BZOJ4698-[sdoi2008] Sandy的卡片

本文介绍了一个经典的算法题目——Sandy的卡片问题,该问题涉及到序列比对和子串匹配等内容。文章详细解释了如何通过计算序列差值、使用KMP算法以及多次计算失败函数来找到能兑换的最高等级的人物模型。

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[sdoi2008] Sandy的卡片
时限 0.5s

Sandy和Sue的热衷于收集干脆面中的卡片。

然而,Sue收集卡片是因为卡片上漂亮的人物形象,而Sandy则是为了积攒卡片兑换超炫的人物模型。

每一张卡片都由一些数字进行标记,第i张卡片的序列长度为Mi,要想兑换人物模型,首先必须要集够N张卡片,对于这N张卡片,如果他们都有一个相同的子串长度为k,则可以兑换一个等级为k的人物模型。相同的定义为:两个子串长度相同且一个串的全部元素加上一个数就会变成另一个串。

Sandy的卡片数远远小于要求的N,于是Sue决定在Sandy的生日将自己的卡片送给Sandy,在Sue的帮助下,Sandy终于集够了N张卡片,但是,Sandy并不清楚他可以兑换到哪个等级的人物模型,现在,请你帮助Sandy和Sue,看看他们最高能够得到哪个等级的人物模型。

输入:

第一行为一个数N,表示可以兑换人物模型最少需要的卡片数,即Sandy现在有的卡片数

第i+1行到第i+N行每行第一个数为第i张卡片序列的长度Mi,之后j+1到j+1+Mi个数,用空格分隔,分别表示序列中的第j个数

输出:

一个数k,表示可以获得的最高等级。

输入样例:

2

2 1 2

3 4 5 9

输出样例:

2

数据范围:

30%的数据保证n<=50

100%的数据保证n<=1000

题解:10年前的省选题!现在看来也不是很难。

这道题有三个问题。第一,这题是加上一个数相等就行,但是它们之间的差是一样的,所以可以将每个两两相邻元素的差作为新的序列进行匹配。第二,多个串一起匹配,可以选择一个串作为模式串与其他串比较。第三,这题中模式串可以从任意位置开始比较,我们注意到n非常小,所以可以n次计算fail数组,kmp时只需要求max(fail[i])就行了,每一次计算取min,最后总体ans再取max(很搞是吗)。这显然非常暴力,所以我们可以用后缀数组来维护(以下代码中没有,因为我不会),当然可以看这里了解这个做法。

Code:

#include<iostream>
#include<cmath>
#include<cstring>
#include<cstdio>
#include<algorithm>
#include<cstdlib>
#define N 1005
#define inf 1000005
using namespace std;
int ans,b[N],fail[N];
struct node
{
	int len,val[N],kmp[N];
}a[N];
int inline read()
{
	int x=0,f=1;char s=getchar();
	while(s>'9'||s<'0'){if(s=='-')f=-1;s=getchar();}
	while(s<='9'&&s>='0'){x=x*10+s-'0';s=getchar();}
	return x*f;
}
int main()
{
	int n=read();
	for(int i=1;i<=n;i++)
	{
		a[i].len=read();
		for(int j=1;j<=a[i].len;j++)
			a[i].val[j]=read();
		for(int j=1;j<a[i].len;j++)
			a[i].kmp[j]=a[i].val[j+1]-a[i].val[j];
	}
	for(int len=1;len<a[1].len;len++)
	{
		memset(fail,0,sizeof(fail));
		int m=a[1].len-len;
		for(int i=len;i<=a[1].len;i++)
			b[i-len+1]=a[1].kmp[i];
//		for(int i=1;i<=m;i++)cout<<b[i]<<" ";cout<<endl;
		int k=0;
		for(int i=2;i<=m;i++)
		{
			while(k>0&&b[k+1]!=b[i])k=fail[k];
			if(b[k+1]==b[i])k++;
			fail[i]=k;
		}
		int ans_tem=inf;
		for(int i=2;i<=n;i++)
		{
			int ans_sec=0;k=0;
//			for(int j=1;j<a[i].len;j++)cout<<a[i].kmp[j]<<" ";cout<<endl;
			for(int j=1;j<a[i].len;j++)
			{
				while(k>0&&b[k+1]!=a[i].kmp[j])k=fail[k];
				if(b[k+1]==a[i].kmp[j])k++;
				ans_sec=max(ans_sec,k);
				if(k==m)break;
			}
//			cout<<ans_sec<<endl;
			ans_tem=min(ans_tem,ans_sec);
		}
//		cout<<ans_tem<<endl;
		ans=max(ans,ans_tem);
	}
	printf("%d\n",ans+1);
	return 0;
}

资源下载链接为: https://pan.quark.cn/s/abbae039bf2a 无锡平芯微半导体科技有限公司生产的A1SHB三极管(全称PW2301A)是一款P沟道增强型MOSFET,具备低内阻、高重复雪崩耐受能力以及高效电源切换设计等优势。其技术规格如下:最大漏源电压(VDS)为-20V,最大连续漏极电流(ID)为-3A,可在此条件下稳定工作;栅源电压(VGS)最大值为±12V,能承受正反向电压;脉冲漏极电流(IDM)可达-10A,适合处理短暂高电流脉冲;最大功率耗散(PD)为1W,可防止器件过热。A1SHB采用3引脚SOT23-3封装,小型化设计利于空间受限的应用场景。热特性方面,结到环境的热阻(RθJA)为125℃/W,即每增加1W功率损耗,结温上升125℃,提示设计电路时需考虑散热。 A1SHB的电气性能出色,开关特性优异。开关测试电路及波形图(图1、图2)展示了不同条件下的开关性能,包括开关上升时间(tr)、下降时间(tf)、开启时间(ton)和关闭时间(toff),这些参数对评估MOSFET在高频开关应用中的效率至关重要。图4呈现了漏极电流(ID)与漏源电压(VDS)的关系,图5描绘了输出特性曲线,反映不同栅源电压下漏极电流的变化。图6至图10进一步揭示性能特征:转移特性(图7)显示栅极电压(Vgs)对漏极电流的影响;漏源开态电阻(RDS(ON))随Vgs变化的曲线(图8、图9)展现不同控制电压下的阻抗;图10可能涉及电容特性,对开关操作的响应速度和稳定性有重要影响。 A1SHB三极管(PW2301A)是高性能P沟道MOSFET,适用于低内阻、高效率电源切换及其他多种应用。用户在设计电路时,需充分考虑其电气参数、封装尺寸及热管理,以确保器件的可靠性和长期稳定性。无锡平芯微半导体科技有限公司提供的技术支持和代理商服务,可为用户在产品选型和应用过程中提供有
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