记录.关于flash的擦除后的值

最新推荐文章于 2025-01-04 11:54:45 发布
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flash在被擦除后，读回的值是1,而不是0。也就是说一个字被擦除后其值是0xFF而不是0x00,这个跟flash的原理有关。

所以这也可以推出：flash无法写入1,只能写入0。要想写入1只能先对flash擦除再写。所以对字寻址的flash都需要一次擦除4个字节然后再写入值，有两个步骤，而不是直接就写入了。

那么知道这个知识对我们有什么帮助：当我们需要操作flash时就能知道需要先擦除再写入。就这样！！！

啊？这...
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STM32嵌入式FLASH擦除与写入
ABCisCOOL的博客
03-23 5043
FLASH的擦除与写入
单片机 flash 擦写（先擦除 后写任意字节）
IT嵌入式小生
08-06 759
很多情况下，我们写扇区病不一定512对齐，甚至有的情况下跨扇区读写，为了满足这个需求，进行判断先擦除再写，并且不影响之前扇区的数据。
SPI[FLASH]扇区擦除后，读出来全都是0的问题解决
swimming628的博客
03-13 4718
原因是没有在扇区擦除的最后加上等待函数和最前面要加上使能函数【注意等待函数的位置，一定要在最后，不然也是报错】 使能函数 /** * @brief 向FLASH发送 写使能 命令 * @param none * @retval none */ void SPI_FLASH_WriteEnable(void) { /* 通讯开始：CS低 */ FLASH_SPI_CS_LOW; /* 发送写使能命令*/ SPI_FLASH_Send_Byte(W25X_Writ...
stm32H7擦除flash显示成功，但是再次读取数值没变问题
slander_1120的博客
01-04 584
问题：HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit, &SectorError) 擦除成功，但是下次读取stmflash_read_word(addrx)!= 0XFFFFFFFF又成立。原因：在STM32H7等高性能芯片中，存在数据缓存（D-Cache）和指令缓存（I-Cache）。在进行Flash操作后，需要确保缓存被正确清除和无效化，以避免读取到缓存中的旧数据。
flash擦除是写成全F
窗前明月光，李白睡得香
03-30 984
Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0，而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1 的过程，块内的所有字节变为 0xFF https://www.cnblogs.com/saulgoodman611/p/10694051.html ...
NAND Flash的基本操作——读、写、擦除
kunkliu的博客
03-15 3万+
转载地址：http://blog.sina.com.cn/s/blog_5c401a150101d7hi.html 基本操作 这里将会简要介绍一下NAND Flash的基本操作在NAND Flash内部是如何进行的，基本操作包括：读、写和擦除。 读: 当我们读取一个存储单元中的数据时（如图2.4），是使用一个门电压Vread（0V）作用于gate端，而没有被读取的存储单元的g...
stm32 Flash 擦除，一直返回错误，问题排查
qq_32509395的博客
06-14 1242
在做 328 ESCL 的 lockTimes 和 unlockTimes 存入 内部Flash 的时候，出现了一个bug。就是上电初始化的时候，第一次读取出来的值，checkSum 通不过，恢复出厂设置，第一次写入 Flash 可以成功，但是后续当 lockTimes 和 unlockTimes 变化的时候，再次存入 Flash 一直擦除失败。后面上网搜了 “FLASH_ERROR_PG” 这个字符串，搜到这篇文章“”，按照文章描述，加上清除标志位，和开关中断，问题解决。
STM32单片机Flash不擦除直写案例分析
热门推荐
m0_64770246的博客
01-17 106万+
在擦除Flash期间，中断是不会被响应的。相当于进入了一个等级很高的中断，这个中断无法被其他可屏蔽中断所中断。而一页（2Kbyte）Flash的擦除时间高达20+ms，对于高速、连续信号采样和处理类应用而言，需要尽可能减少扇区擦除对程序本身运行的影响。本文描述了一种基于STM32单片机Flash不擦除直写的方法。
STM32：Flash擦除与读写操作（HAL库）
电子开发的经验笔记
11-23 3万+
应用平台：STM32F030F4P6 ST官方库：STM32Cube_FW_F0_V1.9.0 背景知识 绝大多数的单片机和微控制器（ARM,x86)，地址空间都是以字节为单位的，也就是说一个地址是一个字节。 Flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1。所以如果原来的地址有数据了，意味着有一些位为0，这些位就相当于无效了。所以必须写之前确保他们都为1，只有擦除才可以。另外每次擦除都
flash擦写规则
baowxz的专栏
02-17 3952
只能由 1 —> 0 写入，不能由 0 —> 1 写入，即如果已经写入过了，则需要先擦除（擦除后数据变为全1）再写入。最小编程（写入）单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte的任意长度字节。最大编程（写入）单位：页（ 256 Byte），大于256 Byte则需要循环写入。示例：0xF0（1111 0000），即高4位可写入，低4位不可写入。未写入时FLASH里面的数据为全1，即0xFF。最小擦除单位：扇区可选择擦除单位：扇区、块、全片。1、常用FLASH擦写规则。
FLASH知识及读写擦除规则
丨晋丨
07-29 2万+
每页 2048 bit 每页 256 Byte 每扇区 16页 每块 16扇区 型号：W25Q80 W25Q16 W25Q32 大小：8M bit 16M bit 32M bit 1M Byte 2M Byte 4M Byte 页 ：4096 8192 16384 扇区：256 ...
flash学习笔记：读写注意事项
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flash学习笔记：读写注意事项 flash写数据是将1写为0，（0不能写为1）。 在已经数据的flash上写入新的数据，必须先擦除原有的数据。 擦除数据是将所有数据都写为1。 擦除flash的时候，必须是整块的擦除。 ...
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一、STM32F429 FLASH总体介绍 双bank架构，容量高达2 Mbytes，支持read-while-write边读边写（RWW） 支持128位宽的数据读取 Byte、half-word、word 、 double word 写入 sector, bank, and mass erase （两个bank） Dual bank memory organization 对于2M产品，一个bank（1 MB）分为4个16 KB的扇区，1个64 KB的扇区和7个128 KB的扇区。 2Mbytes是两个
FLASH知识及读写擦除规则--转载
qq_39887177的博客
05-29 2516
CS：chip select, 芯片使能引脚. CS拉高时, 芯片处理省电模式, 各数据引脚(D0/D1/D2/D3)处理高阻态；CS拉低时芯片工作, 数据引脚可以传输数据。DO：(在CLK下降沿)输出数据或状态. 正常情况下只有DI/DO作为IO引脚, 启用 Quad 模式需要置QE(Quad Enable)位. QE=1时, WP和HOLD分别变为IO2,IO3.WP：低电平有效, 保护状态寄存器不被写入。GND：接地DI：(在CLK上升沿)向 Flash 输入指令, 地址 或 数据.CLK。
Flash相关知识学习记录（以W25Q128为例）
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03-24 6015
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STM32 FLASH读、写、擦除
魏波
05-08 4万+
分享STM32 FLASH 擦除（以及防止误擦除程序代码）、写入作者:黄宾山 来源:本站原创编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本：我用的是3.5.0一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。　　对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程：　　FLASH解锁　　清除相关标志位　　擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业...
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alone_l的博客
05-29 2261
1，SPI简介   SPI(Serial Peripheral Interface)串行外围设备接口通信协议，是Motorola公司提出的一种同步串行接口技术，是一种高速、全双工、同步通信总线；只使用4条线来控制数据传输；常用于EEPROM、Flash、RTC、ADC、DSP以及数字信号解码器上。   SPI通信协议的优点是支持全双工通信，通信方式简单，且相对数据传输速率较快；缺点是没有指定的流控制，没有应答机制确认数据是否接收，在数据可靠性上存在一定缺陷。SPI通信协议一般分为物理层、协议层两部分。 2，
NorFlash和NandFlash
wxywxywxy110的博客
12-16 475
Flash编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写成1.所以在Flash编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是将所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0xFF.因此可以说，编程是将相应位写0的过程，而擦除是将相应位写1的过程，两者的执行过程完全相反.SoC常用外存：一.NorFlash：总线式访问，接到SROM bank，优点是可以直接总线访问，一般用来启动。 NandFlash：（SL
flash的读写和擦除
lin364812726的专栏
01-27 8236
这两天在做norflash，sd的读写操作，记录一下。 flash的特性是，写数据只能将1写为0，0不能写为1.擦除数据是将所有数据都写为1.因此如果想在已经数据的flash上写入新的数据，则必须先擦除。sdcard则没有这个特性，就直接可以写入新的数据。 例： 只列出每个文件的前4个字节，file A是flash的原始数据，接着不擦除数据，直接写入file B, result是写完后n
FLASH读写擦除
最新发布
04-03
### FLASH存储器的读写擦除原理及其实现 #### 1. FLASH存储器的基本概念 FLASH存储器是一种非易失性存储器，能够在断电的情况下仍然保存数据信息。它的典型应用场景包括计算机BIOS、PDA设备以及数码相机中的数据存储等[^1]。 #### 2. 读取操作原理 在FLASH存储器中，读取操作是最简单的操作之一。当需要从某个地址读取数据时，控制器会向该地址发送请求信号，并等待响应。由于FLASH存储器支持随机访问模式，因此可以直接定位到目标单元并返回所需的数据。需要注意的是，虽然读取速度快，但由于硬件设计的原因，某些类型的FLASH可能会存在一定的延迟时间[^3]。 #### 3. 写入操作原理 对于写入操作而言，情况相对复杂些。因为FLASH不允许像传统RAM那样逐位修改比特值，而是采用了一种特殊的机制——即先整体清除后再重新填充新内容的过程称为“编程”。具体来说： - **准备工作**：如果要更新某一小部分内容，则需先把包含这部分在内的整个扇区（Sector/Page）的内容复制出来暂存起来； - **执行删除命令**：接着对该区域发起一次完整的清零动作也就是所谓的“擦除”过程； - **完成实际录入工作**：最后把之前保留下来的信息连同新增加的部分一起送回到原来的位置上覆盖原有记录即可[^2]。 此流程不仅增加了额外开销而且还加速了器件的老化程度故而在频繁改动场合下应考虑采取适当措施来延长使用寿命如实施损耗均衡策略等等。 #### 4. 擦除操作原理 与上述提到的不同之处在于，“擦除”的目的并非仅仅是为了腾出空间以便后续利用那么简单；实际上它是改变内部物理结构从而允许进一步进行有效‘书写’的前提条件。一般来说，一个标准页面或者区块会被设定成全逻辑高态(通常是FFh)，这意味着所有的浮栅晶体管都被充电至接近阈电压之上使得它们处于导通状态直到再次经历相应的加载程序为止[^5]。 值得注意的一点是，尽管现代技术已经极大地提高了每次可承受的最大循环数但仍有限制范围内的最佳实践建议遵循厂商给出的具体指导方针以确保长期可靠性[^4]。 ```c // 示例代码展示如何初始化和控制SPI通信协议下的Flash芯片 void SPI_Flash_Init(void){ // 初始化GPIO端口配置... // 设置波特率以及其他必要参数... } uint8_t Read_Status_Register(){ uint8_t status; // 发送READ_STATUS_REGISTER指令并通过MISO接收反馈结果... return status; } ``` 以上片段仅作为示意用途并未完全体现所有细节部分请参照官方文档获取更详尽描述。 ---
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