- 博客(4)
- 收藏
- 关注
RSS订阅原创 运算放大器失调/增益/共模抑制/电源抑制参数测量
本文围绕运算放大器LM358的关键参数测量展开研究。通过搭建专用测试电路，采用仿真与实测相结合的方法，系统地测量了输入失调电压、输入偏置/失调电流、开环增益、共模抑制比及电源抑制比等参数。
2025-10-02 15:32:19
2017
原创 模拟芯片版图——后仿真方法
本文介绍了两种后仿真方法：方法1在ADE assembler下层仿真的环境变量中添加calibre，使系统自动导入schematic前找到calibre结果；方法2通过config设置，在顶层仿真时添加多个calibre文件进行扫描。
2025-09-24 20:11:08
488
原创 CMOS反相器及反相器链的设计与优化
本文介绍了两个内容：1. 基于0.18um工艺的反相器参数仿真与优化研究。实验设计了四种不同宽长比的反相器进行瞬态和DC仿真，分析了宽长比变化对开关阈值点和延时特性的影响。研究发现当PMOS/NMOS宽长比取2:1时性能最优，并指出在先进工艺中可能需要3:1的比例。2. 研究了反相器链驱动大电容负载的优化方法，通过理论计算和仿真验证得出四级反相器链（每级增大4倍）是最佳方案，其延时性能优于其他级数配置。
2025-09-21 20:08:51
2170
原创 基于密勒补偿的两级运算放大器原理图设计流程
本文介绍了一款基于CMOS018工艺设计的两级运算放大器，采用带密勒补偿的五管差动放大器作为第一级、共源级放大器作为第二级结构。通过理论分析和参数计算，确定了各MOS管的宽长比、补偿电容等关键参数。仿真结果表明，该运放直流增益60.1dB，单位增益带宽6.189MHz，相位裕度66.42°，功耗0.325mW，输入范围0.25-3.25V，共模抑制比92.6dB，压摆率18.1V/us，完全满足设计要求。该设计采用传统萨支唐方程推导方法，适合180nm工艺下的入门级运放设计需求。
2025-09-21 00:18:28
2762
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人