存储管理器实验——SDRAM

本文介绍2440处理器通过NAND闪存启动,并从SDRAM中加载和运行程序的方法。该过程涉及将初始4KB数据加载到内部SRAM,随后从SDRAM读取LED程序。实验还探讨了SDRAM与SRAM读取速度的对比。

序言:2440有nand和nor两种启动方式,在裸机部分,都是使用的nand启动。

现在,我们想在nand flash启动的时候,通过SRAM访问存储在外设SDRAM中的程序。

nand启动,先把前4K数据加载到内部SRAM,再从SDRAM读取LED程序。

这个实验需要熟悉芯片手册,这里不是重点研究对象,因为就基础学习而言太耗时间。主要在启动文件的汇编上,熟悉GNU汇编的伪指令,对常用指令做好笔记,方便查阅。

2440的存储器有0-7个BANK,其中只有6和7可以支持SDRAM。实验采用BANK6,地址对应0X30000000。通过实验可以看出SDRAM读取速度低于SRAM,同样的延时闪烁程序,SDRAM更慢。

这个实验主要是对2440寄存器和SDRAM芯片的熟悉,韦老师放在这里我觉得目前意义不大,只用了解即可,因为查看芯片手册真是个体力活,不是技术活。

转载于:https://www.cnblogs.com/yangguang-it/p/6784679.html

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