FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM):快速翻页动态存储器。
　　若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM):扩展数据输出动态存储器.
　　EDO的读取方式，缩短了等待输出地址的时间；它不必等数据读写操作完成，只要有效时间一到就可输出下一个地址，从而提高了工作效率。

SDRAM（Synchronous DRAM）：同步动态存储器。
　　
　　SDRAM可以与CPU列频同步工作，无等待周期，减少数据传输延迟。FPM DRAM每隔3个时钟周期开始传输，EDO DRAM每隔2个时钟周期开始传输。

RDRAM（Rambus DRAM）：总线式动态随机存储器。
　　是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术，它的数据传输率最高可达800MHZ，而它的总线宽度却远远小于现在的SDRAM。

DDR：(Double Data Rate SDRAM)： 双数据输出同步动态存储器。
　　DDR SDRAM 从理论上来讲，可以提升RAM的速度，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。

parity：奇偶校验。
　　在每个字节（Byte）上加一个数据位（ Bit）对数据进行检查的一种方式。奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。

ECC：（Error Correcting Code） 错误更正码。
　　ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节
使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit.