当测量精度迈入纳米尺度,当目标物轻薄如蝉翼,当环境洁净如晶圆厂——唯有电容式位移传感器,能以无形的电场之力,捕捉最微小的位移脉动!
在半导体光刻、精密光学、MEMS制造、纳米压印等尖端领域,电容式位移测量技术凭借其无与伦比的分辨率和非接触测量优势,成为精密位移感知的终极武器。它不依赖材料属性,仅凭极板间电场变化,便能实现亚纳米级的位置感知。本文将深入解析这一高精技术的物理本质、核心特性、技术挑战及应用精髓。
一、物理本质:静电力场的精密“标尺”
电容式位移传感器(Capacitive Displacement Sensor)的核心原理基于平行板电容器模型,其工作本质是将极板间距或有效面积的变化,转化为电容值(C)的精确变化。
核心物理公式:
其中:
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C
:电容值(法拉第,F) -
ε₀
:真空介电常数(8.85 × 10⁻¹² F/m) -
εᵣ
:极板间介质的相对介电常数(空气 ≈ 1,其他材料 > 1) -
A
:两极板有效重叠面积(平方米,m²) -
d
:两极板之间的距离(米,m)
位移测量的两种基本模式:
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变间距式 (Variable Distance / Gap Change):
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原理: 被测物体的位移(
Δd
)直接改变其与传感器固定极板之间的距离d
→C ∝ 1/d
。 -
特点:
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灵敏度极高! 电容变化量
ΔC/C ≈ -Δd/d
(小位移近似)。距离d
越小,相同位移Δd
引起的电容相对变化ΔC/C
越大。分辨率可达皮米级 (pm)。 -
非线性严重:
C ∝ 1/d
是双曲线关系。通常仅工作在线性度可接受的小量程(Δd << d₀
,d₀
为初始间距)。
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应用: 微振动测量、超精密位置控制(如原子力显微镜探针)、薄膜厚度测量(对射式)。
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变面积式 (Variable Area / Ov