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电机控制笔记

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原创 MOS开关过程

四个阶段的长度是寄生电容值、电容上所需的电压变化和可用的栅极驱动电流的函数。而且,在具有有限电感负载的实际应用中,开关性能与数据表中给出的数字有显著差异。当这些电容器充电时,漏极电流仍然保持恒定,而由于器件的导通电阻下降,漏源电压略有下降。现在,器件的漏极电流受到外部电路(这是直流电流源)的限制,因此保持恒定。在此时间段内,与栅极电压波形中的米勒平坦区域对应,栅极电流完全是 C。在器件的输出端,漏极电流升高,同时漏源电压保持之前的电平(V。随着过驱电压降低,器件的漏极电压略有上升,漏极的电流保持不变。

2025-05-24 14:28:30 860

原创 MOS工作区

截止区实现断开,饱和区实现低损耗导通,线性区仅在切换瞬间出现。理解这三个区的原理和特性,是设计高性能电机驱动系统的基础。

2025-05-22 21:57:05 2311

原创 电流对电感的影响

电感的大小本质上取决于磁路的磁导率。随着电流增大,铁芯磁导率降低,导致电感下降。这是电磁系统最核心的非线性之一。

2025-05-16 19:11:16 1619

原创 PMSM定子电流对转子磁通的影响

PMSM定子电流对转子磁通的影响

2025-05-16 18:06:38 1103

原创 三相逆变器模型

然而,其他主要研究人员将这个时间延迟视为一个 PWM 周期的四分之三。理由是存在死区时间及其补偿,以及处理中固有的延迟,这种提倡的更长延迟时间是基于他们的经验。或者,总是可以测量在电机驱动中遇到的典型阶跃信号幅度的延迟时间,并且可以用于控制建模。逆变器是一个采样数据系统。采样间隔对应一个 PWM 周期。但改变开关的命令可能在该周期内的任何时间发生。可以将逆变器视为一个具有一定增益和相位延迟的黑盒子,用于建模和控制研究。对于许多驱动系统应用,式 (4) 所示的模型在实践中被证明是足够的。

2025-03-07 15:35:36 1331

原创 手把手移植TI IQmath库至STM32,定点运算性能实测!

TI推出的IQmath库专为无FPU的MCU优化,提供高性能定点数学运算(如乘法/除法/sin/cos/开方 等),完美替代浮点计算,大幅节省资源。从TI官网下载源码 https://www.ti.com.cn/tool/cn/MSPM0-SDK ,提取。文件夹加入项目,包含头文件。(根据实际平台调整)。文件夹(预编译库)。

2025-03-03 18:29:08 1746

iqmath 源代码 可以在 stm32 gd32 等环境下使用

iqmath 源代码 可以在 stm32 gd32 等环境下使用

2025-03-03

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