SQL入门

一、为什么使用数据库

1.降低存储数据的冗余度:使用集中式数据库,多个部门可以访问相同的数据,可以减少重复的数据

2.更高的数据一致性:有了中央数据库,可以让专人去负责更新数据库,改动时只需要改动一个就可以了,这样就会很少出现不一致的数据。

3.存储的数据可以共享:如果将中央数据库放在服务器上所有人都可以随时访问不断更新的公用信息

4.可以建立数据库所遵循的标准:对数据的集中式控制确保了能够对数据的表示方法建立特定的标准,并让数据库遵循该标准

5.便于维护数据完整性:“维护数据的完整性”指的是保证数据库中的数据的准确性

6.能够实现数据的安全性:只有拥有一定的权限才能取得浏览数据的权利,称为“数据库管理员”

掌握数据库的相关技术,是程序员必备的技能之一

二、数据在数据库中的存储形式

1.层次模型:这种模型提供一种相对简单的结构,单个记录以父子关系组织在一起,形成一个倒挂的树。

2.网状模型:网状模型通过允许记录有多个父子关系,来增强层次模型。

3.关系模型:关系型模型与层次和网状的呆板结构完全不同。访问层次状数据库的应用程序基于该数据库已定义好的实现,数据库结构必须硬编码到应用程序的编程语言中。

4.对象模型:在使用面向对象技术开发软件,更符合人类的思维习惯因而迅速得带软件开发行业的推崇成为主流的技术

三、关系型数据库的基本概念

1.一对一关系

2.一对多关系

3.多对多关系

四、关系型数据管理系统

1.本地数据库管理系统:本地数据管理系统又称为桌面型数据库管理系统

2.数据库服务器管理系统:在数据库服务器管理系统中,RDBMS和数据库应用程序运行在不同的进程,通常在不同的机器上

SQL语句分类:

数据定义语言(DDL)、数据查询语言(DQL)、数据操作语言(DML)、数据控制语言(DCL)


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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