为什么 NOR Flash 支持代码直接执行（XIP）而 NAND Flash 不支持？

1. 物理结构与访问方式差异

特性	NOR Flash	NAND Flash
存储单元布局	并行栅极结构，每个存储单元独立可寻址	串行块结构，数据按页（Page）和块（Block）组织
访问方式	支持随机访问（任意地址直接读取）	仅支持顺序/块访问，需按页读取数据
读取粒度	字节/字级别	页级别（通常 4KB~16KB）
读取延迟	低（~100ns）	高（需预读取整页，延迟约 25μs~100μs）
接口设计	直接映射地址总线，类似RAM	需通过复杂控制器转换逻辑地址与物理块

关键原因：

• NOR Flash 的并行结构和独立寻址能力允许 CPU 直接通过地址总线访问任意代码指令，无需中间缓冲区。
• NAND Flash 的串行块结构和页读取机制导致其无