二极管的电容效应包括势垒电容CB和扩散电容CD两个部分。
1. 势垒电容CB(Cr)
在 PN 结的内部结构中,PN结空间内缺少导电的载流子,其电导率很低,因此相当于介质。而PN结两侧的P区和N区,P区空穴多,N区电子多,因为扩散,会在中间形成内建电场区。N区那边失去电子带正电荷,P区那边得到电子带负电荷。由于N 区和 P区积累了电子和空穴,其导电率很高,相当于金属导体。从这一结构来看,PN结等效于一个两个极板的电容器。当PN结两端加正向电压时,PN 结导通,促进了电流的形成,PN结区域变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容"放电"。当PN结两端加反向电压时, PN 结截止,PN结变宽,结中空间电荷量增多,相当于电容"充电"。这种现象可以用一个电容来模拟,我们称之为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时,势垒电容减小;反向电压减小时,势垒电容增大。变容二极管,就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。
2. 扩散电容CD
当给二极管加正向偏压时,在 PN 结两侧的少子扩散区内,都有一定的少数载流子的积累,而且它们的密度随电压而变化,