要学集成电路了,可惜电路,模电学的一团糟,没办法只能从头学。。
结型场效应管的符号箭头都是从P到N的,所以对应右图的示意图。场效应管的源级对应三极管的发射级(e),栅极对应基级(b),漏极对应集电极(c)。场效应管的截止区对应三级管的截止区,恒流区对应饱和区,可变电阻区对应放大区。
当Ugs为反向电压时,电压越大N沟道越小,当N沟道消失时Ugs那时的电压称之为夹断电压(Ugs(off))。这里注意一点Ugs的电压是个负值
我们知道Ugs的电压会影响N沟道的大小,进而影响Id的电流。上图中第一个图在Ugd>Ugs(off)情况下,因为Ugs(off)是负值所以Ugd的电压大小是小于夹断电压的所以不会造成夹断又因为场效应管的d跟s反向连接电路几乎没有太大影响(Ugd可以看做Ugs)(耗尽层不均匀是由于电场强弱的关系)。。当UDD的电压不断增加,D点的电位不断升高。 所以Ugd的电压差实际上不断的再增加,但因为耗尽层的各个点的电位大小不同,形成了这种图像。有因为当该场效应管未完全夹断,当UDD的电压增加Id的电流也随之增大。
上图的第二幅图就容易理解了。
第三幅图的Ugd<Ugs,可以说明D那部分一定处在了夹断,Ugs一定是大于Ugs(off)的。但是UDD的增大,电动势增加想要克服耗尽层的影响,所以导致了Id的电流不会增加了,也就是进入恒流区。也就是说明这个Id的电流大小是收到Ugs(off)的限制。