FLASHDB使用

本文分享了在使用FlashDB时遇到的三个关键点:1)合理分配空间以减少初始化时间;2)初始化时序数据库时宏命名需保持一致;3)调整最大长度以避免断言错误。

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简介:在使用flashdb管理数据时出现一些比较有意思的点分享一下。

1 初始化时间和分配空间相关。

        在对时序数据库和键值数据库进行配置的时候,博主用的时一块8M的外部flash来管理相关的数据。划分成了很多段来管理。在分配时如果每个空间给到的内存空间太大,比如任意一个给个1M的空间,初始化时间会很长。影响启动的效率。

2 初始化命名要跟宏那边一致

同上,在初始化时序数据库和键值数据库的时候宏要保持一致。不然会导致

Error: Partition (%s) not found.

3 使用时序数据库的时候最大长度一般都是写成固定的长度

如果这个长度不够长会导致进入断言has assert failed at tsl_append.blob->size <= db->max_len.

MAX_LOG_LEN 可自定义写长一点。

<think>好的,现在用户问的是如何使用FlashDB。我需要先回顾之前的对话历史,确保回答的一致性。用户之前提到在高频写入场景下,推荐的库可能不合适,所以我之前推荐了外部存储器和一些优化策略,其中提到了FlashDB作为支持磨损均衡的开源库。 现在用户直接询问FlashDB使用方法,我需要详细解释如何集成和使用这个库。首先,我应该介绍FlashDB的基本概念,比如它是一个嵌入式数据库,支持KV存储和磨损均衡,适合Flash存储。然后,分步骤说明如何移植到STM32或者其他MCU上,包括添加源码、配置、初始化等。 接下来,用户可能需要具体的代码示例,所以需要提供一个简单的例子,展示初始化、设置默认扇区、初始化数据库、基本的读写操作。这部分要确保代码简洁,关键步骤有注释,方便用户理解。 另外,用户可能在实际使用中遇到问题,比如配置错误或者数据读取失败,所以我需要包含一些高级配置选项和常见问题的解决方法。比如配置扇区大小、擦写函数、环境抽象等。同时,要提醒用户注意数据对齐、擦除保护、电源稳定性等关键点。 还要考虑用户可能的场景,比如他们是否在特定的硬件平台上使用,是否有特殊的数据类型需求。因此,建议中提到支持多种数据格式和索引模式,并引导用户根据具体需求调整配置。 最后,需要保持回答的结构清晰,分步骤讲解,使用代码块和列表来提高可读性。同时,确保语言口语化,避免使用过于技术化的术语,但必要的术语还是需要准确使用。检查是否有遗漏的重要信息,比如如何移植FlashDB到项目中的步骤,或者如何处理多扇区的磨损均衡。</think>以下是 **FlashDB** 的使用指南,涵盖基本配置、数据读写和关键注意事项,适用于 STM32 等嵌入式平台。 --- ### **1. FlashDB 简介** - **核心功能**:轻量级嵌入式数据库,支持 **键值存储(KV)** 和 **时序数据(TSDB)**,内置 **磨损均衡(Wear Leveling)** 算法,适合 Flash 存储场景。 - **优势**: - 自动分散写入到不同扇区,延长 Flash 寿命。 - 断电保护机制,确保数据一致性。 - 低内存占用(RAM 需求可低至 1KB 以下)。 --- ### **2. 移植 FlashDB 到 STM32** #### **步骤 1:添加源码到工程** - 从 GitHub 克隆源码: ```bash git clone https://github.com/armink/FlashDB ``` - 将以下目录添加到工程中: ``` FlashDB/src FlashDB/ports ``` #### **步骤 2:配置 Flash 参数** 修改 `fdb_port.c`(或自定义移植文件),定义 Flash 操作函数和参数: ```c #include "fdb.h" // 定义 Flash 的起始地址、扇区大小、总大小(根据实际硬件调整) #define FLASH_START_ADDR 0x080E0000 // Flash 末端的 128KB 扇区 #define FLASH_SECTOR_SIZE 0x20000 // 128KB 扇区 #define FLASH_TOTAL_SIZE 0x20000 // 总大小 128KB // 实现 Flash 操作函数(需对接 HAL 库) static int flash_read(fdb_flash_t flash, uint32_t addr, void *buf, size_t size) { memcpy(buf, (void*)(FLASH_START_ADDR + addr), size); return 0; } static int flash_erase(fdb_flash_t flash, uint32_t addr, size_t size) { HAL_FLASH_Unlock(); FLASH_EraseInitTypeDef erase; erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS; erase.Sector = (addr + FLASH_START_ADDR - FLASH_BASE) / FLASH_SECTOR_SIZE; erase.NbSectors = 1; uint32_t sector_error; HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &sector_error); HAL_FLASH_Lock(); return 0; } static int flash_write(fdb_flash_t flash, uint32_t addr, const void *buf, size_t size) { HAL_FLASH_Unlock(); const uint64_t *data = (uint64_t*)buf; for (size_t i = 0; i < size; i += 8, data++) { HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, FLASH_START_ADDR + addr + i, *data); } HAL_FLASH_Lock(); return 0; } // 注册 Flash 设备 fdb_flash_t flash_dev = { .read = flash_read, .write = flash_write, .erase = flash_erase, .addr = 0, .size = FLASH_TOTAL_SIZE }; ``` --- ### **3. 基本使用示例** #### **初始化数据库** ```c #include "fdb_kvdb.h" // 定义 KV 数据库实例 static fdb_kvdb_t kv_db; void flashdb_init(void) { // 设置默认扇区(磨损均衡需要至少 2 个扇区) struct fdb_default_kv default_kv = { .sector_size = FLASH_SECTOR_SIZE, .addr = FLASH_START_ADDR, .num = 2 // 使用 2 个扇区轮换 }; // 初始化 KV 数据库 fdb_kvdb_control(&kv_db, FDB_KVDB_CTRL_SET_DEFAULT_KV, &default_kv); fdb_kvdb_init(&kv_db, "env", "kv", flash_dev, NULL, NULL); } ``` #### **数据读写操作** ```c // 写入键值对 void write_data(const char* key, const char* value) { fdb_kv_set(&kv_db, key, value); } // 读取键值对 void read_data(const char* key, char* buffer, size_t len) { size_t actual_len; fdb_kv_get(&kv_db, key, buffer, len, &actual_len); } // 示例:保存传感器数据 write_data("sensor_temp", "25.6"); write_data("sensor_humidity", "60%"); // 示例:读取数据 char temp[10]; read_data("sensor_temp", temp, sizeof(temp)); ``` -- ### **4. 高级配置** #### **配置扇区参数** 在 `fdb_port.h` 中定义 Flash 参数: ```c #define FDB_WRITE_GRAN_8BIT // Flash 写入粒度(STM32 通常为 8 字节) #define FDB_KV_USING_CACHE // 启用缓存加速读取 ``` #### **自定义擦写函数** 若使用外部 Flash(如 SPI Flash),需修改擦写函数: ```c // 例如 SPI Flash 的擦除函数 static int spi_flash_erase(fdb_flash_t flash, uint32_t addr, size_t size)
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