DDR3基本概念2 - 上电复位时序

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#ddr3 #ddr3 reset

本文详细解析了复位信号RESET#与时钟使能信号CKE之间的时序要求，包括CKE在RESET#有效期间的稳定性、RESET#释放前后CKE的状态变化时间，以及电源稳定后的RESET#保持时间。特别指出，在RTL设计仿真中，可适当调整reset#时间以加速仿真过程。

复位信号RESET#和时钟使能信号CKE信号之间要求满足以下时序：

对上图中的1, 2, 3和4说明如下：

1）CKE在RESET#有效区间，可以有一段时间不稳定
2）在RESET#释放之前，要求CKE必须在10ns之前稳定为0
3）RESET#释放之后，需要等待500us之后，CKE才可以置为1
4）在电源稳定后，RESET# 需保持至少200us

在ＲＴＬ设计的仿真阶段，200us的reset#时间可能需要很长的仿真时间，为加快仿真在testbenches 中可以考虑缩短至如1us，忽略DDR controller的行为级仿真模型模型报出的200us的最小复位时间要求. 比如：

task reset；//verilog task

begin

    $display("Ignore initial reset period warining during func simulaiton");

    ...

end

endtask

DDR3初始化时间测试 FPGA
2301_79330513的博客
08-07 480
在使用FPGA（Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）进行DDR3初始化时，对其初始化时间进行测试是非常重要的，可以帮助我们了解DDR3初始化的性能，并对系统设计提供参考。总结起来，通过FPGA来测试DDR3的初始化时间是一种非常有效的方法，可以帮助我们评估DDR3初始化性能并进行系统设计优化。在测试DDR3初始化时间时，我们可以使用适当的时钟频率，并在外部触发初始化过程。的值，我们可以得到初始化所需的时钟周期数，从而计算出初始化时间。用于指示初始化是否完成。
Xilinx MicroBlaze软核驱动DDR3
Crazzy_M的博客
03-31 9090
Xilinx MicroBlaze软核驱动DDR3 说明：通过Vivado生成MicroBlaze工程导入SDK实现DDR3的读写。 环境：Vivado2018.3。 IP核：MicroBlaze。 参考手册： pg142： AXI UART Lite v2.0 ug586：7Series_MIS 文章目录1.DDR简介1.1DDR3地址2. MicroBlaze简介3.MicroBlaze设计流程3.2 DDR Block Design 流程4.SDK工程 1.DDR简介 MT41K256M16xx-1
ddr3_reset_n一直复位导致仿真初始化失败
aria啵啵啵的博客
08-02 3501
解决ddr3初始化失败（仿真）的一种办法
LPDDR初始化时序中的电源上电顺序
最新发布
qq_43758449的博客
11-09 341
摘要：LPDDR初始化需严格遵循电源上电时序，依次为VDD1（1.8V/1.2V）、VDD2H（1.8V/1.05V）、VDD2L（1.1V/0.9V）、VDDQ（1.1V/0.5V），各阶段间隔100μs、50μs、30μs，总时长不超过200μs。电源上升斜率需控制在0.2-50V/ms，VDD1/VDD2H上升时间＜1ms，VDD2L/VDDQ＜0.5ms，以确保器件稳定工作。
ddr2的上电顺序_硬件上电顺序
weixin_39830688的博客
12-21 638
工作中第一次感受到上电顺序的重要性还是在罗礼电脑，我那个时候还是一名PE，也就是产品工程师，负责产线的制程分 析改善和不良品维修。有一天早上，刚刚到办公室，生产线就发生了紧急事件，有一个测试工位连续烧了三块主板，这可不得了，那个年代一块Intel- 440BX的主板要买1300块，我那时一个月工资也才1300块啊。Figure 1 被烧毁的南桥芯片我把三块烧毁的板子拿过来分析，发现三块板子的南桥芯...
多核DSP芯片TMS320C6678的DDR3接口设计.pdf
07-26
3. 复位和上电时序：设计时要严格遵守DDR3和TMS320C6678的上电复位时序要求，保证系统在上电时能够正确初始化，避免因时序错误导致的启动失败或数据错误。 4. PCB布线设计：在PCB布线时，要遵循DDR3布线规则，确保...
基于DDR3的串口传图帧缓存系统设计实现
zazazaz1的博客
11-07 2503
FPGA学习笔记
嵌入式电源时序控制困局如何破？CPLD的3种优雅解决方案（实战经验全公开）
在复杂嵌入式系统中，多路电源（如 core、I/O、PLL、DDR 等）需按严格顺序上下电，否则将引发闩锁效应、数据损坏甚至芯片永久损伤。电源时序控制的核心挑战在于**精度、确定性与可重复性**——毫秒级偏差或信号竞争...
DDR4升级指南：如何在嵌入式系统中高效应用JEDEC-DDR4
本文首先概述了DDR4技术及其标准，随后深入探讨了DDR4在嵌入式系统中的兼容性和初始化过程，包括硬件配置和启动时序设置。在此基础上，文章着重分析了DDR4性能调优的方法，包括性能评估工具的使用、内存控制器参数...
资料分享！瑞芯微RK3506（3核A7@1.5GHz+双网口+双CAN-FD）工业核心板硬件说明书
创龙，嵌入式一体化解决方案商
04-25 380
本文为创龙科技SOM-TL3506工业核心板硬件说明书，主要提供SOM-TL3506工业核心板的产品功能特点、技术参数、引脚定义等内容，以及为用户提供相关电路设计指导。
详细介绍 DDR3基础知识、参数、命令、时序等
03-09
详细介绍 DDR3基础知识、参数、命令、时序等
DDR的原理和时序说明
09-15
本文只着重讲讲DDR 的原理和DDR SDRAM 相对于传统SDRAM（又称 SDR SDRAM）的不同。
C6678之上电及复位时序分析
weixin_42564775的博客
03-12 6699
一、上电时序分析 C6678上电时序如下图所示，时序分析如下： 1、 所有电源及时钟稳定（RESET、POR、RESETFULL信号初始为低） 2、 拉高RESET信号 3、 拉高RESET后，POR信号至少保持100us后拉高 4、 保持GPIO引脚状态有效2ms后拉高RESETFULL，继续保持GPIO引脚状态有效2ms 5、 最后RESETSTAT信号将拉高（该信号芯片内部驱动输出） 上电时...
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weixin_39614874的博客
12-21 640
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weixin_39639049的博客
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DDR2布线规则1.信号分类lDataGroup:MDQS/MDQS_N，MDM，MDQ，MECClAddress/CMDGroup:MBA，MA，MRAS_N，MCAS_N，MWE_NlControlGroup:MCS_N，MCKE，MODTlClockGroup:MCK，MCK_N2.数据通道(假定数据宽度为32bit)Bytelane0:MDQ[7..0]MDM0MDQS0MDQS...
ddr2的上电顺序_S5PV210 DDR2初始化 28个步骤总结
weixin_39798943的博客
12-21 414
看了一套视频，感觉DDR这个部分将的非常细致也很好，于是把视频内容花了一个多星期作了总结。这个视频就是不知道是谁讲的，做好事不留名啊～～～那位知道告诉我哈～～平台：S5PV210DDR： 兼容 三星的一块芯片——NT5TU64M16GG-DDR2-1G-G-R18-Consumer//---------28个步骤如下step1. To provide stable power for contr...
DDR 复位
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02-16 952
将FPGA代码和实际的数字电路对应起来。 always @ (negedge clk_ref_200) begin if(ddr3_init_done) //DDR3 没起来的时候，计数器开始计数。 ddr_init_cnt<=28'b0; else ddr_init_cnt<=ddr_init_cnt+1; //计数器...
DDR3的时序
HawkJLi的博客
02-17 1978
DDR3的时序
STM32 上电复位时序 如何调整
07-26
<think>首先，用户的问题是：“我想调整STM32上电复位时序的方法 请问如何调整 STM32 微控制器的上电复位时序”。这涉及到STM32微控制器的上电复位（Power-On Reset, POR）时序的调整。 根据系统级指令，我需要使用中文回答，确保结构清晰，帮助用户逐步解决问题。回答需要真实可靠，基于提供的引用和一般知识。 提供的引用包括： - 引用[1]：描述了STM32F103RCT6的上电复位过程，包括POR的触发情况、过程、如何确认POR，以及初始化步骤。 - 引用[2]：讨论了STM32与蓝牙模块的连接、LED驱动等，但似乎与上电复位时序不直接相关。不过，它提到了WS2812B的驱动，可能涉及GPIO配置，但核心问题不是这个。 用户的问题是关于调整上电复位时序的。在微控制器中，上电复位时序通常由硬件设计决定，比如复位电路、电源电压上升时间等。用户可能想修改POR的延迟或行为。 关键点： - POR是硬件机制，由微控制器内部电路控制。 - 调整时序可能涉及外部复位电路或软件配置。 - STM32微控制器有复位和时钟控制（RCC）模块，可以配置一些复位相关设置。 可能的调整方法： 1. **外部复位电路**：添加外部RC电路来延迟复位信号。 2. **软件复位**：在启动代码中实现自定义复位逻辑。 3. **配置复位源**：通过RCC寄存器配置复位源和优先级。 4. **使用看门狗**：配置独立看门狗（IWDG）或窗口看门狗（WWDG）来影响复位行为。 5. **电源管理**：确保电源稳定，以避免不必要的复位。 基于引用[1]，它提到了POR的过程： - 所有寄存器复位到默认状态。 - RAM和Flash数据保留。 - 时钟和外设复位。 - 初始化时需要配置时钟、GPIO等。 用户想“调整时序”，可能意味着改变复位延迟、复位持续时间或复位后的启动时间。 回答结构： 1. **解释上电复位时序**：简要说明POR是什么。 2. **调整方法**： - 硬件方法：外部复位电路。 - 软件方法：在启动代码中添加延迟或自定义初始化。 - 配置复位源：使用RCC寄存器。 3. **注意事项**：确保调整不会影响系统稳定性。 4. **示例或步骤**：提供具体操作指南。 5. **相关问题**：生成相关问题。 系统指令要求生成相关问题，所以我需要在末尾添加“§§相关问题§§”部分。 确保LaTeX格式正确： - 行内数学表达式用$...$，例如电压阈值$V_{th}$。 - 独立公式用$$...$$，但可能不需要，因为问题不涉及复杂数学。 现在，构建回答： - **开头**：直接回应用户问题。 - **主体**： - 解释POR时序。 - 讨论调整方法。 - 引用[1]中提到检查POR标志和初始化步骤。 - **结尾**：总结建议。 - **相关问题**：生成2-3个相关问题。 相关问题想法： 1. 如何添加外部复位电路来延迟STM32的上电复位？ 2. STM32中如何配置软件复位以改变启动时间？ 3. 上电复位时序对系统稳定性有什么影响？ 确保回答真实可靠：基于STM32文档知识。引用[1]是可靠的参考。 最终回答框架： 1. 介绍上电复位时序。 2. 调整方法： - 硬件调整：外部RC电路。 - 软件调整：启动代码修改。 - 其他配置：复位源设置。 3. 示例代码或步骤。 4. 注意事项。 5. 相关问题。</think>### 调整STM32上电复位时序的方法 在STM32微控制器中，上电复位（Power-On Reset, POR）时序是硬件机制的一部分，用于确保系统在通电时进入已知安全状态。POR时序主要由内部电路和外部复位信号控制，涉及电压上升时间、复位延迟等参数。调整时序通常需要结合硬件修改和软件配置来实现。以下是逐步解决方法，基于STM32文档和实际应用经验。核心目标是安全地修改复位延迟或行为，以满足特定启动需求（如等待外部设备稳定）。 #### 1. **理解上电复位时序** - POR时序在STM32中由以下因素决定： - **电源电压上升时间**：当$V_{DD}$（供电电压）从0V上升到阈值$V_{POR}$（约1.8V）时，内部POR电路触发复位[^1]。 - **复位持续时间**：复位信号（NRST引脚）保持低电平的时间，通常由内部电路或外部RC电路设置。 - **内部时钟初始化**：复位后，时钟系统需重新配置（如HSE、HSI、PLL），这会影响启动时间。 - 默认情况下，POR时序是固定的，但可通过外部元件或软件干预调整。例如，延长复位延迟可确保电源稳定后再启动MCU。 #### 2. **硬件调整方法（外部电路）** 通过修改复位电路来延迟复位信号或改变复位持续时间。这是最直接的方法，适用于需要精确控制复位时序的场景。 - **添加外部RC电路**： - 在NRST引脚上串联电阻（R）和电容（C），形成RC延迟网络。复位延迟时间$t_{delay}$近似为： $$ t_{delay} \approx R \times C \times \ln\left(\frac{V_{DD}}{V_{IL}}\right) $$ 其中$V_{IL}$是NRST低电平阈值（约0.3V），$R$和$C$值需根据需求计算。 - **步骤**： 1. 选择元件值：例如，$R = 10\,\text{k}\Omega$, $C = 10\,\mu\text{F}$，可实现约100ms延迟（计算基于$V_{DD} = 3.3\,\text{V}$）。 2. 连接电路：将RC网络串联到NRST引脚和地之间（确保NRST引脚有上拉电阻）。 3. 验证：用示波器测量NRST信号，确认延迟是否符合预期。 - **注意事项**：避免过大延迟导致系统启动过慢；确保$C$使用低漏电流电容以防误复位。 - **使用复位IC**：集成复位芯片（如MAX809）可提供可编程延迟，直接连接到NRST引脚，简化设计。 #### 3. **软件调整方法（启动代码修改）** 在软件层面，通过修改启动文件（如startup_stm32f10x.s）或主程序，添加自定义延迟或复位逻辑。这适用于需要动态调整时序的场景。 - **添加启动延迟**： - 在复位后初始化阶段，插入软件延迟循环，等待外部设备（如传感器或时钟源）稳定。 - **示例代码（基于STM32标准库）**： ```c #include "stm32f10x.h" void SystemInit(void) { // 默认时钟配置（HSE开启等） // ... // 添加自定义延迟：例如100ms，等待电源稳定 for (volatile uint32_t i = 0; i < 1000000; i++); // 粗略延迟，需根据时钟频率校准 // 继续初始化外设 } ``` - **校准延迟**：使用SysTick定时器实现精确延迟（例如`HAL_Delay(100)`在HAL库中）。 - **配置复位源**： - 通过RCC（Reset and Clock Control）寄存器调整复位行为。例如： - 检查POR标志（RCC->CSR中的PORS位），确认复位源[^1]。 - 禁用不必要的复位源（如欠压复位BOR），通过修改RCC->APB1ENR或选项字节。 - **代码示例**： ```c RCC->APB1ENR |= RCC_APB1ENR_PWREN; // 使能电源控制 PWR->CR |= PWR_CR_ULP; // 配置欠压阈值，影响复位触发点 ``` - **使用看门狗**：配置独立看门狗（IWDG）在启动时触发软复位，实现可控复位时序。 - 示例：设置IWDG超时时间，在`main()`函数中喂狗前添加延迟。 #### 4. **注意事项与最佳实践** - **稳定性优先**：调整时序时，确保$V_{DD}$上升时间不超过STM32规格（通常<1ms），否则可能引发错误复位。 - **测量与验证**：使用调试工具（如ST-Link）监控NRST引脚或RCC寄存器标志[^1]。 - **电源设计**：确保电源电路有足够去耦电容（如10μF），以减少电压波动导致的意外复位。 - **风险提示**：过度延迟复位可能导致外设初始化失败；硬件修改需防静电损坏。 - **参考文档**：详细参数见STM32参考手册（如RM0008 for F1系列），特别是复位章节。 通过以上方法，您可以根据应用需求（如等待外部存储器初始化）安全调整POR时序。硬件方法适合高可靠性系统，而软件方法更灵活。如果提供更多细节（如具体STM32型号），可进一步优化方案。
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