qq_46579389的博客

ADC的一些基本概念

如何仿真动态比较器的offset

趁着国庆调了几个bandgap

分析了哈之前的一个问题，容易忽略掉的调零电阻虽然能够改两级OTA的零点位置，也会导致一个新的极点引入。

对二级米勒补偿运放的压摆率做理论分析，并且搭建二级米勒补偿运放的压摆率Slew Rate进行分析。

辅助定理（拉扎维书上有）线性电路的输出端口可以用诺顿模型等效，其等效图如下：输出电阻定义将输入接地，在输出加电压，此时电压与与电流的变化：负反馈对输出电阻的影响

有时我们进行模拟IC设计时需要进行手工计算，然而工艺库中参数不是那么的好找，此时可以采用仿真的方式得到手算参数μnCox，以及沟道长度调制效应系数。注：现在最好的方法是采用gmId的设计方法，只是有时我需要用到上面的两个参数。还有我是新手，写的有问题欢迎各位大佬指出，别喷我，害怕ing。一、MOS管平方关系模型MOS管沟道饱和区电流ID（不考虑非理想效应)Id=12μnCoxWL(VGS−VTH)2I_d=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (V_{...

这篇博客是为了直观的看到共源共栅级中为什么可以忽略M2MOS管共源共栅级输入噪声原理分析共源共栅级输入噪声共源共栅级的输入噪声（只考虑白噪声）:Vn,in2=4KT(23gm1+1gm12RD)V_{n,in}^2=4KT(\frac{2}{3g_{m1}}+\frac{1}{g_m1^2R_D})Vn,in2​=4KT(3gm1​2​+gm​12RD​1​)这里M1和RD贡献的输入招生都比较好算，稍微麻烦一点的就是M2对输入噪声的贡献。先将M2栅极电压变化对输出的增益计算出...

1、偏置电路原理图以及仿真结果电路电流分析：Ip=Ip1=Ip2=Ip3,那么Ip=12μnCoxWL(IpR−VTH)2I_p=\frac{1}{2} μ_nC_{ox}\frac{W}{L} (I_{p}R-V_{TH})^2Ip​=21​μn​Cox​LW​(Ip​R−VTH​)2解出方程式即可得到参考电流及参考电压2、电路电源抑制比PSRR分析这里为了方便，小信号前都不加△首先做一个近似，由于gmRo>>1，直接将VDD变化导致的P3管漏级电压变化与VDD变化量做相等