关于单片机IO口接开关三极管的疑惑

关于以下问题的不完全解答：

1、对于NPN型管，高电平驱动。基极电阻与单片机IO内部上拉电阻为串联，增加基极电阻也就增加了该电阻的分压。当电阻较小时分压不够，可能使IO口电位低于达到高电平的最小电压，从而被外部拉低。

2、对于PNP型管，低电平驱动。若如下面方式连接，则三极管实际只能工作在放大区和截止区，而开关电路通常需要的是饱和区（基极电流对集电极电流影响很小）和截止区，而为了这样，设计时通常将负载放在集电极。

3、本问题实际还是未解决，待续。