ST32不同的 外部晶振，Keil工程如何修改

两处修改：

1.文件 system_stm32fxx.c中，约 68行【#define HSE_VALUE    ((uint32_t)25000000)】

改为 【#define HSE_VALUE    ((uint32_t)24000000)】

2.文件 systemf5xx_hal_conf.h中，约 98行【HSE_VALUE    (25000000U)】

改为 【HSE_VALUE    (24000000U)】

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1.       LED灯选择

设计主导LED灯U6，工作电流10mA，压降约为3.3V。

一般的3-10mA，蓝色LED灯压降3.3V，其他的1.8-2V。

2.       桥式整流

桥式整流将正弦波下方翻到上方，f变为2倍（100Hz）。Uin有效值，Uout最大值为根号2倍，后面接一个电容C1整流，Uout约为Uin*1.4

3.       电容选择

3.1电容常用功能：旁路，去耦，滤波，储能。

旁路：利用隔直通交特性，容抗R=1/2πfc，作为低容抗的交流通路。

去耦：电源和地之间更好的耦合，减少交流信号的干扰。工业上对纹波要求3%--8%，工业通讯端口R232，R485一般是75mV，低速信号采集50mV，高速信号采集10mV。

3.2低频电路（20M以下）用2个电容：大电容（0.1uF）滤低频，小电容(10pF)虑高频，如果瞬时电流过大，再加一个比较大的钽电容。0.1UF左右的用来滤除低频的纹波干扰,还可以起到稳压的作用。高频用1-10个uF电容去除高频噪声。容值大小C=4Pi*Pi  /(R * f * f )。

3.3电容谐振特性

电容可以看作是电容与电感的并联。谐振频率f=1/jwc以下，表现为容性。以上表现为感性。自谐振频率即器件的FSR参数，一般在DS中，还和封装有关，STM封装的电容滤波频率比DIP封装更高。电容值0.1μF，DIP (8MHz) ，STM (16MHz)。

103－表示容量为10×103PF，即0．01μF

224--表示容量为22×104PF，即0．22Μf

电解电容是有极性的，陶瓷贴片电容无极性。

3.4电容值计算

         电容值C1=I/△Vf=10/1.5V*50Hz大致算法120uF，放大5-10倍，差不多680Uf.

4.       LDO芯片选择

最常见的LM78XX系列，功率选择1-2W以下，不然发热比较厉害。低压线性稳压器输入输出电流几乎相等。P=UI，因此压降越小越好，I就是10mA。如果压降太大，先来个7815，再来个7805.还有78L05，最大电流是0.5A，7805是1A.

5.       电阻选择

LED灯需要的是电流源，电流过大容易烧坏。必然需要电阻讲电压转化为电流。常见的低压线性稳压器输出为5V。R=(5-3.3)/10mA=170Ω，以下。封装瓦数要求，0805封装最大为1/8W, 0402是1/16W.

 RS– 05 K 102 JT

K －表示温度系数为100PPM。
102 －5％精度阻值表示法：
前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。
 

1002 是1％阻值表示法：
前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝10000Ω＝10KΩ。
J －表示精度为5％、
F－表示精度为1％。
T －表示编带包装