xilinx-FPGA-DDR3控制

最新推荐文章于 2025-07-07 11:38:24 发布
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本文详细介绍了在使用MA703FA开发板时，如何通过XC7A35T-FGG484 FPGA的用户接口（UI_CLK@100MHz）发送控制命令，包括读写操作的时序图示，并重点讲解了地址和命令字的配置。

板卡型号：MA703FA开发板调试

FPGA主控芯片型号：XC7A35T-FGG484

首先研究如何发出控制命令：发出命令的时许如下所示，
上图中的clk表示用户接口时钟ui_clk，本工程设置为100MHz。
app_cmd表示命令控制字，001表示读命令，000表示写命令。
地址直接给‘d100

上面的图为用户接口写命令的时序 

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外部输入数据流通过输入数据流选择单元将数据流输入到数据缓存模块，比较常用的存储单元有双口RAM，FIFO，SDRAM等。在第一个缓冲周期，数据流通过“输入数据流选择单元”将数据写入“数据缓冲模块1”。写完之后进入第二个缓冲周期，在第二个缓冲周期数据流通过“输入数 据流选择单元”将数据写入到“数据缓冲模块2”的同时“输出数据流选择单元”将“数据缓冲模块1”的数据流读出，此时进入第三个缓冲周期。在第三个缓冲周期数据流通过“输入数据流选择单元”将数据写入到“数据缓存模块1”的同时将“数据缓冲模块2”的数据读出。
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制作日志: /****************************2016-07-10 更新*********************************/ 经过不知道多少个工作日空余时间和周末业余时间，终于大致设计板子浮出水面，等待后续检查。 板子采用4层PCB，层叠情况:Top -> GND -> Power -> Bottom板子芯片情况: (1) FPGA: Xilinx Spartan6系列的XC6SLX16-FTG256 (2) DDR3: Micron的MT41J128M16，2Gbit存储容量 (2) 电源:采用2片Onsemi的NCP1529分别为FPGA Core 1.2V和DDR3 1.5V提供电源 /****************************2016-07-18 更新*********************************/ PCB打样回来了，5mil/5mil的线宽线距，10mil的过孔，花了我好多大洋！！！赶紧贴板子去了！！ 贴完再上照。 /****************************2016-07-19 更新*********************************/ 搞了一个上午,终于搞定第一个板子,FPGA的1.2V VDDCore电压，1.5V的DDR3供电电压， VREF的0.75V电压都OK。往FPGA内部下载点灯程序OK，往SPI FLASH固化程序也OK。 下一步，DDR3 的MCB实现。 /****************************2016-07-23 更新*********************************/ 经测试，第一版的DDR3可以正常稳定运行在400MHz，全地址空间读写数据无任何问题。 现在开始准备第二版，打算生成100个pcb，并且会将阻焊颜色由绿色改为黑色。 具体设计细节和第一版的区别如下: (1) IO引脚数量由原来的80个增加到86个IO； (2) 所有引出的差分线尽量保持等长； (3) 电容部分进行了改进，每个DC/DC输出都增加了铝电解电容，增加可靠性，铝电解电容都放在背面。 下面是第二版的图片: /****************************2016-07-26 完成*********************************/ 2Gbit全地址空间测试完成，用的是Xilinx提供的MCB IP硬核，附件是原理图和说明书，欢迎下载。
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1、DDR3全称第三代双倍速率同步动态随机存储器。特点:①掉电无法保存数据，需要周期性的刷新。②时钟上升沿和下降沿都会传输数据。③突发传输,突发长度Burst Length一般为82、DDR3的存储: bank、行地址和列地址数据怎么存入到DDR3:先指定一个Bank地址,再指定行地址,最后指定列地址。DDR3容量计算: bank数量×行数量×列数量×存储单元容量。比如bank address位宽为3, Row address位宽为14, Column address为10,
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