- 博客(6)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 【AC功率循环解读】
摘要：本文介绍了AC交流功率循环系统的设计与控制方法。系统采用高压钳位探头进行信号采集，通过深度学习算法生成可运行的硬件电路。详细阐述了交流功率循环的运行原理和闭环控制策略，并展示了系统各功能模块的设计方案。系统通过多模块协同工作实现稳定的功率循环控制，为交流功率管理提供了有效的解决方案。文中配有多个电路原理图和控制框图，直观呈现了系统架构和关键技术点。
2025-07-22 17:07:47
161
1原创 鸿蒙OS应用（HarmonyOS Application）开发常见示例源码
https://my.oschina.net/herryzhang/blog/4761061
2020-12-02 16:12:05
3181
这篇文章详细介绍了功率器件模块（尤其是IGBT模块）在温度应力下的功率循环测试方法及其对可靠性评估的重要性 以下是主要内容的总结：
内容概要：本文详细介绍了功率循环测试方法用于评估功率器件模块在温度应力下的可靠性。文中首先概述了标准功率IGBT模块的主要失效机制及其退化指标，随后讨论了几种典型的功率循环测试电路（包括传统的直流功率循环测试电路、带有饱和模式的直流功率循环测试电路以及接近实际转换器应用的交流功率循环测试电路）。文章还探讨了不同测试电路的优缺点，并介绍了用于监测功率器件模块磨损状况的集电极-发射极导通电压（VCE ON）和正向电压（VF）的测量技术，包括离线和在线测量方法。此外，针对功率循环测试中的结温测量技术进行了综述，比较了直接测量法和间接测量法的特点和适用范围。
适用人群：具备电力电子基础知识的研究人员和技术人员，尤其是从事功率器件可靠性研究与测试的专业人士。
使用场景及目标：①为研究人员提供详细的功率循环测试方法及其实现方案；②帮助技术人员选择合适的测试电路和测量技术，以评估功率器件模块在温度应力下的可靠性；③为设计高可靠性的电力电子系统提供参考依据。
其他说明：本文不仅涵盖了功率循环测试的基本原理和方法，还深入探讨了各种测试技术和测量方法的具体实现细节。这对于希望深入了解功率器件可靠性评估方法的研究人员和技术人员具有重要参考价值。文中引用了大量文献，为读者提供了进一步研究的方向。
2025-07-22
【人工智能应用】185个全球AI应用场景案例解析：涵盖六大领域170多家公司组织的实践与创新介绍了185
类似行业分析报告400+，免费下载链接：https://www.aliyundrive.com/s/T6QBDVN3N69
内容概要：本文介绍了185个真实AI应用场景案例，涵盖六大领域（客户服务、员工赋能、数据分析、创意制作、代码开发、网络安全），涉及全球170多个公司和组织。案例展示了AI在不同行业的应用，如大型科技公司、传统行业巨头、金融机构、零售商、医疗保健组织、媒体和娱乐公司、初创公司、政府机构和非营利组织。重点在于AI如何通过智能聊天机器人、个性化推荐、临床决策支持、数据分析、代码生成、内容创作等手段提高效率、降低成本、改善用户体验和增强安全性。客户服务和员工赋能占比最高，分别占30%和25%。;
适合人群：对AI技术及其实际应用感兴趣的各界人士，包括但不限于企业决策者、技术人员、市场营销人员、创业者、研究人员和政策制定者。;
使用场景及目标：①了解AI在各行业的具体应用场景和实现方式；②探索AI如何帮助企业提高运营效率和服务质量；③研究AI技术如何赋能员工、优化工作流程、提升创新能力；④评估AI在数据安全和网络安全中的作用；⑤借鉴成功案例，推动自身业务的数字化转型。;
其他说明：本文不仅提供了丰富的案例分析，还展示了AI技术的多样性和广泛适用性，强调了AI在不同领域中的潜力和价值。读者可以通过这些案例获得启发，思考如何将AI应用于自身的业务场景中。
2025-07-18
### 【汽车操作系统】理想星环OS技术架构白皮书：智能汽车操作系统的关键技术创新与应用
内容概要：本文介绍了理想星环OS的技术架构及其在智能汽车领域的应用。星环OS是专为AI智能化业务设计的整车操作系统，涵盖通信中间件、智能车控OS、智能驾驶OS和虚拟化引擎四大核心模块。通信中间件实现车内高效、可靠通信；智能车控OS确保车辆控制的高实时性和安全性；智能驾驶OS提供低时延图像预处理和定制化的Linux内核；虚拟化引擎则支持多域业务的并发运行。此外，星环OS还具备完善的信息安全体系，涵盖数据加密、系统完整性保护、身份认证与权限管理和可信执行环境。文中还展示了传感器跨域共享、AEB/AES快速反应和通信链路安全防护等创新场景案例。最后，星环OS计划于2025年4月底逐步开源，旨在促进行业合作和生态共建。
适用人群：汽车行业从业者、智能汽车研发人员、操作系统开发工程师、安全专家及相关领域研究人员。
使用场景及目标：①研究智能汽车操作系统架构和技术实现；②开发和优化智能汽车控制系统和驾驶辅助系统；③构建安全可靠的车内通信和数据传输机制；④探索智能汽车领域的创新应用场景和技术挑战。
其他说明：星环OS不仅为智能汽车提供了高性能、高安全、高效率的核心支撑，还为未来空间机器人的发展奠定了坚实基础。通过开源计划，星环OS希望吸引更多合作伙伴加入，共同推动智能汽车行业的进步。
2025-07-18
### 用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法
内容概要：本文档详细介绍了用于硬开关电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻的测试方法。文档涵盖了测试的范围、规范性引用文件、术语定义、测试原理、测试条件、测试装置、测试程序、数据记录和处理以及试验报告等内容。测试方法适用于GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估，特别关注在硬开关条件下的动态导通电阻问题，确保其变化量控制在一定范围内，以保障电力电子系统的稳定性和性能。
适合人群：从事电力电子领域研究和开发的专业技术人员，特别是那些专注于GaN HEMT器件的研究人员和工程师。
使用场景及目标：①评估GaN HEMT在硬开关条件下的动态导通电阻变化，确保其在实际应用中的稳定性；②指导GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估；③为设计和优化电力电子系统提供科学依据。
其他说明：此测试方法不仅适用于晶圆级和封装级器件产品测试，还强调了在测试过程中对器件热特性的考虑，以减少自热效应对测试结果的影响。此外，文档提供了详细的测试流程和波形图，便于操作人员理解和执行测试。
2025-07-18
### 【第三代半导体】碳化硅MOSFET结壳热阻瞬态双界面测试方法：器件热性能评估与优化
内容概要：本文档详细介绍了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法。该标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，旨在规范SiC MOSFET的热阻测试流程，确保其在高温环境下的可靠性和性能。文档涵盖了测试范围、规范性引用文件、术语定义、所需仪器设备、环境与人员要求、测试步骤、数据处理方法以及最终热阻结果的确定。测试步骤包括测试原理、偏置电压测试、K线测试与标定、结壳热阻测试及测试数据处理。通过该方法，可以准确测定SiC MOSFET器件的结壳热阻，为器件的热设计与优化提供依据。
适用人群：从事SiC MOSFET研究、开发、生产和质量检测的专业技术人员；对半导体器件热管理感兴趣的科研人员。
使用场景及目标：①在SiC MOSFET的研发阶段，评估器件的热性能，优化设计；②在生产过程中，确保每批次产品的热阻符合标准要求；③在质量检测环节，验证产品是否满足设计规格，保证其可靠性。
其他说明：此标准不仅提供了详细的测试方法，还引用了多个国内外相关标准和技术规范，确保测试的科学性和权威性。此外，文档特别强调了测试环境和人员的要求，确保测试结果的准确性。建议使用者仔细阅读文档中的每一个步骤，并严格按照规定的条件和方法进行测试，以获得可靠的测试结果。
2025-07-18
【车规级半导体功率器件】车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范：涵盖电性能、环境应力及质量一致性检验要求
内容概要：本文档为《车规级智能功率模块（IPM）测试认证规范》，由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，旨在规定车规级智能功率模块（IPM）的测试认证要求。文档详细列出了测试认证的范围、规范性引用文件、术语定义、符号缩略语、通用要求、检验方法等内容。特别强调了鉴定检验和质量一致性检验的具体流程和标准，包括电性能测试、外观检查、保护功能测试、稳态热阻测试、键合强度测试、互连层测试、环境应力和寿命试验等。此外，还提供了IPM电性能最低测试要求项的规范性附录。
适用人群：从事汽车电子产品研发、生产和质量检测的工程师和技术人员，以及相关标准制定和认证的专业人士。
使用场景及目标：①确保车规级智能功率模块（IPM）在汽车应用中的可靠性和性能；②为制造商提供统一的测试认证标准，保障产品质量的一致性和稳定性；③帮助用户了解IPM模块的关键性能指标和测试要求，指导实际应用中的选型和使用。
其他说明：该标准自2021年12月1日起实施，版权归第三代半导体产业技术创新战略联盟所有。文档中引用了多个国内外标准和技术规范，确保了标准的权威性和科学性。同时，文档明确了不同测试项目的具体方法和条件，为实际操作提供了详细的指导。
2025-07-18
### Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法标准
内容概要：本文档是关于Sub-6GHz GaN射频器件微波特性测试方法的团体标准，旨在为5G基站中广泛应用的Sub-6GHz GaN射频器件提供详细的测试指南。文档涵盖了测试的目的、测试框图、测试原理、测试程序及规定条件，涉及夹断电压、栅-源泄漏电流、栅-漏泄漏电流、源-漏泄漏电流、栅-源二极管正向导通电压、额定增益、饱和功率和额定效率等关键参数的测试方法。此外，还提供了测试仪器的选择标准、测试环境要求及测试结果记录的格式。
适合人群：从事射频器件研发、生产和测试的工程师和技术人员。
使用场景及目标：①为研发和生产过程中提供准确的测试方法，确保器件性能符合设计要求；②为量产测试提供标准化流程，提高测试效率和一致性；③帮助技术人员理解和掌握GaN射频器件的关键性能指标及其测试方法。
其他说明：此标准由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会制定发布，适用于共源组成的GaN射频器件的测试分析及质量评价。文档强调了测试环境和仪器的严格要求，确保测试结果的准确性和可靠性。同时，文档还提供了详细的测试框图和步骤，便于操作和实施。
2025-07-18
【第三代半导体】Sub-6GHz GaN射频器件可靠性筛选和验收方法：提升5G系统质量与稳定性
内容概要：本文档是关于Sub-6GHz GaN射频器件的可靠性筛选和验收方法的团体标准，由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布。主要内容包括筛选和验收两个方面。筛选部分详细规定了筛选原则、环境条件、操作人员要求、仪器设备管理、记录保存、不合格品率等，并列出具体的筛选项目和方法，如内部目检、电参数测试、温度循环、密封性检查等。验收部分明确了验收分类（使用方验收和承制方代验）、验收人员要求、仪器设备和测试方法、贮存期要求以及验收报告内容。此外，还规定了详细的验收程序，包括质量管理情况审查、质量文件审查、器件质量检查和其他特殊质量检查。
适用人群：从事Sub-6GHz GaN射频器件生产和测试的技术人员、质量管理人员及相关领域的研究人员。
使用场景及目标：①确保Sub-6GHz GaN射频器件在5G通信系统中的可靠性和稳定性；②为生产厂商提供详细的筛选和验收指导，以提高产品质量；③帮助采购方验证器件是否符合合同和技术协议的要求。
其他说明：该标准文件强调了筛选和验收过程中数据记录的完整性和准确性，要求操作人员具备专业技能并经过培训。同时，文件还规定了在特定情况下如何处理不合格品，以避免批次性失效对系统造成的影响。此外，验收时需特别关注器件的包装质量、外观和电参数，确保其符合相关标准和要求。
2025-07-18
### 【第三代半导体】SiC MOSFET阈值电压测试方法：标准流程与关键技术解析
内容概要：本文档详细描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压的测试方法，旨在为用户提供准确可靠的测试手段。文档涵盖了三种测试方法：双电压源扫描法、单电压源扫描法和电流源法。每种方法都包括详细的电路图、电路说明、测试步骤和规定条件。此外，还提供了常见导通电阻RDS(on)与阈值电流Ith的推荐表，以及阈值电压测试记录表示例。这些内容有助于确保SiC MOSFET在不同应用场景下的性能评估和技术状态评价。
适合人群：从事电力电子、半导体测试与应用领域的工程师和技术人员，特别是那些需要对SiC MOSFET进行性能评估和质量控制的专业人士。
使用场景及目标：①用于SiC MOSFET的入厂检验、出厂标定和第三方检测；②帮助用户在高压、高频、高温环境下准确测试SiC MOSFET的阈值电压，确保其在电动汽车、光伏、储能、充电桩、航空航天等领域的可靠应用。
其他说明：文档由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，确保了其权威性和专业性。测试过程中需要注意环境温度、栅极预偏置电压、时间和扫描方向等关键参数，以保证测试结果的准确性。同时，文档提供了详细的测试步骤和电路图，便于实际操作和应用。
2025-07-18
### 【第三代半导体】p沟道IGBT器件用4H-SiC外延晶片标准：材料特性、检测方法及应用要求p沟道绝缘
内容概要：本文档由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，详细规定了p沟道IGBT器件用4H碳化硅（4H-SiC）外延晶片的技术标准。文档涵盖范围、术语定义、分类标记、具体要求（如衬底、表面缺陷、表面粗糙度、外延层厚度均匀性、掺杂浓度均匀性）、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等方面。针对不同直径（4英寸和6英寸）、不同质量等级（工业级和研究级）、不同外延膜厚度的外延片，文档制定了严格的检测标准和方法。此外，文档还提供了详细的检测流程和计算公式，确保检测结果的准确性和可靠性。
适用人群：从事半导体材料研究、生产和质量检测的专业技术人员，尤其是专注于碳化硅外延片及其在IGBT器件中应用的科研人员和工程师。
使用场景及目标：①为p沟道IGBT器件的研发和生产提供技术依据，确保外延片的质量符合行业标准；②指导实验室和生产线上的质量控制，确保产品的稳定性和可靠性；③为相关领域的科研人员提供参考，促进技术创新和发展。
其他说明：文档由多家权威机构共同起草，具有较高的权威性和实用性。文档不仅规定了具体的检测标准，还提供了详细的检测方法和计算公式，确保检测过程的科学性和严谨性。建议在实际操作中严格按照文档要求进行检测，并结合实际情况进行调整和优化。
2025-07-18
【第三代半导体材料】GaN中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测标准：氮化镓材料高精度分析方法
内容概要：本文档是关于氮化镓（GaN）材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱（SIMS）检测方法的标准文件。该标准由第三代半导体产业技术创新战略联盟发布，详细规定了使用SIMS检测GaN材料中硅、铝、锌、铁等痕量杂质浓度及分布的方法。文中介绍了方法原理、干扰因素、所需仪器及设备、试样准备、操作步骤、结果计算以及重复性和准确度的要求。通过高真空条件下的离子轰击和二次离子的选择性分离，实现对痕量杂质的高精度定量分析。
适合人群：从事半导体材料研究、检测的专业技术人员，以及相关领域的科研人员和工程师。
使用场景及目标：①用于氮化镓材料中硅、铝、锌、铁等痕量杂质浓度及分布的高精度检测；②确保检测结果的准确性和重复性，为半导体材料的质量控制提供依据；③支持第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用。
其他说明：该标准填补了国内在这一领域的空白，对推动第三代半导体材料的发展具有重要意义。标准中详细描述了从样品准备到最终结果报告的每一步骤，确保检测过程的规范化和标准化。此外，标准还强调了可能影响检测结果的干扰因素，并提供了相应的应对措施。
2025-07-18
华为安全C库函数代码 securec.zip
循C11 Annex K (Bounds-checking interfaces)的标准，选取并实现了常见的内存/字符串操作类的函数，如memcpy_s、strcpy_s等函数。
未来将分析C11 Annex K中的其他标准函数，如果有必要，将在该组织中实现。
处理边界检查函数
2022-10-05
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人