集成光电子

干法刻蚀设备：磁场增强反应离子刻蚀设备、电容耦合等离子体刻蚀设备、电感耦合等离子刻蚀设备等等。（在以后的文章里会详细介绍相关的设备，今天在这里不做详细介绍）。前面几篇主要讲解了刻蚀分类中的湿法刻蚀，基于湿法刻蚀的缺点以及特点。都会影响刻蚀的速率，选择性、均匀性以及刻蚀所得的轮廓。：氯基气体、氟基气体、惰性气体（辅助性气体）等。，下一篇更新一些关于干法刻蚀更详细的内容。下进行薄膜的刻蚀技术。（之间的比较会另外详细讲解）、刻蚀过程中设备所提供的。

首先在湿法刻蚀基本原理是待刻蚀的材料以浸没的形式在特定的溶液中进行腐蚀，使材料和溶液进行一系列的化学反应，从而达到一个腐蚀（刻蚀）的效果。1、酸 ：氢氟酸（HF）、盐酸（HCL）、硫酸（H2SO4）、磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、醋酸（CH3COOH）、缓冲氧化刻蚀BOE(49%HF水溶液：40%NH4F水溶液=1：6（体积比）的成分混合而成)常用的金属：铝（Al）、铜（Cu）、铬（Cr）、钛（Ti）、铂（Pt）、金（Au）、银（Ag）等。4、配合使用的设备：磁力搅拌加热器、超声机、摇床等。

刻蚀速率在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀能停止，这一现象被称为深宽比相关刻蚀（ARDE），也被称为微负载效应。举个例子：当光刻胶作为掩膜需要去刻蚀SIO2，用干法刻蚀，这时就需要考虑刻蚀时在同等的时间，光刻胶和SIO2的刻蚀比。所以刻蚀与光刻是相关联的，曝光显影的图形质量也是决定刻蚀后的图形质量，这点对于尺寸以及线宽要求极为严格的图形来说非常重要。：在任何的刻蚀工艺中，总会有一定程度的、计划的过刻蚀，以便允许表层厚度变化，再或者是为了下一步工艺的要求等等。：湿法喷雾刻蚀、浸没刻蚀。

在大规模的集成电路生产中，为避免因掩模版与晶圆片的直接接触而导致的与接触式光刻不同，接近式光刻中的掩模版与晶圆片上的光刻胶之间充了氮气，掩模版浮在氮气之上，掩模版与晶圆片之间的间隙大小由氮气的气压来决定。这里再提一嘴，光源的波长是影响光刻精度的主要原因，由于光源波长的限制，X射线曝光可达到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而电子的波长较小，因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。以上是对光刻机的大致介绍，希望对大家有所帮助，同时诚心希望尊敬的读者们提出宝贵的意见。

由于光刻胶在显影后要经过不同的工艺，如湿法刻蚀、干法刻蚀、离子注入等，这会引起光刻胶的结构变化，不易被去除，因此需要剥离液对光刻胶有较强的溶解性能。光刻胶是光刻工艺的核心。：曝光速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度就越大，负光刻胶通常需5～15s时间曝光，正光刻胶较慢，其曝光时间为负胶的3～4倍。光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一种感光材料，其中的感光成分在光的照射下会发生化学变化，从而引起溶解速率的改变，其。，提高光刻胶与晶圆片之间的黏附性，减少由光刻胶黏附性不好而引起的缺陷，从而提高光刻胶的抗湿法腐蚀性能。

此类掩模版需要利用光学相位差进行光强补偿，由于光刻机的曝光波长不同（如曝光波长为248nm的KrF深紫外光刻机，或曝光波长为193nm的ArF光刻机），需要分别使用对应248nm或193nm波长下可提供180 °相位补偿透光光强的KrF移相光掩模或ArF移相光掩模。匀胶铬版光掩模可应用的光学范围很广，覆盖了g线、i线，以及包括KrF（波长248nm）和ArF（波长193nm）的深紫外光刻工艺，曝光光源的波长极限决定了关键尺寸的技术节点。以上是对于掩模版讲述，希望能对你有所帮助，下一篇是对于光刻胶的介绍。

沈阳芯源：开发GaN刻蚀机，采用ICP+RIE复合模式，刻蚀速率＞500nm/min，选择比（GaN/Si）＞200:1。：支持5nm及以下逻辑芯片介质刻蚀，匹配台积电（TSMC）N3工艺，均匀性＜3%，关键尺寸（CD）偏差＜0.8nm。：采用Cl₂/BCl₃混合气体，刻蚀速率＜0.1μm/min，侧壁倾斜角控制＜85°，减少金属残留（＜5nm）。：2MHz低频控制离子能量（＜50eV），60MHz高频调控等离子体密度，减少侧壁粗糙度（＜0.3nm）。