agile实践:storycard

最近开始在项目的新迭代周期采用agile,所以打算使用传说中的地story card
在网上找了好久story card的模板,最终找到一个比较通用一些的模板

这个模板是主要分storycard和taskcard两块

story card
216_200701142145111.jpg

task card
216_200701142145281.jpg

这两张卡片把需求和任务分开了,这也是一般项目的做法
但是实际在项目中我并用不着把这两层区分的很详细,所以我把两张卡片合并成了一个
216_200701142245201.jpg
<o:p> 这个storytaskcard的实际使用方法:
</o:p>
<o:p>1、对需求进行分析,把需求根据功能划分成几个任务点
</o:p><o:p>任务点重要的地方是纵向的任务划分,比如一个输入框的多页面通用就是一个任务点
</o:p>
<o:p>2、和产品讨论详细功能点的需求性,这时候再storycard上定义好产品的优先级,并且评估实现的技术风险,也就是有什么问题会对这个任务点造成影响
</o:p>
<o:p>3、定义好产品优先级后,根据技术开发的复杂性定义技术复杂性,然后把storycard排序按照产品优先级和技术优先级的顺序先开发。
</o:p>
<o:p>4、根据开发人员的能力分配任务,对于新手从一些简单的任务的开始分配,对于老手要用需求级别最高的开始分配</o:p>

<o:p> 然后要求开发人员对任务进度进行记录,这样就可以对一个任务点的完成进行控制,开发者效率进行评估:) </o:p>

<o:p> 在我这期项目的迭代过程中,前台后台一共划分了12个任务点,共计花费10个工作日左右完成,开发人员为2个,一个新人,平均下来每人一天可以完成一个任务点。(当然任务点不可能在工作量上是很平均的,但是在分配任务点时我会注意到任务的粒度,不要让一个任务完成会超过3天。)在任务点完成后还有一个整体整合和代码review的过程,这个一般需要2天时间。再加上项目的功能测试2天和压力测试1天,这个迭代版本共计耗时15个工作日,约3个week。 </o:p>

<o:p> 这个时间比agile要求的2week是要长了一点,主要由于我这个迭代周期中有一个新人,不过项目进行中是完全控制的,项目完成后的质量也是用户满意的


STORY AND TASK CARD.rar </o:p>

93826.html

rocket 2007-01-14 23:38 发表评论
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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