本文介绍了华邦W25Q128闪存芯片的操作，包括其256字节的页写入限制、不同级别的擦除指令（扇区、32k块、64k块和芯片整体擦除）以及在执行读、写、擦除操作前需检查总线忙状态。特别是芯片擦除过程中，需在前后检查总线忙以确保操作安全。参考金沙滩STM32资料的lesson6可获取更多详细信息。
以华邦W25Q128为例介绍
1- flash的也大小位256 byte，一次最多写一页大小的数据
2- 写入数据前需要先擦除flash。flash擦除指令有扇区（4k）擦除（20h）；32k块擦除（52h）; 64k块擦除（d8h）； 芯片擦除（60h）
3- 读、写、擦除动作前需要读取总线是否忙；擦除整个芯片要在擦除前后判断总线忙，用于判断是否可以进行擦除、擦除是否完成
具体代码、讲解参考金沙滩stm32资料：lesson6
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