WIN Semis揭幕耐湿砷化镓pHEMT技术

​犹如为无线通信领域注入了一股清新的活力。这项技术不仅支持E频带，更在晶圆级上筑起了一道坚固的防潮屏障，满足了对严苛环境条件的bHAST挑战。今日，WIN半导体公司正式公布了0.1µm pHEMT技术PP10-29的测试版，预示着通信领域的新篇章。

PP10-29，这一技术的璀璨明珠，根植于久经考验的PP10平台之上，汲取了WIN半导体公司第二代防潮工艺EMRII的精华。EMRII如同为晶体管量身打造的铠甲，它在晶圆级上形成了一层机械保护，抵御潮湿的侵袭，同时巧妙地利用局部气腔设计，将附加寄生电容的影响降至最低，确保了放大器在增益、噪声系数和输出功率上的卓越表现。

PP10-29的心脏是一颗多功能的0.1µm栅极D型芯片，其ft/fmax分别高达145GHz和180GHz，宛如一位高效的舞者，在4V的舞台上尽情挥洒。该平台在150mm GaAs基板上精心雕琢，拥有两个互连金属层、空气桥跨接、精密TaN电阻器等精致部件，更配备了单片PN结二极管用于紧凑的片上ESD保护电路，以及晶片通孔实现低电感接地。这一切，都为PP10-29赋予了无尽的潜力。

PP10-29不仅为封装和组装提供了新的可能，更支持多种DC和RF I/O配置，从标准引线键合到正面铜凸块/RDL，再到芯片通孔RF和DC转换，一应俱全。它的问世，无疑将加速新产品的开发，为无线通信领域带来更加丰富多彩的选择。

目前，PP10-29已开放早期访问MPW运行，资格测试已圆满完成。预计最终建模/PDK生成将于2024年8月完成，全面生产发布则定于2024年第三季度末。届时，WIN半导体公司将在华盛顿特区举行的IMS 2024上，向全球展示其领先的化合物半导体射频和毫米波解决方案，让我们共同期待这一激动人心的时刻。
 

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