由于nand-flash容易产生位翻转,所以ecc是一般必备的手段,ECC 有很移种有校2bits 的,有校3bits,有校4bits的,4bit的用在MCL工艺的nandflash上。
ECC的共占三个字节,其中22bits是有效的,剩余2bit为1。22bits有效的位中,其中6bits是列校验,16bits是行校验,各位的名字与位置如下图示:
本文介绍了ECC(Error Correction Code)在NAND Flash中的重要性,特别是对于防止位翻转现象。ECC通常有不同校验位数,如2bits到4bits。内容详细阐述了ECC的结构,包括3个字节中22bits的有效校验位,其中6bits用于列校验,16bits用于行校验。接着,文章详细说明了ECC的计算公式,以及如何通过错误定位来校正位翻转,具体涉及到多个位的组合判断,如P1024、P512等,以确定错误发生的字节和具体位。
由于nand-flash容易产生位翻转,所以ecc是一般必备的手段,ECC 有很移种有校2bits 的,有校3bits,有校4bits的,4bit的用在MCL工艺的nandflash上。
ECC的共占三个字节,其中22bits是有效的,剩余2bit为1。22bits有效的位中,其中6bits是列校验,16bits是行校验,各位的名字与位置如下图示:
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