怎么深层次的学习编程

     人在经历过一些事情后,总会习惯记得自己的感觉和心得。我也不例外,毕业两年多,在职场摸爬滚打着,在代码的海洋中来回游荡着,对此有一些感受一一说下!

   1、当初选择IT,进入编程的大军中,一直以来,就梦想成为某一方面的技术大牛,但是两年过去了,自己感觉没有什么提高,技术还是不过硬,虽然能满足日常的工作需要,但是自己的心理清楚,自己到底有多深多浅,有时还怀疑自己的能力,认为自己不行,只能对那些牛人们羡慕嫉妒,没有狠,怎么提高自己的技术,是需要自己尽快摸索出一条道路。尽快上道!于是我想到的工作之余通过学习来充电!于是引出下面一条。


2、想提高自己的技术,想扩展自己的知识面,平时自己也制定很多的学习计划,问题又来了,每次制定的学习计划,为什么坚持不下来呢,总会半路夭折,自己学的知识因为缺乏实践的验证,所以当时有印象,过后就慢慢遗忘了。怎么让自己的学习有效果,有效率,通过学习提高自己是另一个需要尽快找到的解决的办法


3、现在我认为,我应该每天写点东西,记录自己的学习过程,每天进步一点点,这样说不定就能坚持下来!所以今天就利用网络的便利,让自己养成每天写点东西的习惯,慢慢就可以不经意的坚持下来


坚持,自己的潜力是无限的!相信自己!加油!为了自己美好的明天!

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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