2.5 晶体管单管放大电路的三种基本接法

本文介绍了三种基本晶体管放大电路:共射、共集和共基电路的特点与应用。共射电路适合低频电压放大,共集电路适合作为电压跟随器使用,而共基电路适用于宽频带放大。

一、基本共集放大电路

1、电路的组成

根据放大电路的组成原则,晶体管应工作在放大区,即uBE>uonu_{BE}>u_{on}uBE>uonuCE>uBEu_{CE}>u_{BE}uCE>uBE,所以在图2.5.1所示基本共集放大电路中,晶体管的输入回路加基极电源VBBV_{BB}VBB,它与RbR_bRbReR_eRe共同确定合适的基极静态电流;晶体管的输出回路加集电极电源VCCV_{CC}VCC,它提供集电极电流和输出电流。画出图(a)所示电流的直流通路如图(b)所示,电源VBBV_{BB}VBBVCCV_{CC}VCC的负端接地;交流通路如图(ccc)所示,集电极是输入回路和输出回路的公共端。在这里插入图片描述交流信号uiu_iui输入时,产生动态的基极电流ibi_bib,驮载在静态电流IBQI_{BQ}IBQ之上,通过晶体管得到放大了的发射极电流iEi_EiE,其交流分量iei_eie在发射电阻ReR_eRe上产生的交流电压即为输出电压uou_ouo。由于输出电压由发射极获得,故也称共集放大电路为射极输出器。

2、静态分析

在图2.5.1(b)所示直流通路中,列出输入回路的方程VBB=IBQRb+UBEQ+IEQRe=IBQRb+UBEQ+(1+β)IBQReV_{BB}=I_{BQ}R_b+U_{BEQ}+I_{EQ}R_e=I_{BQ}R_b+U_{BEQ}+(1+\beta)I_{BQ}R_eVBB=IBQRb+UBEQ+IEQRe=IBQRb+UBEQ+(1+β)IBQRe便得到基极静态电流IBQI_{BQ}IBQ、发射极静态电流IEQI_{EQ}IEQ和管压降UCEQU_{CEQ}UCEQ{IBQ=VBB−UBEQRb+(1+β)Re(2.5.1a)IEQ=(1+β)IBQ(2.5.2b)UCEQ=VCC−IEQRe(2.5.1c)\left\{\begin{matrix}I_{BQ}=\displaystyle\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_b+(1+\beta)R_e}\kern 20pt(2.5.1a)\\I_{EQ}=(1+\beta)I_{BQ}\kern 41pt(2.5.2b)\\U_{CEQ}=V_{CC}-I_{EQ}R_e\kern 24pt(2.5.1c)\end{matrix}\right. IBQ=Rb+(1+β)ReVBBUBEQ(2.5.1a)IEQ=(1+β)IBQ(2.5.2b)UCEQ=VCCIEQRe(2.5.1c)

3、动态分析

把图2.5.1(ccc)所示电路中的晶体管用其hhh参数等效模型取代便可得到共集放大电路的交流等效电路,如图2.5.2所示。在这里插入图片描述根据电压放大倍数的定义,利用I˙b\dot I_bI˙bI˙c\dot I_cI˙c的控制关系,可得出A˙u\dot A_uA˙u的表达式为A˙u=U˙oU˙i=I˙eReI˙b(Rb+rbe)+I˙eRe=(1+β)IbRe(Rb+rbe)Ib+(1+β)IbRe\dot A_u=\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{\dot I_eR_e}{\dot I_b(R_b+r_{be})+\dot I_eR_e}=\frac{(1+\beta)I_bR_e}{(R_b+r_{be})I_b+(1+\beta)I_bR_e}A˙u=U˙iU˙o=I˙b(Rb+rbe)+I˙eReI˙eRe=(Rb+rbe)Ib+(1+β)IbRe(1+β)IbReA˙u=(1+β)ReRb+rbe+(1+β)Re(2.5.2)\dot A_u=\frac{(1+\beta)R_e}{R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e}\kern 33pt(2.5.2)A˙u=Rb+rbe+(1+β)Re(1+β)Re(2.5.2)式(2.5.2)表明,A˙u\dot A_uA˙u大于0且小于1,即U˙o\dot U_oU˙oU˙i\dot U_iU˙i同相且Uo<UiU_o<U_iUo<Ui。当(1+β)Re>>Rb+rbe(1+\beta)R_e>>R_b+r_{be}(1+β)Re>>Rb+rbe时,A˙u≈1\dot A_u\approx1A˙u1,即U˙o≈U˙i\dot U_o\approx\dot U_iU˙oU˙i,故常称共集放大电路为射极跟随器。虽然∣A˙u∣<1|\dot A_u|<1A˙u<1,电路无电压放大能力,但是输出电流IeI_eIe远大于输入电流IbI_bIb,所以电路仍有功率放大作用。
根据输入电阻RiR_iRi的物理意义能够得出输入电阻RiR_iRi的表达式Ri=U˙iI˙i=U˙iI˙b=I˙b(Rb+rbe)+I˙eReI˙bR_i=\frac{\dot U_i}{\dot I_i}=\frac{\dot U_i}{\dot I_b}=\frac{\dot I_b(R_b+r_{be})+\dot I_eR_e}{\dot I_b}Ri=I˙iU˙i=I˙bU˙i=I˙bI˙b(Rb+rbe)+I˙eReRi=Rb+rbe+(1+β)Re(2.5.3)R_i=R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e\kern 38pt(2.5.3)Ri=Rb+rbe+(1+β)Re(2.5.3)可见,发射极电阻ReR_eRe等效到基极回路时,将增大到(1+β)(1+\beta)(1+β)倍,因此共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻大得多,可达几十千欧到几百千欧。
为了计算输出电阻RoR_oRo,令输入信号为零,在输出端加正弦波电压U˙o\dot U_oU˙o,求出因其产生的电流I˙o\dot I_oI˙o,则输出电阻Ro=U˙o/I˙oR_o=\dot U_o/\dot I_oRo=U˙o/I˙o,如图2.5.3所示。在图中,将电阻ReR_eRe左边的电路等效为电阻Ro′R'_oRo,则输出电阻为Re//Ro′R_e//R'_oRe//Ro在这里插入图片描述Uo=Io′1+β(Rb+rbe)U_o=\frac{I'_o}{1+\beta}(R_b+r_{be})Uo=1+βIo(Rb+rbe)所以可得Ro′=Rb+rbe1+βR'_o=\frac{R_b+r_{be}}{1+\beta}Ro=1+βRb+rbeRo=Re//Rb+rbe1+β(2.5.4)R_o=R_e//\frac{R_b+r_{be}}{1+\beta}\kern 60pt(2.5.4)Ro=Re//1+βRb+rbe(2.5.4)可见,基极回路电阻RbR_bRb等效到发射极回路时,应减小到原来的1/(1+β)1/(1+\beta)1/(1+β)。由于通常情况下,ReR_eRe取值较小,rber_{be}rbe也最多在几百欧到几千欧,而β\betaβ至少几十倍,所以RoR_oRo可小到几十欧。
因为共集放大电路输入电阻大、输出电阻小,因而信号源索取的电流小而且带负载能力强,所以常用于多集放大电路的输入级和输出级;也可用它连接两电路,减少电路间直接相连所带来的影响,起缓冲作用。

例2.5.1】在图2.5.1(a)所示电路中,已知VBB=6 VV_{BB}=6\,\textrm VVBB=6VVCC=12 VV_{CC}=12\,\textrm VVCC=12VRb=15 kΩR_b=15\,\textrm kΩRb=15kΩRe=5 kΩR_e=5\,\textrm kΩRe=5kΩ;晶体管的UBEQ=0.7 VU_{BEQ}=0.7\,\textrm VUBEQ=0.7Vrbb′=200 Ωr_{bb'}=200\,Ωrbb=200Ωβ=150\beta=150β=150。试估算QQQ点、A˙u\dot A_uA˙uRiR_iRiRoR_oRo
解:IBQ=VBB−UBEQRb+(1+β)Re=6−0.715+(1+150)×5mA≈0.00688 mA=6.88 μAI_{BQ}=\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_b+(1+\beta)R_e}=\frac{6-0.7}{15+(1+150)\times5}\textrm{mA}\approx0.00688\,\textrm{mA}=6.88\,\textrm{μA}IBQ=Rb+(1+β)ReVBBUBEQ=15+(1+150)×560.7mA0.00688mA=6.88μAIEQ=(1+β)IBQ≈(1+150)×0.00688 mA≈1.04 mAI_{EQ}=(1+\beta)I_{BQ}\approx(1+150)\times0.00688\,\textrm{mA}\approx1.04\,\textrm{mA}IEQ=(1+β)IBQ(1+150)×0.00688mA1.04mAUCEQ=VCC−IEQRe≈(12−1.04×5)V=6.8 VU_{CEQ}=V_{CC}-I_{EQ}R_e\approx(12-1.04\times5)\textrm V=6.8\,\textrm VUCEQ=VCCIEQRe(121.04×5)V=6.8Vrbe≈rbb′+βUTICQ≈(200+150×261)Ω=4100 Ω=4.1 kΩr_{be}\approx r_{bb'}+\beta\frac{U_T}{I_{CQ}}\approx(200+150\times\frac{26}{1})Ω=4100\,Ω=4.1\,\textrm{kΩ}rberbb+βICQUT(200+150×126)Ω=4100Ω=4.1根据式(2.5.2)、(2.5.3)、(2.5.4)得A˙u=(1+β)ReRb+rbe+(1+β)Re≈(1+150)×515+4.1+(1+151)×5≈0.975\dot A_u=\frac{(1+\beta)R_e}{R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e}\approx\frac{(1+150)\times5}{15+4.1+(1+151)\times5}\approx0.975A˙u=Rb+rbe+(1+β)Re(1+β)Re15+4.1+(1+151)×5(1+150)×50.975Ri=Rb+rbe+(1+β)Re≈(15+4.1+151×5)kΩ≈774 kΩR_i=R_b+r_{be}+(1+\beta)R_e\approx(15+4.1+151\times5)\textrm{kΩ}\approx774\,\textrm{kΩ}Ri=Rb+rbe+(1+β)Re(15+4.1+151×5)774Ro=Re//Rb+rbe1+β≈Rb+rbe1+β=(15+4.1151×103)Ω≈126 ΩR_o=R_e//\frac{R_b+r_{be}}{1+\beta}\approx\frac{R_b+r_{be}}{1+\beta}=\left(\frac{15+4.1}{151}\times10^{3}\right)Ω\approx126\,ΩRo=Re//1+βRb+rbe1+βRb+rbe=(15115+4.1×103)Ω126Ω

二、基本共基放大电路

图2.5.4(a)所示为基本共基放大电路,根据放大电路的组成原则,为使晶体管发射结正向偏置且UBE>UonU_{BE}>U_{on}UBE>Uon,在其输入回路加电源VBBV_{BB}VBBVBBV_{BB}VBBReR_eRe共同确定发射极静态电流IEQI_{EQ}IEQ;为使晶体管的集电结反向偏置,在其输出回路加电源VCCV_{CC}VCCVCCV_{CC}VCC提供集电极电流和输出电流。画出交流通路如图2.5.4(b)所示,可以看出输入回路与输出回路的公共端为基极。在这里插入图片描述在图2.5.4(a)所示电路中,令U˙i=0\dot U_i=0U˙i=0,发射极电位UEQ=−UBEU_{EQ}=-U_{BE}UEQ=UBE,集电极电位UCQ=VCC−ICQRcU_{CQ}=V_{CC}-I_{CQ}R_cUCQ=VCCICQRc,便可得出静态工作点{IEQ=VBB−UBEQRe(2.5.5a)IBQ=IEQ1+β(2.5.5b)UCEQ=UCQ−UEQ=VCC−ICQRc+UBEQ(2.5.5c)\left\{\begin{matrix}I_{EQ}=\displaystyle\frac{V_{BB}-U_{BEQ}}{R_e}\kern 115pt(2.5.5a)\\I_{BQ}=\displaystyle\frac{I_{EQ}}{1+\beta}\kern 144pt(2.5.5b)\\U_{CEQ}=U_{CQ}-U_{EQ}=V_{CC}-I_{CQ}R_c+U_{BEQ}\kern 10pt(2.5.5c)\end{matrix}\right.IEQ=ReVBBUBEQ(2.5.5a)IBQ=1+βIEQ(2.5.5b)UCEQ=UCQUEQ=VCCICQRc+UBEQ(2.5.5c)用晶体管的hhh参数等效模型取代图2.5.4(b)所示电路中的晶体管,便可得到基本共基放大电路的交流等效电路,如图2.5.4(ccc)所示。根据电压放大倍数A˙u\dot A_uA˙u、输入电阻RiR_iRi和输出电阻RoR_oRo的定义可得:{A˙u=U˙oU˙i=I˙cRcI˙eRe+I˙brbe=βRcrbe+(1+β)Re(2.5.6a)Ri=U˙iI˙i=U˙iI˙e=I˙eRe+I˙brbeI˙e=Re+rbe1+β(2.5.6b)Ro=Rc(2.5.6c)\left\{\begin{matrix}\dot A_u=\displaystyle\frac{\dot U_o}{\dot U_i}=\frac{\dot I_cR_c}{\dot I_eR_e+\dot I_br_{be}}=\frac{\beta R_c}{r_{be}+(1+\beta)R_e}\kern 14pt(2.5.6a)\\R_i=\displaystyle\frac{\dot U_i}{\dot I_i}=\frac{\dot U_i}{\dot I_e}=\frac{\dot I_eR_e+\dot I_br_{be}}{\dot I_e}=R_e+\frac{r_{be}}{1+\beta}\kern 10pt(2.5.6b)\\R_o=R_c\kern 166pt(2.5.6c)\end{matrix}\right.A˙u=U˙iU˙o=I˙eRe+I˙brbeI˙cRc=rbe+(1+β)ReβRc(2.5.6a)Ri=I˙iU˙i=I˙eU˙i=I˙eI˙eRe+I˙brbe=Re+1+βrbe(2.5.6b)Ro=Rc(2.5.6c)
注: 求取RoR_oRo时需先将输入端置零,则在最左侧的回路列出KVL方程,可以得出该回路电流为零。
由于共基电路的输入回路电流为iEi_EiE,而输出回路电流为iCi_CiC,所以无电流放大能力。而当ReR_eRe为信号源内阻时(ReR_eRe特别小),电压放大倍数与阻容耦合共射放大电路的数值相同,均为βRc/rbe\beta R_c/r_{be}βRc/rbe,所以有足够的电压放大能力,从而实现功率放大。此外,共基放大电路的输出电压与输入电压同相;输入电阻较共射电路小;输出电阻与共射电路相当,均为RcR_cRc。共基放大电路的最大优点是频带宽,因而常用于无线电通信等方面。

例2.5.2】电路如图2.5.4(a)所示。设Re=300 ΩR_e=300\,ΩRe=300ΩRc=5 kΩR_c=5\,\textrm{kΩ}Rc=5;晶体管的β=100\beta=100β=100rbe=1 kΩr_{be}=1\,\textrm{kΩ}rbe=1;静态工作点合适。试估算A˙u\dot A_uA˙uRiR_iRiRoR_oRo的值。
解:A˙u=βRcrbe+(1+β)Re=100×51+101×0.3≈16\dot A_u=\frac{\beta R_c}{r_{be}+(1+\beta)R_e}=\frac{100\times5}{1+101\times0.3}\approx16A˙u=rbe+(1+β)ReβRc=1+101×0.3100×516Ri=Re+rbe1+β=(300+1000101)Ω≈310 Ω=0.31 kΩR_i=R_e+\frac{r_{be}}{1+\beta}=\left(300+\frac{1000}{101}\right)Ω\approx310\,Ω=0.31\,\textrm{kΩ}Ri=Re+1+βrbe=(300+1011000)Ω310Ω=0.31Ro=Re=5 kΩR_o=R_e=5\,\textrm{kΩ}Ro=Re=5

三、三种接法的比较

综上所述,晶体管单管放大电路的基本接法的特点归纳如下:
(1)共射电路既能放大电流又能放大电压,输入电阻居三种电路之中,输出电阻较大,频带较窄。常作为低频电压放大电路的单元电路。
(2)共集电路只能放大电流不能放大电压,是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路,并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级,在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。
(3)共基电路只能放大电压不能放大电流,输入电阻小,电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当,是三种接法中高频特性最好的电路。常作为宽频带放大电路。

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