HDU6058 [2017多校联合3] Kanade's sum 我可能是个假链表

Kanade's sumhttp://acm.hdu.edu.cn/showproblem.php?pid=6058

题意:给array A[1..n],定义f(l,r,k)为区间A[l..r]中第k大的元素

(当[l..r]中元素不满足k个时,f()=0),计算 nl=1nr=lf(l,r,k)

分析:计算所有可组成的连续区间中,第k大的元素之和

等价于==>对每一元素,当它为第k大时所在的区间个数*它本身(A[1..n]是数字从1到n的排列)

Sample Imput

1

5 2

1 2 3 4 5

Sample Output

30【=1(1,2)+2*2(2,3),(1,2,3)+3*3(3,4),(2,3,4),(1,2,3,4)+4*4(4,5),(3,4,5),(2,3,4,5),(1,2,3,4,5)


#include <cstdio>
#include <cstring>
#include <algorithm>
using namespace std;
const int maxn=500009;
int T,n,k,a[maxn],pos[maxn],pre[maxn],np[maxn];
int s[maxn],t[maxn];
long long ans=0;

int main()
{
    scanf("%d",&T);
    while(T--)
    {
        scanf("%d%d",&n,&k);
        for(int i=1;i<=n;i++)
        {
            scanf("%d",&a[i]);
            pos[a[i]]=i;//记录元素位置
            pre[i]=i-1;//链表前驱
            np[i]=i+1;//链表后继
        }
        ans=0;
        int s0=0,t0=0;
        for(int num=1;num<=n-k+1;num++)//枚举可能成为第k大的数[1..n-k+1]
        {
            int p=pos[num];//元素num的位置
            //???
            s0=0,t0=0;
            //寻找前后k个比它大的数
            for(int i=p;i&&s0<=k+1;i=pre[i])
                s[++s0]=i;
            for(int j=p;j<=n&&t0<=k+1;j=np[j])
                t[++t0]=j;
            //首尾额外添加两个无限大的数
            s[++s0]=0;
            t[++t0]=n+1;
            for(int i=1;i<=s0-1;i++)
            {
                int tmp=k-i+1;
                if(tmp<=t0-1&&tmp>0)
                    ans+=(s[i]-s[i+1])*1LL*(t[tmp+1]-t[tmp])*num;
                    //*1LL是为了在计算时,把int类型的变量转化为long long,然后再赋值给long long类型的变量
            }
            //从链表中将此数删除
            int tpre=pre[p];
            int tnp=np[p];
            if(tpre) np[tpre]=tnp;
            if(tnp<=n) pre[tnp]=tpre;
            pre[p]=np[p]=0;
            //???
       }
        printf("%I64d\n",ans);
    }
    return 0;
}


资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/9648a1f24758 在 JavaScript 中实现点击展开与隐藏效果是一种非常实用的交互设计,它能够有效提升用户界面的动态性和用户体验。本文将详细阐述如何通过 JavaScript 实现这种功能,并提供一个完整的代码示例。为了实现这一功能,我们需要掌握基础的 HTML 和 CSS 知识,以便构建基本的页面结构和样式。 在这个示例中,我们有一个按钮和一个提示框(prompt)。默认情况下,提示框是隐藏的。当用户点击按钮时,提示框会显示出来;再次点击按钮时,提示框则会隐藏。以下是 HTML 部分的代码: 接下来是 CSS 部分。我们通过设置提示框的 display 属性为 none 来实现默认隐藏的效果: 最后,我们使用 JavaScript 来处理点击事件。我们利用事件监听机制,监听按钮的点击事件,并通过动态改变提示框的 display 属性来实现展开和隐藏的效果。以下是 JavaScript 部分的代码: 为了进一步增强用户体验,我们还添加了一个关闭按钮(closePrompt),用户可以通过点击该按钮来关闭提示框。以下是关闭按钮的 JavaScript 实现: 通过以上代码,我们就完成了点击展开隐藏效果的实现。这个简单的交互可以通过添加 CSS 动画效果(如渐显渐隐等)来进一步提升用户体验。此外,这个基本原理还可以扩展到其他类似的交互场景,例如折叠面板、下拉菜单等。 总结来说,JavaScript 实现点击展开隐藏效果主要涉及 HTML 元素的布局、CSS 的样式控制以及 JavaScript 的事件处理。通过监听点击事件并动态改变元素的样式,可以实现丰富的交互功能。在实际开发中,可以结合现代前端框架(如 React 或 Vue 等),将这些交互封装成组件,从而提高代码的复用性和维护性。
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