STR710的内部Flash读写

最新推荐文章于 2023-07-14 15:48:37 发布

原创

最新推荐文章于 2023-07-14 15:48:37 发布 · 1.6k 阅读

1 ·

CC 4.0 BY-SA版权

文章标签：

#flash #function #c

本文介绍了STR710微控制器内部Flash的读写操作，强调了其与一般Nand Flash的不同，特别是在写保护和清零操作上的注意事项。通过修改加载文件（.sct）和在主函数中添加特定代码，确保了Flash操作在RAM中执行。文中提供了详细的示例代码，包括使用库函数和直接调用.c文件进行Flash操作的方法。

我是初学者，写这篇仅是个人理解。内部FLASH的读写不同与一般的Nand Flash的读写。我们下载程序大多数是下到内部Flash的 BANK 0中，一般的读写数据在BANK 1的0扇区和1扇区中，总共可以储存16K的数据。内部Flash具有写保护，任何对内部FLASH的写操作都必须在RAM中进行。当进行写操作以后内部FLASH中的FLASH_CR0寄存器的LOCK位会被置位后，任何读写都是无效的。只有等到该位被清零以后才能进行其他操作。所以必须把清零这段代码放在RAM中进行。

方法：如果是直接调用KEIL中的库函数，就在加载文件（.sct）文件中添加

LR_IROM1 0x40000000 0x00040000 {    ; load region size_region
ER_IROM1 0x40000000 0x00040000 { ; load address = execution address
   *.o (RESET, +First)
   *(InRoot$$Sections)
   .ANY (+RO)
}
RW_IRAM1 0x20000000 0x00010000 { ; RW data
   flash.o(i.FLASH_WaitForLastTask)   ；添加代码
   .ANY (+RW +ZI)<