硬件电路设计基础：快恢复二极管与肖特基二极管的区别

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 多用于强电场和。 快恢复二极管FRD(Fast Recovery Diode)具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点.超快恢复二极管SRD(Superfast Recovery Diode),则是在快恢复二极管基础上发展而成的,其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标.它们可广泛用于开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间断电源(UPS)、交流电动机变频调速(VVVF)、高频加热等装置中,作高频、大电流的续流二极管或整流管,是极有发展前途的电力、电子半导体器件. 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片.由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压.快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏.超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒. 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。比如BAT54的恢复时间在5ns以内。通常用在通信电路中对电路进行保护，可以对电源与地之间串接两个肖特基二极管，而高速有用信号则从中间穿过，这样能保证输入输出信号在0-VCC之间而不会损害电路。很显然如果使用普通二极管在发生瞬间的电压高于VCC后由于普通二极管的恢复时间较长，将会影响通信的稳定性。 肖特基的主要特点是:正向压降低,恢复时间更快,但缺点是反向耐压低.