场效应管理解笔记（N沟道结型场效应管）

要学集成电路了，可惜电路，模电学的一团糟，没办法只能从头学。。

结型场效应管的符号箭头都是从P到N的，所以对应右图的示意图。场效应管的源级对应三极管的发射级（e），栅极对应基级（b），漏极对应集电极（c）。场效应管的截止区对应三级管的截止区，恒流区对应饱和区，可变电阻区对应放大区。

当Ugs为反向电压时，电压越大N沟道越小，当N沟道消失时Ugs那时的电压称之为夹断电压（Ugs（off））。这里注意一点Ugs的电压是个负值

我们知道Ugs的电压会影响N沟道的大小，进而影响Id的电流。上图中第一个图在Ugd>Ugs(off)情况下，因为Ugs（off）是负值所以Ugd的电压大小是小于夹断电压的所以不会造成夹断又因为场效应管的d跟s反向连接电路几乎没有太大影响（Ugd可以看做Ugs）（耗尽层不均匀是由于电场强弱的关系）。。当UDD的电压不断增加，D点的电位不断升高。 所以Ugd的电压差实际上不断的再增加，但因为耗尽层的各个点的电位大小不同，形成了这种图像。有因为当该场效应管未完全夹断，当UDD的电压增加Id的电流也随之增大。
上图的第二幅图就容易理解了。
第三幅图的Ugd<Ugs，可以说明D那部分一定处在了夹断，Ugs一定是大于Ugs（off）的。但是UDD的增大，电动势增加想要克服耗尽层的影响，所以导致了Id的电流不会增加了，也就是进入恒流区。也就是说明这个Id的电流大小是收到Ugs（off）的限制。

根据之前的第三幅图的理解，这幅图就不难理解了，要牢记Id的公式。也要牢记恒流区的条件！！！

根据之前那三幅图的理解，这个输出特性就变得简单了。当Uds不变的情况下，Ugs负电压的增加导致耗尽层不断增加也就导致了Id的减小，而其中的N沟道就等同于一个电阻模型，这个电阻的大小在Uds不变的条件下受到了Ugs负电压的影响也就是图中的可变电阻区。恒流区就是当当Ugd达到了Ugs(off)下，，同时这时的ID也是IDSS。后面Uds不断增加也无法改变Id的电流。截断区就是当Ugs电压小于Ugs（off）下整个N沟道都变成耗尽层了，Id几乎没有。