个整理，然后共享出来让更多的人看到，最大限度避免有人跟我走同样的弯路，提高我们这些苦逼硬件工程师的工作效率，如果文中内容有错误的地方也欢迎大...
恒流源电路设计及其应用
文章介绍了三种恒流源的设计方案： 1. **集成运放构成的线性恒流源**：这种设计利用两片运算放大器（如324）形成比较放大环节，搭配双极型晶体管（BG1和BG2）作为调整环节。负载电阻（RL）和取样电阻（RS）用于监控...
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