BZOJ4237 : 稻草人

本文介绍一种利用分治和Treap数据结构解决特定几何问题的方法:计算平面上不相交矩形的数量。通过对点按x坐标排序并采用分治策略,将问题分解为左右两部分,再通过Treap维护区间信息,最终达到$O(nlog^2n)$的时间复杂度。

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考虑按x坐标排序后分治,只需考虑计算左下角在[l,mid],右上角在[mid+1,r]的矩形数。

对于[l,mid]的点,从右往左考虑,求出它可以贡献到的纵坐标区间。

对于[mid+1,r]的点,从左往右考虑,求出它可以接受的纵坐标区间。

然后扫描线+Treap维护即可,时间复杂度$O(n\log^2n)$。

 

#include<cstdio>
#include<cstdlib>
#include<algorithm>
#define N 100010
using std::sort;
int n;long long ans;
struct P{int x,y;P(){}P(int _x,int _y){x=_x,y=_y;}}a[N<<1],b[N],c[N];
inline bool cmp(const P&a,const P&b){return a.x<b.x;}
inline bool cmp2(const P&a,const P&b){return a.y>b.y;}
inline void read(int&a){char c;while(!(((c=getchar())>='0')&&(c<='9')));a=c-'0';while(((c=getchar())>='0')&&(c<='9'))(a*=10)+=c-'0';}
struct node{
  int val,sum,p;node*l,*r;
  node(){val=sum=p=0;l=r=NULL;}
  inline void up(){sum=l->sum+r->sum+1;}
}*blank=new(node),*T,pool[N*3],*cur;
inline void Rotatel(node*&x){node*y=x->r;x->r=y->l;x->up();y->l=x;y->up();x=y;}
inline void Rotater(node*&x){node*y=x->l;x->l=y->r;x->up();y->r=x;y->up();x=y;}
void Ins(node*&x,int y){
  if(x==blank){x=cur++;x->val=y;x->l=x->r=blank;x->sum=1;x->p=std::rand();return;}
  x->sum++;
  if(y<x->val){
    Ins(x->l,y);
    if(x->l->p>x->p)Rotater(x);
  }else{
    Ins(x->r,y);
    if(x->r->p>x->p)Rotatel(x);
  }
}
inline int Pre(node*x,int y){
  int t=-1;
  while(x!=blank)if(y<x->val)x=x->l;else t=x->val,x=x->r;
  return t+1;
}
inline int Nxt(node*x,int y){
  int t=1000000001;
  while(x!=blank)if(y<x->val)t=x->val,x=x->l;else x=x->r;
  return t-1;
}
inline int Ask(node*x,int y){
  int t=0;
  while(x!=blank)if(y<x->val)x=x->l;else t+=x->l->sum+1,x=x->r;
  return t;
}
void solve(int l,int r){
  if(l==r)return;
  int mid=(l+r)>>1,i,j,m1=0,m2=0;
  solve(l,mid),solve(mid+1,r);
  for(cur=pool,T=blank,i=mid;i>=l;i--)b[m1++]=P(a[i].y,Nxt(T,a[i].y)),Ins(T,a[i].y);
  for(T=blank,i=mid+1;i<=r;i++)c[m2++]=P(Pre(T,a[i].y),a[i].y),Ins(T,a[i].y);
  sort(b,b+m1,cmp2),sort(c,c+m2,cmp2);
  for(T=blank,i=j=0;i<m2;i++){
    while(j<m1&&b[j].y>=c[i].y)Ins(T,b[j++].x);
    ans+=Ask(T,c[i].y)-Ask(T,c[i].x-1);
  }
}
int main(){
  blank->l=blank->r=blank;
  read(n);
  for(int i=1;i<=n;i++)read(a[i].x),read(a[i].y);
  sort(a+1,a+n+1,cmp);
  solve(1,n);
  return printf("%lld",ans),0;
}

  

转载于:https://www.cnblogs.com/clrs97/p/4738228.html

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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