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下图是波长为1550nm时，顶层硅厚度为220nm宽为500nm的条形波导（一种平板波导的变体，核心区被设计成窄条形状，两侧和底部被低折射率的包层包围）的基模场模拟分布图：其场和能量被严格限制在波导内容。注意，在某些类型的绝缘体上硅（SOI）技术中，为了隔离顶层硅的应力，更好的热绝缘以及更好的电气隔离性能，顶层硅也是被氧化物完全包围的，并且可以允许在波导上方进行金属互联。硅衬底，有的地方也叫硅基底，它这是传统的硅晶片，是整个结构的基础，典型的8 inch的SOI晶圆其衬底的厚度为 725 μm。