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RSS订阅原创 深度理解电容、电感器件频率特性在射频中的应用
电容和电感的频率选择性特性源于其能量存储机制与电磁感应定律的相互作用。电容通过电场储能实现隔直通交，电感通过磁场储能实现通直隔交，两者共同构成现代电子系统频率控制的基础。在电路设计中，需结合具体频率范围、功率等级和成本要求，合理选择元件类型和参数配置，另外在射频匹配电路中，还要注意两者LC拓扑电路的给电路带来的差异。
2025-05-22 15:42:31
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原创 深度理解Q值与射频匹配的应用
定义：电感的Q值等于其理想感抗（电感本身储存能量）与其寄生电阻（导致能损失的非理想部分）之比。公式QL=RωL其中，ω=2πf，L为电感值，R为等效串联电阻（ESR），f为工作频率。物理意义：Q值高，说明该电感储能能力强、损耗小，更适合高频和射频应用。Q值代表了无源器件或回路的“品质”，Q高则损耗小，适合高频、射频应用。电感Q值=感抗/等效串联电阻，电容Q值=容抗/等效串联电阻。在2.4G电路（射频匹配）中，应选用Q值高的电感与电容，以保障信号效率和匹配网络的低损耗。
2025-05-20 10:40:37
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原创 深度探讨上电时序问题
对于上电时间要求，到底是多少ms？因为两个都是变量，chip_en是来自RC延迟充电，但是给他充电的VBATL是动态的，不是简单的利用RC充电公式就计算出来的，为了解决这个问题，继续来一篇科普深度探索一下上电时序问题。但是这个问题经常会被忽略，因为这个上电要求其实很宽泛，不见得稍微违反就立马工作不起来，但是往往小问题容易翻车，在强大的墨菲定律面前，当量产数量足够大，没有保证好上电时序的产品就会出现各种花式异常表现，如启动异常，工作不稳定，蓝牙断连，flash数据异常等等，俗称“量产小概率事件”。
2025-04-02 14:26:34
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原创 I2C 400kHz速率上拉电阻选择指南
最近在客户端遇到一些因I2C电阻选择不合适，导致的BLE芯片无法使Gsensor外设进入低功耗模式，一度怀疑BLE芯片I2C接口软件配置问题，查了半天才发现是客户上拉电阻10K，导致的通信异常，因此写一遍科普文，对于400KHZ通信速率该如何选择上拉电阻。例如，R_{pullup} = 1kΩRpullup=1kΩ、V_{dd}=3.3VVdd=3.3V 时，电流 I = 3.3mAI=3.3mA。：快速模式（400kHz）的**最大上升时间（Tr）**为。：对于400kHz速率，上拉电阻通常在。
2025-03-28 10:49:51
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原创 BLE硬件应用专栏
本专栏专注于BLE硬件应用开发，专治各种软硬件疑难杂症问题，从芯片原厂硬件参考设计，BOM选型，PCB layout，板级性能调试，RF以及天线调优，到可靠性、产品认证整改等等，涉及整个产品应用开发过程，从理论到实践，解决芯片到产品量产落地阶段的各种问题。
2023-08-08 10:26:57
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空空如也
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