姜浩鑫的博客

电压：保险丝的额定电压是指它的公称额定电压, 通常就是保险丝断开后能够承受的最大电压值保险丝通电时两端所承受的电压大大小于其额定电压，因此额定电压基本上无关紧要。IFU计算出来后，要采用1.5倍安全冗余（不一定非得1.5，根据自己实际电路细调冗余比）分类：简单分为熔断式和非熔断式。PFC为功率因数矫正，

21.至此，元件符号的绘制，元件封装的绘制，及两者之间的关联就完毕了，但要想正常使用，还需要将绘制的这些库变成集成库，然后添加到AD中。11.这时候完事啦，就要进行两者的关联，点击Resistance.schlib,然后接着点击左下角add footprint。9.随便画的，对应好schematic的引脚关系，改名字为Resisitance（25.下图就是成功添加的示意图，方法就是这个方法，EDA设计软件大同小异。注意引脚有点点的是可以连接的，需要朝向外面。1.新建文件夹，确定库放置的路径。

假设三极管在工作时，其集电极和发射极之间的电压是恒定的（实际上这个电压会随着电流的变化而变化，但这里为了简化问题，我们假设它是恒定的）。那么，根据功耗的公式P=IV（其中P是功耗，I是电流，V是电压），当电压V恒定时，功耗P就与电流I成正比。因此，如果电流超过了最大允许值500mA，那么即使电压不变，功耗也会超过最大允许值300mW，从而导致三极管烧毁。综上所述，为了保护三极管不被烧毁，我们必须确保通过它的电流不超过最大允许值500mA，并且同时要注意控制功耗不超过最大允许值300mW。

稳压管的稳压值是5.1V，电源电压是12V，就必须串一个电阻来承担超出的6.9V电压，如果串一个1kΩ的电阻电流就是12mA，如果串500Ω就是24mA，具体串多大的合适，要根据稳压管的耗散功率和负载电流决定。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。Vz 稳定电压：反向击穿后稳定工作的电压。

一个是LQFP48 一个是QFPN48 （简单了解前面的英文就是元器件封装 后面是芯片引脚数）把这个在Cadence中建库 这个叫做引脚图 在画原理图过程中不是很直关 所以就要按照功能分类。分类方法就是参考上图中STM312F103C8T6数据手册中的芯片架构和引脚功能。首先普及一个网站可以下载所有芯片的DataSheet。OSC_IN OSC_OUT 接外部晶振引脚的。第三步打开下载的数据手册 找到引脚这页。一种芯片 有两个图 是不是很懵逼。BOOT0 BOOT1 启动模式。上图就是根据引脚分类后的库。

当电池电压上升到涓流充电阈值以上时，提高充电电流进行恒流充电。这种端口既支持大电流充电，也支持完全兼容USB 2.0的数据传输。涓流充电用来先对完全放电的电池单元进行预充(恢复性充电)。当电池电压上升到4.2V时，恒流充电结束，开始恒压充电阶段。涓流充电电流是恒流充电电流的十分之一即0.1c(以恒定充电电流为1A举例，则涓流充电电流为100mA)的继续充电电流由最大值慢慢减少，当减小到0.01C时，认为充电终止。表示方法，如电池是1000mAh的容量，1C就是充电电流1000mA。

而实际上电阻并非理想，差分电路会将共模电压的一部分进行放大，作为U2与U1之间的有效电压差，最终参杂在输出的信号中，无法与真实信号相区别。所以各大公司推出了仪表放大器专用芯片，如AD620,AD621，AD622，AD623，AD624，AD625，AD8221都是。3.CMRR=1，由于电阻本身的个体差异，加上一放一视同仁的放大差模和共模信号，看起来公平，实际CMRR的重任交给了二放。共模抑制比：差分放大电路中一项重要的指标就是共模抑制比，正如其名，意义是抑制两路输出的共模信号。文章默认读者熟练掌握。

该二极管作用是在切断5V供电时，预防LDO输出端因为电容良好的作用，掉电速度低于5v输入，有反向压差时，提供一个热损路径，防止损伤LDO。（1N4148维持两端压差不大于1v）1N4148 是开关二极管，耐压100V，电流150mA，正向压降高，为1V，反向恢复速度快，4ns。选用1N4148参数。

本方案采用九个2.7V/50F的法拉电容串联，采用TL431进行均衡，均衡电流1A，充电电压24.3V。设计思路TL431内部构造图由芯片数据手册可知，TL431芯片内部基准源为2.5v(实际2.475-2.525之间)那么很容易就知道芯片内部的逻辑:当”+”输入端电压高于”－”输入端时，电压比较器输出为高电平,三极管导通，K位置输出低电平；当”+”输入端电压低于”－”输入端时，电压比较器输出为低电平，三极管截至，K位置等于输入；那么我们就可以用来制作一个超级电容均压电路。

立创开源平台收到了一条留言理想二极管（已经测试） 有一些理论推导以及猜测1.看了你的图，你是两个PMOS串联，但Pmos主回流方向不一样。2.由于Q4体二极管的作用，R6和R7之间的电压是((Vout-0.6v)-Vgate)*(R7/(R6+R7)),按照这个公式（R6和R7的数值）计算，无论Vout是12v还是0.6v（二极管微导通电压）,Q3Q4栅极电压都是0V附近，意味着PMOS都会导通.换个角度来说，ltc4412好像没有起到任何作用。3.可以试着去掉D2和R6,这样芯片gate引脚才能控制

1、工字型电感它的前身是挠线式贴片电感,工字型电感是它们的改良, 挡板有效加强储能能力,改变EMI方向和大小,亦可降低RDC。它亦可说是讯号通讯电感跟POWER电感的一种妥协。工字型电感的缺点,仍是开磁路,有EMI的问题, 另外,噪音的问题比挠线式贴片电感大。2、色环电感色环电感是简单的棒形电感的加工,主要是用作讯号处理。本身跟棒形电感的特性没有很大的差别,只是多了一些固的物,和加上一些颜色方便分辨感值3、空心电感空心电感主要是讯号处理用途,用作共振,接收,发射….等等。4、环形线圈电感。

不挖：涡流产生与电感磁场反向的电磁场，抵消了一部分电感泄露的磁场，所以结果是铜箔把泄露的电磁场挡住了，防止了泄露的电磁波对电路其他部分的干扰，这与金属屏蔽电磁波的原理一致。挖：电感在工作时，其持续变化的电流产生的电磁波会或多或少的泄露出来，电感下方的铜箔受电磁波影响，就会有涡流出现，这个涡流，①可能对线路板上的信号线有干扰，②铜箔内的涡流会产生热量，实际上增加了电感的能量损耗，也就是降低了电源的效率。，这是最坏的情况，因为电感泄露的电磁场会畅通无阻，不仅为各层的信号线带来噪声，对EMC测试也是大为不利.

1.大公司有自己的物料库，考虑成本问题，直接统一用了10K或者4.7k2.功耗问题，STM32系列单片机为例，驱动电流也就100ma多一点，3.3V上拉或者下拉，实际电阻耗费的电流也就0.3ma那样3.内阻问题，单片机IO是有内阻的，所以上拉还是下拉都会起到分压作用。举个例子，boot引脚，如果分得的电压过高或者低，就会导致启动模式错误4.datasheet或者设计者工具推荐阻值5.还有一些其他的协议里 握手部分 注明了阻值

MLCC有经典的V型阻抗-频率曲线。随着频率升高，寄生电感的影响开始凸显，阻抗先变小再变大，这是MLCC的固有特性。曲线中的最低点就是MLCC的自谐振频率。），在某个频率下阻抗实际上随频率开始上升，这个频率点又被称为。然后为了电容发挥该有的作用，我们需要控制ESL，比如。尺寸越大的MLCC，自谐振频率就越低。将多个小电容（容值可以不一样的）并联。具体自谐振参数的影响表现在，中需要考虑该参数，并且要知道。并联后的总ESL会减小（），从而拓宽应用频率范围。由于 ESL 的存在（

1.小电容可以采用不同的容值，来拓展应用频率范围。（通常电容越大，其谐振频率越低）具体举个例子，输入和输出都按照DCDC设计助手推荐容值设计（采用多个并联）2.同时多个电容并联可以减少总体ESR和ESI。3.增加寿命，电解电容差不多几千个小时，MLCC几十万个小时。这种做法常见于开关电源，作用是。MP1584EN（已经测试）

总之,MOS做开关控制时，理想的pwm应该是方波，但是，实际上由于该电容的存在，加在gate的电压首先要给它充电，然后有一个电压爬升的时间，并不会一下就打通。如果把mos看成一个电子开关，那么在gate电压减去source电压小于2.8V时，该MOS相当于一个无穷大电阻（断路），反之，大于2.8v时，MOS的电阻接近0。上面说到gate电压减去source电压大于2.8V时，MOS的电阻接近0，那么在MOS完全打开时，MOS的电阻等于数据手册中的7mR。

当然应根据被测信号的频率特性和噪声水平进行权衡。过低的带宽可能会滤除有用信号，而过高的带宽则无法有效抑制噪声。可以隔离直流分量，便于观察纹波信号，但需注意AC耦合可能带来的相位偏移和截止频率限制。通常用于高速信号测量，因为它能提供更好的信号完整性，但会增加示波器的底噪声。以减少电磁干扰，确保地线的连接质量良好，避免形成环路，因为。1M欧姆输入阻抗则适用于大多数低频和中等频率信号的测量。比如10mv/格或20mv/格，，因为它能提供更低的噪声水平。环路会增强电磁感应效应。

便捷示波器通过USB2.0协议（480Mbps）将硬件内存（256Mbits）中的数据发送给PC端，从数据上来看没问题，但是USB2.0协议肯定很难跑到峰值，但降额50%似乎也有一定的冗余。一般用的是DDR的内存，所以写入肯定是没问题，但是ADC采样（200MSa/s）是采样了，真的就全部不失真的写入DDR内存中了嘛。（对于10MHz的方波信号，50M带宽的示波器虽然能够捕捉到其基本波形，但可能无法完全还原其所有谐波分量，导致波形略显圆滑。5倍原则：示波器的带宽至少应比被测信号的最高频率分量高5倍。

（当电路电压超过该值，TVS内部自由电子轰击原子核，大量电子被释放，形成雪崩，这时，TVS近乎于短路，提供了一个回流路径，保护后端电路）稳压管的稳压值是5.1V，电源电压是12V，就必须串一个电阻来承担超出的6.9V电压，如果串一个1kΩ的电阻电流就是12mA，如果串500Ω就是24mA，具体串多大的合适，要根据稳压管的耗散功率和负载电流决定。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。

那么我将五个TC4056和IP5306分别编号为ABCDEF，当其中A开始给锂电池充电时，DCDC模组输出的电压就会由一条相对平滑的输出线，实际买到的电容不会是理想电容，总会以为导线的寄生参数，和制造工艺等等会产生ESR，ESL问题。这种一般比上一个贵一点，但低于固态电容的价格，ESR，ESL相对上一个小一些，温度适中。而ESR相当于管道损耗，管道越长，ESR越大，损耗越多。这种一般很便宜，ESR,ESL相对大一些，一般发热量比较大，烫手。ESL越大，口径越小，电流变化越慢，也就是给电容充电速度越慢。

一.电阻器1.电阻值与精度差不多这样一个大小的本子，一般入门建议买0603的电容和电阻本，然后常用的值就单独拎出来，放元器件盒子总体上来说这些电阻阻值都是大差不差的，精度也无非 更小，1%，5%，或者更大的偏差，同样还有一些高精度的场合需要单独买一些不常见的电阻2.最大额定功率和封装这个其实就是相对来说看额定功率，贴片电阻0201、0402、0603、0805、1206、2512规格一般对应不同的额定功率。

在有一定数模电基础上，便可以学习此章节，本篇依旧为目录文件，会不断更新跳转链接。10.端子插针(接口)14.单片机最小系统板。

2.同样与LDO相比，负载响应和纹波就很大了，效率较高，所以一般第一级接220ac-dc,第二级接dc/dc,第三级接dc to ldo,大概意思就是LDO前一级接DCDC，这样DCDC弥补了LDO输入电压范围的缺陷，同时，LDO弥补了DCDC负载响应和纹波的不足。（同样，如果面临下一级LDO的负载索要电流稍微大一点，除了使用更大电流的LDO，还可以使用冗余电源设计）2.相对来说，LDO具有较高的负载响应，和较低的纹波，但遗憾的是效率较低，压差越大效率越低，同时输入的电压范围较少。