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1、SRAM和DRAM2、静态存储元件和动态存储元件的比较---- SRAM存储元件所用MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；但因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无需刷新。也不会因为读操作而使状态发生改变，故无需读后再生，特别是它的读写速度快，其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。由于S

SSD的GC和写入放大GC是（Garbage Collection，垃圾回收）的缩写，是固态硬盘（SSD）的一个基本技术，它对SSD的性能和寿命有直接的影响。这里主要介绍一下GC是如何工作的。 当使用机械硬盘时，文件系统可以直接将新数据写入到旧数据存储的位置，即可以直接覆盖旧数据。在固态硬盘中，境况有所不同。如果想让存储无用数据的块写入新数据，就需要先把整个块删除，才可以写入新的数据，也就是说固态

TRIM指令是微软联合各大SSD厂商所开发的一项技术，属于ATA8-ACS规范的技术指令。         TRIM是告诉NAND闪存固态存储设备要擦除哪些数据的SATA接口指令。当相关页面的数据可以被覆盖时，操作系统会发给SSD一个TRIM指令。SSD控制器等到主机开始删除和再次写入操作的时候，执行安全擦除操作。因为在写入操作过程中不用花时间去擦除原本的数据，写入速度要快得多。   

我们知道，纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit，叫SLC，后来又有了MLC，现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时，器件尺寸变小，存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄，比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等，总的来说，NAND flash更容易出错了，或者说NAND 上的噪声增加了。SSD FTL层有一个很重要的功能就是ECC纠...

我们常常看到SSD上显示支持ECC。那么ECC是个什么东西呢？ECC是SSD的数据校验、纠错。为什么SSD需要ECC呢？原因：1.SSD容易产生数据读写错误。ECC需要去校验更改数据错误，以及判断是否坏块。2.SSD读写的介质是NANDFLASH。而NANDFLASH在生产过程和使用过程中都会产生坏块。为什么NANDFLASH会产生数据读写错误呢？原因：1.写入集中、写入放大、异常断电等等，数据读...

什么是CRC校验？CRC即循环冗余校验码：是数据通信领域中最常用的一种查错校验码，其特征是信息字段和校验字段的长度可以任意选定。循环冗余检查（CRC）是一种数据传输检错功能，对数据进行多项式计算，并将得到的结果附在帧的后面，接收设备也执行类似的算法，以保证数据传输的正确性和完整性。CRC校验原理：其根本思想就是先在要发送的帧后面附加一个数（这个就是用来校验的校验码，但要注意，这里的数也是二进制序列...

闪存存在几个问题，影响着数据可靠性。首先是擦除次数，闪存擦除次数的增多，会使隔离浮栅极电子的氧化层磨损，绝缘性能变差，最后导致数据出错。具体可参看《你的SSD可以用100年，你造吗？》。然后是data retention问题，就是随着时间的流逝，存储在闪存中的数据会消失，原因是浮栅极里面的电子跑出来了。电子跑出来的速度是跟擦除次数成正比的，也就是，闪存擦写次数越多，电子跑得越快，也就是数据...

悟空说：“曾经有一段真挚的感情摆在我的面前，我没有珍惜，直到失去后才后悔莫及，人世间的痛苦莫过于此，如果再给我一次机会的话，我会对那个女孩说我爱你，如果非要在这段感情加上一个期限，我希望是一万年。”一万年很久吗？对于仙人来说，一万年太短。最近热播的电视剧《三生三世，十里桃花》里面，墨渊上神对白浅的单相思历经三生三世，总共超过7万年。看完别人的感情期限，我们再来聊聊现实一点的：存储的数据能保存多久？...

NAND flash的组成一个典型的Flash芯片由Package, die, plane, block和page组成，如下图：Package: 也就是chip即Flash芯片，就是我们经常在M.2的SSD上看到的NAND flash颗粒：Die: 一个NAND颗粒是由一颗或者多颗Die封装在一起而成，这种封装可是平排的，也可以是层叠的。die内部可以通过3D 堆叠技术扩展容量，譬如三星的V-NA...

1. LRU1.1. 原理LRU（Least recently used，最近最少使用）算法根据数据的历史访问记录来进行淘汰数据，其核心思想是“如果数据最近被访问过，那么将来被访问的几率也更高”。1.2. 实现最常见的实现是使用一个链表保存缓存数据，详细算法实现如下：1. 新数据插入到链表头部；2. 每当缓存命中（即缓存数据被访问），则将数据移到链表头部；3. 当链表满的时候，将链表尾部的数据丢弃...

闪存的读写单位为页，而页的大小一般为4KB或8KB，但我们的操作系统读写数据是按HDD的扇区尺寸进行的（512Byte（字节）），更麻烦的是闪存擦除以块作单位，而且未擦除就无法写入，这导致操作系统现在使用的文件系统根本无法管理SSD，需要更换更先进、复杂的文件去解决这个问题，但这样就会加重操作系统的负担。而为了不加重操作系统的负担，SSD采用软件的方式把闪存的操作虚拟成磁盘的独立扇

针对JEDEC协议中几个抹除资料的命令，大家都很容易将其混淆。现在就这四个抹除命令作详细介绍，希望能帮助大家分清各个命令的具体含义及用法。Erase1.1擦除组（EraseGroup）Erase翻译过来是抹去、擦除的意思。eMMC中可擦除的单位称为“擦除组”，擦除组是用写入块（writeblocks,Device的基本可写单位）来测量的。擦除组的大小是一个设

随着TLC闪存颗粒逐步占领市场高地，QLC又虎视眈眈，固态硬盘的寿命之争又再一次被搬上了舞台，让人争辩。真可谓“眼看他上高楼，眼看他宴宾客，眼看他楼塌了”，万事皆如此，任何新事物替代旧事物都会经过一个由质疑到反复再到接受的过程。关于固态寿命的问题，除了闪存颗粒的自身体质其着确定性作用外，其实主控中的写入放大机制的存在也是影响固态寿命的关键因素。那么，写放

http://www.jos.org.cn/html/2014/2/4528.htm

http://www.docin.com/p-891683928.html

对于要求连续的内存空间来存放页表的问题，可利用将页表进行分页，并离散地将各个页面分别存放在不同的物理块中的办法来加以解决，同样也要为离散分配的页表再建立一张页表，称为外层页表(Outer Page Table)，在每个页表项中记录了页表页面的物理块号。下面我们仍以前面的32位逻辑地址空间为例来说明。当页面大小为 4 KB时(12位)，若采用一级页表结构，应具有20位的页号，即页表项应有1兆

本文把FTL管理划分为5个相对独立的模块，FTL的实现的过程中，可以根据需求进行组合。Data Organization：本模块主要是管理Flash空块的分配和组织。在FTL管理中，Flash一般划分为两个部分：元数据区域(meta-data)、数据区域（data）。元数据区域用于FTL的表格管理，和提供冗余块(over-provision)。数据区，存

NAND Flash 在嵌入式系统中的地位与PC机上的硬盘是类似的。用于保存系统运行所必需的操作系统，应用程序，用户数据，运行过程中产生的各类数据，系统掉电后数据不会护丢失。现在的Flash主要有两咱，一种是NAND Flash 一种是Nor Flash。NOR Flash是由Intel公司于1988年发明的，用以代替EERPOM，NAND Flash由Toshiba 公司在1989年发明

SSD基本工作原理　　SSD主要由SSD控制器，FLASH存储阵列，板上DRAM（可选），以及跟HOST接口（诸如SATA，SAS, PCIe等）组成。　　SSD主控通过若干个通道（channel）并行操作多块FLASH颗粒，类似RAID0，大大提高底层的带宽。举个例子，假设主控与FLASH颗粒之间有8个通道，每个通道上挂载了一个闪存颗粒，HOST与FLASH之间数据传输速率为20