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RSS订阅原创 Sentaurus TCAD TGNMOS功率器件仿真笔记
对于高频低电压功率电子电路，沟槽栅极（TG）MOSFET是优选的功率器件。在设计直流-直流变换器等功率电子电路时，控制功率MOSFET的关键参数是导通电阻和浪涌电压。使用肖特基势垒二极管（SBD），已经探索了许多电路设计技术来降低浪涌电压。SBD器件在减少反向恢复电荷方面非常有效，从而减少器件开关操作期间的能量损失。SBD器件可以在单个芯片上与MOSFET集成，可以在芯片的不同区域集成，也可以在单元级集成。在反向恢复电荷减少方面，发现与其他技术相比，将SBD器件集成在单位单元中的MOSFET中是有益的。
2023-10-31 15:41:19
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原创 数码管扫描实验
电路用 PNP 管来反向驱 动并且控制列扫描信号（SEL0_T~SEL5_T）来选择哪个数码管。而且所有的 6 个数码管的“段选信 号”（LEDA .. LEDH）都共用驱动引脚(LED_A~LEDH)。数码管的所有驱动信号都是“低电平有效”。单个数码管可以采用静态显示方式，如图所示，数码管被分成 a、b、c、d、e、f、g 和小数 点，每段可以单独控制亮灭，通过点亮不同的段显示不同的数字和字符。本实验设计一个 6 位十进制计数器模块，然后通过译码模块译码后送到数码管扫描模块扫描 显示。
2022-10-29 23:01:28
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原创 ISE 下按键消抖实验
按键做为基本的人机输入接口，在很多电子设计中都能见到，由于机械特性，在按键按下或 松开的时候，按键输入值是有抖动的，无论按下去是多平稳，都难以消除抖动，按键消抖方式有 很多，本实验主要是通过 FPGA 计时来消抖。仿真的结果如下，我们看到按键一共有 5 次被按下，但是因为前面 4 次按键按下的低电平保持时 间都小于 20ms, 这 4 次的按下都被程序判断为抖动，只有第 5 次的按键按下时间大于了 20ms, 才 判断为按键有按下，这时 button_negedge 信号产生了一个脉冲。
2022-10-29 22:53:20
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空空如也
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