NSString

voidcaseTest(){   

//定义一个字符串  

NSString *st =@"GuangDong";  

//字符串全部大写  

NSString *a = [st  uppercaseString];   

// 字符串全部小写 

  NSString *a1 = [st  lowercaseString];   

// 首字母大写  

NSString *a2 = [st  capitalizedString];   

   NSRange range =NSMakeRange(2, 3);

   //按范围截取字符串 

  NSString *str1 = [st  substringWithRange:range];  

//从索引处开始之后截取字符串到结尾(注意:索引是从0开始的) 

NSString *str2 = [st  substringFromIndex:2]; 

  //截取字符串到索引处 (注意:索引是从0开始的)

NSString *str3 = [st  substringToIndex:3];  

    NSLog(@"str1:%@",str1); 

  NSLog(@"str2:%@str3:%@",str2,str3);

  NSLog(@"a:%@\n  a1:%@\n a2:%@",a,a1,a2);

   }

void compare() {     

// 检测两个字符串的内容是否相同 

BOOL result = [@"namm"isEqualToString:@"name"];  

NSLog(@"%hhd",result); 

 //字符串比较  

NSComparisonResult result2 = [@"abc"compare:@"abc"];   

   if (result2 == NSOrderedSame){     

 NSLog(@"两个字符串相等");  

        }else if (

result2 ==NSOrderedAscending){      

NSLog(@"右边 >左边"); 

  }else if (result2 ==NSOrderedDescending){ 

     NSLog(@"左边 >右边");   } 

   }

// 字符串收索

voidsearch(){ 

 NSString *str =@"1234545.txt";   

//前缀    

NSLog(@"是否以12开头:%hhd",[str  hasPrefix:@"12"]);

   // 后缀

  NSLog(@"是否以txt结尾:%hhd",[strhasSuffix:@"txt"]); 

  // 字符串@"234"的范围

   NSRange range =[str rangeOfString:@"234"]; 

  if (range.location == NSNotFound){      

NSLog(@"不能找到"); 

  }else{   

   //结构体类型的范围,转换成字符串输出

  NSLog(@"range:%@",NSStringFromRange(range));

  }  

//从末尾部分开始选择  

range = [str rangeOfString:@"45"options:NSBackwardsSearch];

  NSLog(@"%@",NSStringFromRange(range));


}


void stringCreate(){    

//  预先分配空间 NSMutableString *str = [[NSMutableString alloc]initWithCapacity:10];  

[strsetString:@"134"];  

[str appendString:@"5"]; 

  [str appendFormat:@"age is %d andgender is %f",24,35.34]; 

  NSRange range = [strrangeOfString:@"age"];  

//替换范围内的字符串内容  

[str replaceCharactersInRange:rangewithString:@"number"];

   //插入字符串在索引处   

[str insertString:@"abc"atIndex:3]; 

  //删除字符串在范围内 

  [strdeleteCharactersInRange:range];    

 NSLog(@"%@",str); 

  [str release];

}



void arrayCreate(){ 

  // 创建一个空数组

   NSArray *array =[NSArray array]; 

  //创建有一个元素的数组  

array = [NSArray arrayWithObject:@"123"];

   //创建有多个元素的数组  

array = [NSArray arrayWithObjects:@"nishi",@"shenm ",nil];

   //数组中元素个数  

NSInteger count = [array count];

  NSLog(@"%ld",count);}

int main(int argc, const char * argv[]){  

@autoreleasepool{    

//调用方法    

  caseTest();     

 compare();   

  search();    

  stringCreate();  

 
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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