单片机存储理解

原创于 2017-11-07 16:34:52 发布 · 2.5k 阅读

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本文介绍了单片机内部存储的三个主要区域：RAM、FLASH和EEPROM，并探讨了如何通过将变量存储在不同的存储区域来优化内存使用，特别是在AVR1280单片机上。

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单片机内部存储分为三块

以AVR1280为例，该单片机内部存储有三个部分：

1、内存RAM，运行程序时，将指令和变量拷贝至RAM，运行程序；

2、FLASH，高级的单片机，可将程序存储在此处；

3、EEPROM，一般单片机都将程序存放在此处。

有时候，我们的代码过大，为了避免给RAM造成压力，我们定义数组、变量等可定义存储在EEPROM或者FLASH中，这就给RAM节省了空间。

可以将变量存储于flash为例，可定义变量为：

char __flash test[]="save in flash...";

此时test数组存在于flash中，且test数组值不能更改，相当于常量定义const。

在其他种类单片机中，相应的关键字可能不同于__flash。