D类音频功放NS4150B

主要参考资料:
D类音频功放NS4110B电路设计: https://blog.youkuaiyun.com/weixin_42107954/article/details/126037955

依葫芦画瓢的电路

在设计功放电路时,直接copy了别人的电路,却将喇叭由原来的8Ω1W替换为了4Ω3W。测试时,毫无意外声音没有出来,下面一步步查找原因。

手册应用说明

9.8 电源去耦电容

电源端加适当的去耦电容可以确保器件的高效率及最佳的 THD+N 性能(Total Harmonic Distortion(THD)是衡量信号失真程度的核心指标,定义为基波信号以外的谐波成分总有效值与基波有效值的百分比。),同时为得到良好的高频瞬态性能,希望电容的 ESR 值要尽量小。一般使用 1uF 的陶瓷电容将 VDD 旁路到地。去耦电容在布局上应尽可能的靠近芯片的 VDD 放置。如果希望更好地滤除低频噪声,则需要根据具体应用添加一个10uF 或更大的去耦电容。
在这里插入图片描述
采用了一个1uf 和一个22uf的电容组合。

9.9 增益设置和输入电阻

在这里插入图片描述
看我的设计电路,150KΩ,增益1.5dB
如果将Rin替换成10KΩ,增益24dB
按照功率放大倍数分贝数定义:K=10lg(Po/Pi),其中K为放大倍数的分贝数,Po为放大信号输出,Pi为信号输入。
0db = 1倍
6db = 2倍
20db = 10倍
40db = 100倍
60db = 1000倍
80db = 10000倍
-6db = 1/2倍
-20db = 1/10倍
-40db = 1/100倍
在这里插入图片描述

9.10 输入滤波器

在这里插入图片描述
截止频率是滤波器幅度响应(信号增益)下降到最大值的约 -3 dB(即功率下降为一半)时对应的频率点。
高于截止频率的信号能较完整地通过(衰减较小),而低于截止频率的信号会被显著衰减。
150kΩ,100nf算下来我的截止频率是10.6hz
比较完美覆盖人声频率20hz-20khz
如果将Rin改小,相应的就要提高Cin
以10kΩ为例,Cin相应改为1uf,截止频率为15.9hz,符合条件。

在这里插入图片描述

9.11 磁珠与电容

在这里插入图片描述
电路布局上没有明显EMI干扰,因此没有考虑磁珠。
在这里插入图片描述

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