正则表达式的基本语法

本文详细介绍了正则表达式的各种元字符及语法,包括位置锚点、重复限定符、字符集、预查断言等内容,并提供了多个实例帮助理解。

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  • \ 转义符
  • ^ 匹配输入字符串的开始位置
  • $ 匹配输入字符串的结束位置
  • * 匹配前面的子表达式任意次 。 zo*等价于zo{0,}
  • + 匹配前面的子表达式一次或多次。 zo+等价于zo{1,}
  • ? 匹配前面的子表达式零次或一次。zo?等价于zo{0,1}
  • {n} 匹配确定的n次。o{2}等价于oo
  • {n,} 至少匹配n次。o{2,}表示2个o,或者大于2个o
  • {n,m} 匹配n次到m次。o{2,5}表示有2个到5个的o
  • ? 当该字符紧跟在任何一个其他限制符(*,+,?,{n},{n,},{n,m})后面时,尽可能少的匹配所搜索的字符串,例如,对于字符串”oooo”,”o+?”将匹配单个”o”
  • . 匹配除”\r\n”之外的任何单个字符,要匹配包括”\r\n”在内的任何字符,请使用像”[\s\S]”的模式。
  • x|y 匹配x或y “z|food”能匹配”z”或”food”或”zood”
  • [xyz] 匹配所包含的任意一个字符 例如,”[abc]”可以匹配”plain”中的”a”。
  • [^xyz] 匹配未包含的任意字符 例如,”[^abc]”可以匹配”plain”中的”plin”。
  • [a-z] 匹配指定范围内的任意字符
  • [^a-z] 匹配任何不在指定范围内的任意字符
  • \b 匹配一个单词边界 例如,”er\b”可以匹配”never”中的”er”,但不能匹配”verb”中的”er”。
  • \B 匹配非单词边界。”er\B”能匹配”verb”中的”er”,但不能匹配”never”中的”er”。
  • \cx 匹配由x指明的控制字符。例如,\cM匹配一个Control-M或回车符。x的值必须为A-Z或a-z之一。否则,将c视为一个原义的“c”字符。
  • \d 匹配一个数字字符。等价于[0-9]。
  • \D 匹配一个非数字字符。等价于[^0-9]。
  • \f 匹配一个换页符。等价于\x0c和\cL。
  • \n 匹配一个换行符。等价于\x0a和\cJ。
  • \r 匹配一个回车符。等价于\x0d和\cM。
  • \s 匹配任何不可见字符,包括空格、制表符、换页符等等。等价于[ \f\n\r\t\v]。
  • \S 匹配任何可见字符。等价于[^ \f\n\r\t\v]。
  • \t 匹配一个制表符。等价于\x09和\cI。
  • \v 匹配一个垂直制表符。等价于\x0b和\cK。
  • \w 匹配包括下划线的任何单词字符。这里的”单词”字符使用Unicode字符集。
  • \W 匹配任何非单词字符。等价于“[^A-Za-z0-9_]”。
  • \< \ > 匹配词(word)的开始(\<)和结束(\ >)。例如正则表达式\< the\ >能够匹配字符串”for the wise”中的”the”,但是不能匹配字符串”otherwise”中的”the”。注意:这个元字符不是所有的软件都支持的。
  • | 将两个匹配条件进行逻辑“或”(Or)运算。
  • (pattern) 匹配 pattern 并捕获该匹配的子表达式。可以使用 $0…$9 属性从结果”匹配”集合中检索捕获的匹配。若要匹配括号字符 ( ),请使用”\(“或者”\)”
  • (?:pattern) 执行正向预测先行搜索的子表达式,该表达式匹配处于匹配 pattern 的字符串的起始点的字符串。它是一个非捕获匹配,即不能捕获供以后使用的匹配。例如,”Windows (?=95|98|NT|2000)” 匹配”Windows 2000”中的”Windows”,但不匹配”Windows 3.1”中的”Windows”。预测先行不占用字符,即发生匹配后,下一匹配的搜索紧随上一匹配之后,而不是在组成预测先行的字符后。
  • (?!pattern) 执行反向预测先行搜索的子表达式,该表达式匹配不处于匹配 pattern 的字符串的起始点的搜索字符串。它是一个非捕获匹配,即不能捕获供以后使用的匹配。例如,”Windows (?!95|98|NT|2000)” 匹配”Windows 3.1”中的 “Windows”,但不匹配”Windows 2000”中的”Windows”。预测先行不占用字符,即发生匹配后,下一匹配的搜索紧随上一匹配之后,而不是在组成预测先行的字符后.

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资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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