tap_cell

最新推荐文章于 2025-09-01 18:00:56 发布
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博客提供了一个链接http://noyesno.net/page/asic/tap - cell.html ，可能与ASIC相关信息技术内容有关。
Power Switch与Tap Cell关系
m0_61544122的博客
08-07 1915
tap cell可以选用一般类型的tap cell，无须secondary pg pin，因为此时switch cell的阱电位接到输入power net上了，switch cell可以正常上电，也可以给core内正常供电，tap cell的阱电位接switch cell输出的power，需要注意的是此时switch cell与core内其他cell的阱电位是不同的，所以为了避免drc问题，需要在switch上盖hard blockage或者keepout margin。2）自带阱偏置的switch。
低功耗设计-Power Switch
m0_61544122的博客
07-03 1万+
power gating与power switch cell
Tap Cell
qq_34110120的博客
10-11 1万+
http://noyesno.net/page/asic/tap-cell.html   N Well和P-Substrate形成了一个PN结，为了避免这个PN结被正向偏置(Forwad Bias)，最容易的办法是把N-Well连接到最高电压上，同时把P-Substrate连接到最低电压上。为了这个目的的连接被称做Well Ties和Substrate Ties，有时也叫做Well Conta...
数字后端tap cell：新老工艺tap cell区别
最新发布
u011075954的专栏
09-01 572
它的主要作用是为晶体管所在的“衬底”和“阱”提供稳定的电位连接，最终接到电源（VDD）或地（VSS）网络。当这些单元在版图上紧密排列在一起时，它们自带的Tap点就会自然连接成网，形成一个完整的、覆盖整个芯片的电位连接网络。为了保持Tap网络的连续性，单元必须紧密排列，不能随意留空，这给后期布线优化带来了限制。然而，在先进工艺中，与Latch-up带来的巨大风险相比，这微小的面积代价是完全值得且必须接受的。具体数值取决于工艺厂规定的间距——规则越严苛（间距越小），插入的密度就越高，面积开销也相应越大。
endcap和welltap_求教icc的add_tap_cell_array
weixin_35890512的博客
02-23 1809
我脚本写的是：add_tap_cell_array -master_cell_name {FILLTIE4} \-distance 50 \-pattern every_other_row \-tap_cell_identifier tap_cell_prefix有source过我的ref_lib，当然包括std lib的。std fram和std cel也都开了r和w的权限。ERROR: can...
数字后端基本概念介绍<Tap Cell>
热门推荐
Tao_ZT的博客
03-18 1万+
今天要介绍的数字后端基本概念是Tap cell, 也被称为welltap cell。这也是一种特殊的物理单元。 welltap是只包含well contact的cell，...
每隔60u放置一个tapcell
weixin_57298395的博客
03-01 1062
还记不记得缺少tapcell就会报drc？建议确定floorplan之后就要在s01补全在数字后端（Digital Backend）设计中，TAP Cell（也称为 Welltap Cell）是一种特殊的标准单元（Standard Cell），主要用于连接 P-Well 或 N-Well 的 Well Tie，以及提供基板接地（substrate tap），确保电路的可靠性。
ICC-tcl add_tap_cell_array
03-22
嗯，用户问的是关于ICC-TCL中的add_tap_cell_array命令。我需要先回忆一下这个命令的用途和基本语法。记得这个命令是在布局设计中用来插入tap单元阵列的，主要为了满足制造工艺中的阱和衬底连接需求，防止闩锁效应。...
ICC-tcl -tap_cell_identifier {pretaperfill}
03-19
好的，我现在需要解释一下ICC-TCL命令中的“-tap_cell_identifier {pretaperfill}”这个选项。首先，我得回忆一下ICC（Intel或Synopsys的工具？这里可能是指Synopsys的IC Compiler）中关于tap cell和TCL命令的相关...
cap_fill_cell std_fill_cell tap_fill_cell有什么区别
05-17
- `tap_fill_cell` 函数也是用于布局布线流程中的，它的作用是在布局中填充具有特殊用途的单元格，例如用于电源和接地的填充单元格。这个函数通常只能用于特定的布局布线流程中。 在使用这三个函数时，需要根据具体...
tsmc12 加tap cell/boundary cell失败原因总结
m0_61544122的博客
08-10 913
我正在「拾陆楼」和朋友们讨论有趣的话题，你⼀起来吧？
请解释下面这段matlab代码： Tap_nums=448; Tap_test=399; debug_tap=399; [filename,~]=uigetfile('*.txt','MultiSelect', 'on','选择相关文件'); cell_judge=double(iscell(filename)); if cell_judge==0 filename={filename}; elseif cell_judge==1 filename=filename; end for test_num=1:length(filename) File_name=filename{test_num}; Data_column=textread(File_name,'%f','headerlines',4); Total_tap_pressure=reshape(Data_column,[Tap_nums+1,length(Data_column)/(Tap_nums+1)])'; [index_row,index_column]=find(Total_tap_pressure>200); try num_index=[1:index_row(1)-1,index_row(1)+1:floor(size(Total_tap_pressure,1)/Fs)*Fs]; catch num_index=[1:length(Total_tap_pressure)]; end %Total_tap_pressure=Total_tap_pressure(num_index,:); Dynamic_ref_height_pressure=mean(Total_tap_pressure(num_index,Tap_test+2))-... mean(Total_tap_pressure(num_index,Tap_test+3)); end
06-12
因此，代码通过iscell函数判断返回值是否为字符串数组，如果不是，则将其转换为一个包含一个元素的字符串数组。 接下来，使用for循环遍历所有的文件名，读取文件中的数据，利用textread函数将数据读取到Data_column...
低功耗IC后端培训 | 盘点Power Switch Cell在实际项目中应用注意事项
weixin_37584728的博客
05-23 7206
随着工艺制程越做越小和芯片规模越来越大，芯片的leakage的比重越来越高，数字后端实现时就得考虑leakage的优化。而leakage优化很重要的一个手段就是power gating。Power Gating字面意思就是对电源Power进行控制，即通过切断电源网络的方式来节省leakage。之所以能这么干，是因为芯片中有的模块并不需要一直处于工作的状态。所以我们仅仅需要在模块需要工作的时候给它供上电即可。这个可以通过我们预先设置的控制信号来做控制。
【数字后端】物理单元介绍
stm32stu的博客
01-17 4059
最后介绍一下MIMCAP，其中MIM指的是Metal-Insulator-Metal，这是一种特殊类型的用来提供电容的cell，区别于DECAP的主要特点是电容量较大，大小也比一般的std cell要大很多，而且使用的金属层一般比较高，可以重叠放在绝大部分类型的cell上而不产生DRC。在集成电路制造过程中，无论是注入还是刻蚀，贴近空旷的区域的一边都倾向于受到更多的刻蚀或者注入，这样无疑会增大cell的variation，进而对时序的准确性产生负面影响。，防止电源线的电压降和地线电压的升高。
数字IC笔记——物理单元介绍（一）
sinat_41774721的博客
07-22 6378
还起到隔离普通信号和VDD、VSS的作用，在做LVS或形式验证的时候不至于引起混乱。Boundarycell也称Endcapcell,在28nm以及更小的工艺中，为了保证栅以及氧化层的一致，需要在标准单元Row两端放置Endcapcell。Tapcell的作用就是通过固定间距对衬底施加偏置电压减小衬底的寄生电阻，使三极管无法达到导通要求从而切断闩锁效应的正反馈环路，消除闩锁效应。，在CMOS工艺中，由于npn和pnp型晶体管的存在，以及寄生电阻R2和R3的存在使两个晶体管相互耦合组成一个。.........
Tap Cell Usage Guidlines阅读笔记
Clara_D的博客
01-07 6432
最近在学习数字后端综合，在选择参考库的时候会遇到一个选择库的问题。 以TSMC工艺库为例，名称中带有bwp的就是所谓的tap-less libraries，那这篇文章就来分享一下什么是tap-less libraries。 note: tap-less means no well-tap connecion, e.g. no pickups. 1. 什么是tap cell tap cell就是well会连接到VDD或者GND的单元，分为back-bias tap-cell和none back-bias t
数字后端——物理单元介绍
sinat_41774721的博客
06-22 5998
物理单元介绍
well tap cells的结构以及如何在物理设计流程中放置他们
旺旺家族的传说
07-24 1万+
well tap cell是为了防止CMOS设计中的闩锁效应 well tap cell的N井连接VDD P衬底连接VSS,没有逻辑功能,是physical only cells之一; structure 用处 在早期没有well tap cell的时候,每个标准单元都要一个N井连VDD,P衬底连VSS(接地),但是这种结构很耗费面积,之后一种Tapless cell应运而生,也就是在标准单元上没有well taping; 而为啥之前N井要接 power_supply 而P_sub要接ground 就是为
数字后端基本概念介绍＜Tap Cell＞
IC后端小白的博客
08-27 8860
今天要介绍的数字后端基本概念是Tap cell, 也被称为welltap cell。这也是一种特殊的物理单元。 welltap是只包含well contact的cell，将衬底接到电源和地网络，避免衬底悬浮。主要防止CMOS器件的寄生闩锁效应（latch-up） 一般tap cell的作用范围是30~40um, 即每隔60um左右放置一个tap cell，具体的数据要参考工艺商给的document well tap cell一般交错摆放，类似棋盘分布。如下图所示： 使用方法 命令..
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