- 博客(2)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 半导体物理 第七章 金属半导体接触整流理论
半导体物理 第七章 金属和半导体的接触二、金属半导体接触整流理论A、前言概述（定性分析）B、扩散理论（定量分析）C、热电子发射理论（定量分析）D、镜像力和隧道效应的影响二、金属半导体接触整流理论A、前言概述（定性分析）不知道大家还记不记上一个博客中的一个式子：Vs是表面势，在我们经常讨论的那一个情况当中，Vs < 0；半导体一侧的势垒高度即为qVD = - qVs。若此时，我们外加电压V于紧密接触的金属和半导体之间，由于阻挡层是高阻区域，因此电压主要降落在阻挡层上，原本半导体的表面和内部之间
2020-05-31 20:58:44
8214
14
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人