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原创 【碳化硅电驱动总成设计与测试】

摘要:本文设计了一款基于碳化硅技术的三合一电驱动总成系统,包含控制器、驱动电机和减速器的高度集成方案。通过采用碳化硅MOSFET模块设计控制器,实现了双面水冷散热结构和激光焊接工艺。系统采用串联式冷却方案,将控制器与电机冷却水道一体化设计。测试结果表明,该碳化硅控制器最高效率达99.2%,高效区占比92.2%,显著优于传统IGBT控制器(最高效率98.45%)。三合一系统最高效率达96.4%,功率密度和系统效率均得到显著提升,为新能源汽车电驱动系统设计提供了有价值的参考。

2025-08-04 09:54:12 1800

原创 基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET 短路保护电路

摘要:本文提出了一种基于栅极和漏极电压检测的SiC MOSFET快速短路保护电路。该方案通过检测器件短路时漏源极电压快速上升和栅极电压状态变化,利用逻辑电路实现快速保护响应。理论分析表明,该电路能在600ns内完成硬开关故障保护,负载短路保护时间可缩短至200ns以内。实验验证了电路在不同母线电压、短路类型和驱动条件下的可靠性能,相比传统退饱和检测方案显著提高了保护速度。该设计结构简单、成本低、响应快,为SiC MOSFET的短路保护提供了有效解决方案。(147字) 关键词:SiC MOSFET;短路保护;

2025-07-28 14:05:41 1942

原创 功率电子器件在不间断电源系统中的应用与性能分析

摘要:本文探讨了功率电子器件在不间断电源(UPS)系统中的关键作用及性能优化。研究对比了IGBT、MOSFET等传统器件与新型宽禁带半导体(SiC、GaN)在不同负载条件下的效率表现,其中SiC MOSFET将逆变效率提升至98.8%。实验表明,采用创新散热方案可使功率密度提升60%达8kW/L,同时MTBF达150,000小时。智能控制系统结合高频设计技术实现了快速响应和高效运行。研究为UPS系统性能提升提供了重要参考,展示了新型半导体器件在电力电子领域的应用潜力。

2025-07-15 09:27:49 696

原创 使用碳化硅 SiC 到底可以减少节省多少体积?

碳化硅 (SiC) 在能源存储系统 (ESS) 中的价值,更小的体积和重量减轻,从而获得更大的功率密度,从而提高了系统效率。同时,由于在高电流和高温条件下能够提高系统效率,减少系统体积和重量,从而降低每瓦的成本。

2025-07-09 10:31:13 441

原创 SiC 功率 MOSFET 的驱动设计

本文研究了SiC功率MOSFET在电动汽车电源模块中的应用。通过对比SiC与Si功率器件参数差异,发现SiC器件具有更快的开关速度和更低的栅极电荷,但需特别注意驱动电路设计以避免栅源电压振荡。研究设计了基于高速光耦隔离的驱动方案,采用18V/0V驱动电压,并通过Saber软件仿真和实际电路测试验证了开关特性。结果表明,驱动电阻取值对关断特性影响显著,最终选择2.7Ω开通电阻和5.4Ω关断电阻以优化性能。实际应用显示,采用SiC器件可显著提升电源模块效率、减小体积并降低温升。该研究为电动汽车电源模块的高效设计

2025-07-01 11:21:47 2068

原创 基于碳化硅器件的主动热管理技术(节选)

本文针对电动汽车多负载无线充电系统中SiCMOSFET结温波动问题,提出了一种多参量组合式主动热管理策略。研究首先分析了低频结温波动对器件寿命的主导影响,建立了基于雨流计数法和Coffin-Manson模型的寿命评估方法。通过建立SiCMOSFET开关损耗动态模型,揭示了栅极电压和缓冲电容对损耗的调节机制,创新性地将二者结合形成复合控制策略。实验验证表明,该方法在不影响系统传输特性的前提下,可将SiCMOSFET最大结温波动从14.5℃降至5.5℃,器件期望寿命提升139%。研究首次在无线充电领域实现了基于

2025-06-19 10:55:35 619 1

原创 ​基于碳化硅器件的无线充电电源设计(节选)​

电力电子器件是武器装备、航空航天器、特高压输电、5G通讯、新能源汽车等战略领域的基础支撑元件,具有极为重要的地位。SiC器件具有显著的热电特性优势,能够大幅提高功率变换器的功率密度与效率,有望带来新的电能变换技术革命。

2025-06-18 08:57:38 608 1

原创 碳化硅功率器件在宇航电源中的应用

摘要:本文综述了碳化硅(SiC)功率器件在宇航电源中的应用前景。SiC材料具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异特性,使其功率器件在高压、高频、高温环境下展现出显著优势。文章分析了SiC功率器件的发展现状、性能特点及关键技术挑战,包括封装技术、单粒子效应和驱动保护电路设计。研究表明,SiC器件可显著提升宇航电源的功率密度和效率,在电推进系统电源、电机驱动器和高压功率调节器等领域具有广阔应用前景。随着技术突破,SiC器件将推动宇航电源向小型化、轻量化、高效率方向发展,助力航天技术进步。

2025-06-17 16:48:53 709 1

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