18、射频电路中的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术解析

射频电路中的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术解析

1. 引言

随着集成电路技术的进步,新的消费电子市场机遇不断涌现,如移动通信的大规模扩张就得益于半导体制造技术的发展。在过去三十年里,基于III - V族化合物砷化镓(GaAs)的微波场效应晶体管(FET)备受关注。然而,现代无线系统对射频和微波电路的功率和频率要求不断提高,GaAs基高频功率器件即将达到功率极限。因此,宽带隙半导体材料如磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的研究日益增多。其中,GaN基晶体管因其高功率密度、宽频率范围和出色的电气及热性能,有望取代GaAs基晶体管,成为未来无线通信系统及其他高频、高温、高功率应用的关键器件。

2. MMIC技术发展历程

III - V族化合物半导体适用于制造单片微波集成电路(MMIC),因为它们既适合高频晶体管,又能实现低损耗无源元件。MMIC技术的发展历程如下:
- 1962年:Jim Tuner首次使用GaAs制造出24 µm的晶体管。
- 1967年:制造出能在1 GHz产生10 dB增益的4 µm晶体管。
- 1971年:电子束光刻(EBL)技术使晶体管在1 GHz获得高增益。
- 1981年:Horn buckle和Van Tuyl展示了使用晶体管和电平转换二极管的直接耦合放大器的结果。
- 1982年:出现射频晶圆测试(RFOW)技术。
- 1984年:Ayasli提出高功率、高增益放大技术。
- 1988年:Gilles等人提出MMIC用FET的小信号等效电路。
- 1990年:随着HEMT的出现,分布式放大器进入新纪元,Majidy - Ahy将带宽标准重新定义为5

内容概要:本文档定义了一个名为 `xxx_SCustSuplier_info` 的视图,用于整合和展示客户(Customer)和供应商(Supplier)的相关信息。视图通过连接多个表来获取组织单位、客户账户、站点使用、位置、财务代码组合等数据。对于客户部分,视图选择了与账单相关的记录,并提取了账单客户ID、账单站点ID、客户名称、账户名称、站点代码、状态、付款条款等信息;对于供应商部分,视图选择了有效的供应商及其站点信息,包括供应商ID、供应商名称、供应商编号、状态、付款条款、财务代码组合等。视图还通过外连接确保即使某些字段为空也能显示相关信息。 适合人群:熟悉Oracle ERP系统,尤其是应付账款(AP)和应收账款(AR)模块的数据库管理员或开发人员;需要查询和管理客户及供应商信息的业务分析师。 使用场景及目标:① 数据库管理员可以通过此视图快速查询客户和供应商的基本信息,包括账单信息、财务代码组合等;② 开发人员可以利用此视图进行报表开发或数据迁移;③ 业务分析师可以使用此视图进行数据分析,如信用评估、付款周期分析等。 阅读建议:由于该视图涉及多个表的复杂连接,建议读者先熟悉各个表的结构和关系,特别是 `hz_parties`、`hz_cust_accounts`、`ap_suppliers` 等核心表。此外,注意视图中使用的外连接(如 `gl_code_combinations_kfv` 表的连接),这可能会影响查询结果的完整性。
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