qq_52919605的博客

原创 [HFSS]useful source

1-绘制场分布图。

原创 [HFSS]仿真模型中出现的错误

选择选中的物体，右键->selection mode->objects，将其改为Faces。1.在一个面已经设置了边界，又想为一个面设置激励，便出现了如下的错误。简而言之，就是要选择一个面，而不是选择一个物体作为端口。2.修改选中模式，将选中物体模式改为选择面模式。翻译：选择形成端口源的所有面必须位于同一平面上。

转载 硅通孔了解

了解TSV

原创 TSV的一些理解

多层芯片不一定都有TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）。TSV 是一种用于实现芯片之间垂直互连的技术，常见于 2.5D 和 3D 封装中。它通过在硅片中形成垂直的通孔，并填充金属（通常是铜）来实现电气连接。然而，多层芯片的互连方式有多种选择，TSV 并非唯一方案。例如，传统的引线键合和倒装芯片技术也可以实现芯片间的互连，只是这些方法在互连密度和性能上可能不如 TSV。

原创 天线校准方法

磁场探针并非直接测量磁场分量Hx，Hy，而是先得到对应的电压值Vx，Vy，然后乘以一个天线因子AF得到Hm（测量值）。3 用理论值Hth除以Vm得到天线因子AF。1 在某一个平面上已知磁场的理论值Hth。2 测量平面的电压值Vm。

原创 TSV中有几种消除反射信号的方式

在NAND闪存和双列直插式内存模块DIMM等多点传输结构中设计短截线而研究的，这种方法可以消除反射信号，改善失真信号。但是这种方法需要根据数据速率和结构重新设计短截线长度，所以很难普遍应用，并且无法在宽频带范围内改善信号。

转载 三星的I-cube4

应用一 ：嵌在转接板interposer里，上和芯片相连的微凸点相连，下与封装基板的微凸点相连。应用二：上与RDL相连，下与RDL相连。应用三：芯片间互联，在HBM中。

转载 CoWoS结构

转载 多层芯片之间互联

转载 TSV互联技术

转载 想问一下芯片金属互连层这里面的这一个个连接的柱子是否也是TSV

转载 上海交大的一篇硕士论文

原创 TSV真正在三维芯片中的样子

原创 TSV尺寸 不同的需求

原创 怎么在HFSS里实现优化设计

串扰一般在40dB一下，S31 S41。导纳参数也可以在HFSS中的获得。通过改变参数值，观察频率响应。大概是想要获得这样的效果。

原创 仿真同轴TSV时遇到的问题

我可能画的范围太大了因为我的地导体外还有二氧化硅。我不应该把端口覆盖范围超过导体。首先我设置的是集总端口，然后集总端口连接的地和信号柱。

原创 不知道怎么在HFSS里面建立端口

把它抽象成微带线就行。

原创 HFSS串扰S-G pairs分析

这是我分析得到S31和S41的结果。

原创 TSV电感器的等效电路模型

作者用了自己的方法建立了一个等效电路，然后计算得到值与HFSS 3D layout进行对比。对比的指标有，S11,S12,品质因数，电感电压响应。

原创 如何分析TSV之间的近端串扰和远端串扰

Capacitance Expressions and Electrical Characterization of Tapered ThroughSilicon Vias for 3-D ICs 这是论文的名字。

转载 趋肤深度图解

转载 芯片的三种键合方式

两张图中都展示了两种键合面方式，上面是面对面键合，下面是面对背键合。左侧F2B是面对背，右侧F2F是面对面。

转载 电流的回流路径

低频时，电流是这样流的。（频率小于1KHz）如果回流路径被阻挡了，电流就是这样流的。（频率高于10KHz）

原创 新版TSV-SG模型修改版

复现一篇论文Three-Dimensional Coaxial Through-Silicon-Via (TSV) Design

原创 HFSS创建SG模型的端口设置

端口连接要连接两个导体。

原创 如何用HFSS自动建立空气盒子

原创 HFSS GSG模型

原创 [HFSS]打开时出现这样的错误

Featurehfss_guiVendorHostLOCALHOST-97,121。

原创 [HFSS]HFSS工程通用设置

首先设置两个通用的东西，第一个是工程文件和临时文件存放的位置，第二个是创建工程文件时是否自动生成一个设计文件，这里我选择的是insert a design ，选择自动生成。

原创 [vivado] question in vitis export RTL

点开错误信息，发现如下两个错误，第一个产生IP错误，第二个是一个日期是一个无效的argument，请确定整数值？因为我翻了一下我的文件目录，我没有找到相应的路径，我原本就没有automug的这个文件。我使用了补丁，但是输出的结果除了第一条都没有，但是这是理论上应该输出的结果。下面是报错后弹出的消息对话框，说有两个错误。需要去官网找到补丁，并学习补丁的使用方法。

原创 [vivado] vitis C-simulation出问题

这个文件来自我的老师，可能是我修改了头文件，导致文件与testbench文件不对应，出现了这个问题。

原创 [芯片知识杂烩]

3D IC指的是垂直方向上堆叠芯片，3D MCM指的是将多块芯片封装在一个模块中，不一定是垂直堆叠，也有可能是水平堆叠。

原创 【HFSS】TSV-GSG模型

选中圆柱，在左侧field overlays右键场，继续选择场幅度，enter就可以看到圆柱TSV的电场表面图。同理也可以看到磁场的。下面是TSV的俯视图。（如果要使用（验证及分析）该模型的话，需要把这个模型的设计文件粘贴出来到另一个工程下，这个例子是只读的）左右两侧的圆柱是接地的，中间是传输信号的，所以电场值会比较大，在图中会显示红色。从此我们便得到了表面电场。点击HFSS->open example->3D PCB layout,可以找到GSG模型。TSV的端口，就是那个红色的面加上外层的一个圈。

原创 【HFSS】Plot fields呈灰色

解决方法：

原创 【HFSS学习笔记】

然后up主用measure选项测量了一下中间电阻区域的大小，是两个25平方，一个平方是50欧姆，那么两个25平方就是100欧姆。两个黄色区域是电流流向，黑色区域是电阻。中间电阻阻值可按如下设置，首先选择impedance，6.可以将导体设置为perfect E或perfect H，理想电导体或者是理想磁导体。法三：选中所有辐射面，即可自动设置主从面（必须选中一个实体，此时的模式是object）4.设置主从边界，先将模式设置为面的模式，然后在选择主从面。法一：以下是晶元的方式设置，参数默认。

原创 [HFSS]一些使用心得

1.通过输入坐标移动物体的方式，其速度快于自己手动移到某个位置的。2.要建立um级的模型，就把单位制改为um。（修改方法见博客内容）

原创 [HFSS]添加模型材料

4.结果，material项已经是二氧化硅啦！只是这个界面没有全部显示罢了~2.点击properties->material。3.选择要添加的材料，我这里要添加的是二氧化硅。1.选中需要添加材料的模型。

原创 【HFSS】布尔减操作

以下是我要进行相减操作的步骤，前提：已经有两个叠在一起的圆柱。

原创 [HFSS]修改单位制

选择单位，我这里要修改成为m制单位。

原创 【HFSS】设置两个相同模型之间的间距

2.点击duplicate along the line，再点击原始物体的中心点。3.在下面的dX,dY,dZ填写需要移动的参数，固定复制的位置。1.选中要被设置的对象，使其变为紫色。我是爱吃烤肉的小熊！